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Backward Current PN 전합에 역방향 전압을 걸었을 때 흐는는 전류를 말한다 (Reverse Current라고도 한다).

Back Flow Effect(배류 효과)
네마틱상에 대한 배향 벡터가 시간적으로 변동 할 때 액정 분자의 흐름을 유기하는 현상을 말한다.

Back Grind(뒷면 연마)
Wafer 뒷면의 불필요한 두께를 갈아내는 것을 말하며, 이는 Fab.공정이 완료된 후 행해지는 공정임

Back Plane 한쪽면에서는 솔더링을 하지 않고 접속시키는 터미날이 있고 다른면에는 일정부분간을 전기적으로
연결시키는 연결소켓 이 있는 기관.

Back Panel Fab. Line에서 Bay간 또는 Room간 차단벽으로 주로 많이 사용되는 것으로 PVC Back Panel이 있다.
이는 공조의 흐름을 유도시 키거나 Particle의 유입을 막아 Room별 청정도 유지를 목적으로도 사용된다.

Back Seal Oxide
     뒷면 실링 산화막,Wafer내에 포함되어 있는 고농도 불순물에 의한 Outdoping을 감소 시키려는 목적으로 Wafer 뒷면
     에성장시켜 주는 산화막. Back Side Grind 뒷면 연마 Wafer의 뒷면을 다이아몬드 휠로 연마시키는 작업으로서 조립
     공정으로 일정한 두께의 Wafer를 보내기 위한 목적과 Gettering 목적을 동시에 수행함.

Back Side Marking
Device의 Marking시 Lot의 Fab.Site Lot# 등을 기록하기 위해 Device 밑면에 표시하는 Marking.

Back-Annotation 반도체 설계시 layout 작업까지 마친후 layout에서 발생된 기생 소자들(캐패시터 및 저항)의 실제
값을 추출하여 이 값들을 포함하여simula-tion하는 작업을 말한다.

Back-Up System
저장탱크에 저장된 액체상태의 질소, 산소 등이 기화기를 거쳐 기화한 후 Gas 상태로 공급될 수 있도록 갖추어진 설비.

Baffle 확산 Gas의 흐름을 Control해 주는 치공구.

Bake Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있다.
    1) Pre-Bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer 표면의 습기를 제거하여 150±10℃의 Oven에서 Wafer를 굽는 것
    2) Hard-Bake : Etch전 Wafer 표면의 Resist를 굽는 것.
    3) Soft-Bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를 굳혀 주는 것.

Bank
    XT의 경우 1Byte의 Data를 구성하기 위해 256K×1 Memory 8EA와256K×1 Memory 1EA로 9BIT를 구성하는데 이 경우
    1Bank는 256KB의 용량 이 된다.   AT의 경우는 1개의 Bank는 두개의 소 Bank로 구성되며 각각의 소 Bank(홀수/짝수)
    는 9BIT로 구성되어   결국 1개의Bank는 18BIT로 구성되며 2BIT의 Parity BIT를 포함한다.   256K×1DRAM으로 구성시
    1개의 Bank는 512KB의 용량이 되며 1M×1DRAM으로 구성하면 2MB의 용량이 된다.

Base Array
ASIC Process중의 일부이며 이는 미리 회로의 기본이 되는 Gate 회로(2 Input Nand gate or 2 Input Nor gate)를
userable gate 수별로 array상에 배열한 LSI를 만들어 주는 것을 말한다.

Base Line Spec
반도체소자 제작시 동일한 특성을 얻기 위해 그 소자의 특성에 맞게 process flow를 설정하고 제어하기 위한 지침서.

Base Line 공정 연구소 공정 개발실에서 공정개발이 완료되어 FAB운영실로 이관된 공정.

Base Material(기초제) 표면에 회로를 형성시킬 수 있는 비전도성 물질.

BASIC(Beginner's All-purpose Symbolic Instructon Code) 초심자용 회화용 프로그램 언어

Basic Dimension(기본위치) 어떤 홀이나 부품의 위치를 이론적으로 정확하게 표현한 수치.

Batonnet 등방성 액정상에서 온도를 떨어뜨려 스메틱 봉상(棒狀)의 이방성 액정을 석출시키는 말이다.

Battery Back Up 정전시에 대응하여, 전원의 공급원으로서 battery를 준비해 두는 것.예를 들면, C-MOS에 건전지로
전력을 보급하는 경우 등이다. 또한,Computer System에서는 일련의 cut down 조작이 가능한 시각(5-10분)을 충전지
에서 전력을 공급하고, 치명 적인data파괴를 피하는 대응이 취해져 있다

Battery Back-Up Circuit 휘발성 메모리 제품(DRAM/SRAM)의 데이타를 보관하기 위한 밧데리 회로로서 시스템의
동작시에는 OFF 상태이나 시스템의 전원이 꺼졌을 때는 정상적으로 동작하는 회로. 게임기의 "GAME PACK" 및 "소형
계산기" 등에 활용한다.

B/B Ratio(Book to Bill Ratio) 수주 대 출하 비율 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈값.

BC(Bay Controller)
STC와 SECS에 의하여 통신하며 STC에 반송 지령을 주며 그 결과를 받는 일련의 process를 관리한다.

BC(Buried Contact) POLY1을 N+ Active에 연결하는 contact으로 POC13 doping을 이용한다.

BCD Technology Bipolar,CMOS,DMOS 트랜지스터를 동일 칩상에서 구현하는 기술로서,주로 Bipolar 트랜지스터
    는 고속 논리회로 및 아날로 그회로 CMOS는 digital logic 및 DMOS의 출력구동에 사용된다. (BCD 기술은 설계의
    융통성(filxibility)을 증가시키고 여러개의 분리된 칩을 한개의 칩으로 구현함으로써 system의 reliability를 증가시킬
    수 있으나 공정단가가 높은 단점이   있다.)

BCG Approach(Boston Consulting Group Approach)
보스톤 자문단법,전략산업단위(SBU)를 성장율과 점유율의 2가지 기준에 따라 평가, 검토하여 성장·점유 매트릭스에
분류하여 표시하는 방법.

BCR(Bar Cod Reader) Bar Code를 읽어내는 장치

Beam Line Source에서 생성된 Ion Beam이 통과통로.

Beam Mask
초기에 생성된 사각형의 Beam의 형태를 원형으로 형성시켜,Wafer에 주사되게 차폐 역할을 하는 탄소관.

Beam Spectrum 분자 혼합물의 상태에서 전자와 충돌시켜 양 이온을 생성, 마그네틱 전류의 증감에 따라 각각
따른 이온이 분석되어 좌감 축에 나타낸 상태.

Behavioral Description
System의 기술방법으로 input과 output사이의 관계를 computer language와 같이 서술하는 방법이다.
서술언어는 VHDL(very high speed hardware descripition language), HDL 등이 있다.

Bench Test 특정한 모양으로 만들어 놓은 Test Pattern이나 실제 Die를 DC 측정용 계측기를 이용하여 Probing을
하면서 여러가지 Electrical Parameter를 측정하는 일.

Bent Lead(경사리드) 약 45도로 휘어져 있는 리드.

Bias 치우침. 측정치나 검사결과의 평균과 참값(비교치) 사이의 차이를 나타내는 Systemic error(bias component).

Bias TR에서 미리 순방향의 직류전압을 가해주어 신호 입력이 0인 상태에서도 어느정도의 전류가 흐르게하여 무신
호시의 동작 점을 미리 어떤 위치 로 옮겨와 직류와 겹침으로써 0의 상태로부터 벗어나게 하는 것을 Bias라고 한다.

Bidirectional Buffer 외부 signal에 대한 voltage level을 소자 내부에 맞게 받아들일 수 있고, sense AMP에서
증폭된 data를 external load를 drive하기 위해 사용될 수도 있는 Buffer.

BI-MOS 바이폴라와 MOS를 조합하여 하나의 Chip위에 만든 회로이다

Binary Number System(2진법) 한자리를 0과 1의 두 수만으로 나타내는 수의 표시방법.

B/I(Burn-in) 고온에서 어떤 특정 길이의 시간(예를 들면 83℃, 63시간)동안 회로를 동작시켜 초기 수명 또는 초기
고장이 심사되는 부품 검사 의단계

Bin 검사한 결과에 따라 양품과 불량 또는 동작속도를 나누는 기준.
예) Bin 1-양품, Bin 13-기능불량, Bin 15-Parameter 불량 등.

Bin 1 Check Test된 양품의 동작속도 상태를 점검하는 작업.

Binary 우리가 흔히 사용하는 10을 기준으로 한 10진법과 달리 2를 기준으로 한 2진법 숫자로 "1" 과 "0"으로 숫자나
문자를 나타내는 것.

Bin Grade Down
Test 각 Step을 진행중 Good Device의 speed나 power 소모도가 변화되어 나쁜 영향으로 변환된 제품.

BIOS(Basic Input Output System)
    컴퓨터와 주변장치사이에서 대화를 조작 하는 운영체제의 프로그램 및 부프로그램. PC의 핵심이라 할수 있으며 PC
    호환      성에 있 어서가장 중요한 요소들 중의 하나이다. System의 전원을 ON시켰을 때 또는 Reset 시켰을 경우
    시스템 내부의 모든 장치들을 초기화하는 기능을 수행한다.내부에는 POST 기능을 포함하고 있으며 Memory
   Test에서 시스템에 내장 된 모든 장치의 기능 Test 유무를 Check하는 역할을 수행한다.

Bipolar 전자(Electron)와 정공(Hole) 두 종류의 전기매개체가 동원되어 동작되는 형태(또는 이것에 의해 동작되는
Transistor를 말함).

BIT(Binary Digit) 2진수의 자리수의 단위이다. 즉, 2진법의 1011은 4자리 4BIT이다

Bit Line Memory에서 Data를 저장시키거나 Data를 뽑을 때 Data가 이동되는 통로로서 사용되는 도선.

Bit Map
Memory의 기본동작을 Check하여 Memory내의 각 Data의 저장 Cell이 바로 동작하고 있는지를 표시한 도표
(죽은Cell을 찾아내어 분석 하기 위해 사용됨).

Bit Mapper
제조공정이 완료된 반도체의 동작특성 유무를 판별하고 Fail Point의 Address및 Fail 특성을 제공하여 주는 F/A용 Tool

Bit성 Fail Device Test 결과 Random한 Address의 Cell이 Fail된 경우.

Black & White SPOT 셀 내부에 이물 먼지 등이 들어가거나 마스크의 pinhole 등으로 인하여 seak제나 트랜지스터
제가 면내에 인쇄되어 포지티 브형은 흑점으로 네가티브형은 백점으로 나타나는 현상.

Black Hole 제조기술부에서 F/A시 사용하는 용어로 Contact부위에서 Contact Pattern과 그위의 Poly or Metal
Pattern과의Misalign 이나는 Over Etch로 인하여 Contact Overap이 부족하여 Contact Edge에 Chemical이 침투
하여 Contact을 부식 시켜 생겨난 Defect.

Black Stripe SM
칼라 액정 디스플레이에서 빛의 투과가 일어나지 않는 트랜지스터나 축전지 부분을 검은색의 물질로 덮어서 빛의 간섭
을 막아 화질을 높이는데 쓰이는 물질.

Blade Wafer 절단시 사용되는 톱날로서 다이아몬드와 니켈의 합금.

Bleeding(번짐)
鍍金된 홀이 보이거나 갈라짐으로 인하여 변색된 것. 또한 인쇄에서 잉크가 없어야 될 곳에 잉크가 번져 들어간 형태

Blister 밀착된 기초재층들간의 부분적인 들뜸이나 기초재와 표면전도체 막과의 부분적 들뜸.

Block 한 단위로 취급하는 연속된 단어의 집합

Block Factors Block 인자. Block 인자들은 실험 공간을 Block으로 구분하기위한 근거로 제공된다.

Blow Hole 개스가 분출됨으로써 발생된 땜납(Solder) 보이드.

BN Wafer Boron이 매우 높게 주입되어 있는 Wafer로서 Boron을 주입하려고하는 Wafer와 마주보게하여 확산공정을
진행할 때 사용하는 Wafer.

BN 보관로 BN Wafer를 보관하는 Tube로 375℃의 온도가 유지되며 N2가 흘러들어감

Boat 확산로에 Wafer를 넣을 때 사용되는 것으로 석영이나 SiC 재질로 만들어져 있으며 Wafer가 한 장씩 세워지도록
홈이 파져 있음.

Boat Holder Boat가 외부 물질에 닿지 않도록 받쳐주는 것으로 석영 또는 Poly-Si 재질로 되어 있음.

Body Effect MOS Transistor에서 source와 substrate간의 reversebias에 의해 Threshold voltage가 shift되는 현상
으로 substrate 농도에 관계한다.

BoH(Begining on Hand) 작업초 갖고 있는 재고.

Bonding
주로 wire bonding이라고 일컬어 지며 반도체 제품의 조립시 chip의 PAD와 외부단자를 도선으로 연결하는 작업임

Boiler 1 Ton 100℃의 물 1000kg을 1시간 동안에 전부 100℃증기 1000kg으로 만들 수 있는 능력을 말하며 Boiler
용량표시의 척도가 된다

Bond Diode 반도체 표면에 금선을 용접하고 전기펄스에 의해 접합을 형성하는 것.

Bonding Layor(접착증) 다층기판의 밀착시 각각의 층들을 접착시켜서 결합시키는 층.

Bonding Pad Chip에 Wire를 Bonding 할때 본딩할 부분에 증착한 알루미늄 등의 금속 증착피막 부분을 말한다.

Bond Strength(접착력) 기판의 인접한 두층을 분리시키는데 필요한 단위면적당 수직으로 작용하는 힘의 크기.

Boomerang Effect 선진국이 개발도상국에 제공한 경제원조나 자본투자 결과 현지 생산이 이루어지고 이어서
그 생산제품이 현지 시장수요를 초과하게 되어 선진국에 역수출됨으로써 선진국의 해당산업과 경합하는 것.

Booting 프로그램을 입력하는 방법의 하나로서 최초에 명령을 Read하기 위한 간단한 조작을 해두면 그 다음부터는
그 명령의 Reading을 순차적으로 행하여 최종적으로 완전한 프로그램이 기억장치내에 수용되도록 만들어진 루틴

Bottom Up Design 트리구조를 아래에서 위로 구성해 나가는 방법으로써 Primitive Cell을 기본으로 Circuit Level,
Logic Level, Architechure Level순으로 진행하는 IC 설계방식.

Boulder FAB 공정중 침적 또는 Diffusion 공정시 정상성장이 되지않고 비정상 성장이나 결정 덩어리에 의해 생겨난
비정상적 성장결정체.

Bow(휨) wafer 또는 wafer위에 증착된 flim의 인장력을 측정하기 위해 사용되는 휨정도를 의미함.

BPSG (Boron Phosphorus Silicate Glass)
    평탄화의 수단으로 사용하는 열에 대한 flow성(850℃에서 Viscosity 가 급격히 변하는) 이 좋은 막질임. Oxide Film에
    B, P 등의 불순물을 첨가시켜 낮은 온도에서 평탄화되도록 하는데 사용되는 절연막임.

BPT(Bond Pull Test) 본드 인장력 시험으로서의 bondability 측정의 한 방법으로 GRAM weight gauge를 사용하여
ball과 stitch 중간을 들어 올려 bond의 인장강도를 측정하는 시험.

Bread Board IC화 하기전에 개별부품을 사용하여 목적하는 IC회로와 동등한 기능을 갖는 회로를 만들어 그 IC회로의
모의 설계를 하는 것.

Break-Down PN 접합에 역방향 전압을 가하고 그 전압을 차츰 높여 가면 어떤 전압에서 역방향 전류가 급격히 증가
하는 이른바 Breakdown의 현상이 일어난다.이러한 현상이 일어나는 것은 공간 전하 영역의 전계 강도가 매우 커지기
때문이며,그 기구로는 avalanche breakdown과 zener breakdown이 있다.

Breakdown Voltage P-N접합 Diode에서 두 접촉영역 사이로 역방향의 큰 전압을 걸어주면 역방향으로 많은 전류를
흐르게 되며 이때 가해주는 전압을 Break-down 전압이라 한다.

Break-up Half Cutting된 Wafer를 Full Cutting 시키는 작업.

Bridging 회로들간의 사이가 전도물질에 의하여 붙어버린 형태.

Broken(깨어짐) Wafer나 Quartzware가 깨어짐을 말함.

BSI(Business Survey Index) 기업 실사지수 경기에 대한 기업가들의 판단 장래의 전망 및 대비계획 등을 기업가
들로 부터 직접 조사,지수화 함으로써 전반적인 경기동향을 파악하고자 하는 지표를 말한다.

BT Stress(Bias & Temperature Stress)
소자의 신뢰도를 측정하는 방법의 일종으로 Bias(전압)인가와 동시에 온도를 높여서 하는 Stress 인가 방식.

BT Test(Bias and Temperature Test)
TR, Diode 등의 반도체 소자를 고온에서 Bias를 건 상태로 해두는 시험이다.

Bubbler 순수한 물(D-I Water)이 흘러나와 넘치면서 질소가 바닥으로부터 분출되어 Wafer 표면을 헹구어 주는 장치.

Bubble Memory 합금, 석류석 등에 자계를 걸어주어 여러개의 거품같은 모양을 만들어 놓은 기억소자.

Buffer 어떤 논리회로와 다른 논리 회로를 결합할때 그 직접결합에 의한 나쁜 영향을 피하기위해 단간에 삽입하는
회로를 말한다.

Buffer Memory
2개의 장치사이에서 동작속도가 다를 때 그 중간에 마련하여 양자의 속도, 시간의 조정 등을 하는 메모리를 말한다.

Build-up 건물전체를 한 공조기로 하고 그 내부에 팬, 코일 및 필터를 설치하고 공기조화 하는 것.

Buried Layer Transistor에서 Collector 저항을 줄이기 위하여 Collector 하부에 형성하는 낮은 저항 영역.

Buried Via Hole 완전히 관통이 되지 않고 중간이 막힌 비아홀.

Burr 절단, Trim 공정시 발생하는 불량의 한 항목으로 Lead 끝이나 몸체에 혹처럼 찌꺼기가 붙어 있는 것.

Burn in
    제품의 잠재적인 불량을 초기에 발견하기 위하여 제품에 고온(85℃∼ 125℃)으로 Device에 열적 Stress를 인가하여
    Test하는    것이며, IC가 실제 사용할 때 사용가능 하도록 신뢰성(Reliability)를 높여주기 위해 실제 사용상태 보다
    높은 전압, 전류 등의 Parameter를 가하여 장시간 Over Stress를 행하는 Test.

Burner 고압의 공기 또는 증기를 사용하여 고점도의 액체 연료를 무화시킨 후 분사시키는 장치.

Burnt
Burn-in 중 Device 결함 혹은 외부의 과도한 전기적 Stress로 인하여 High Current가 Device내부를 흐름으로 인해
Device가 고온으로 가열되어 깨어지거나 변색되는 현상.

Bus 정보전달 장치 사이에서 정보가 전달되기 위한 길.

Bus Clock Slot에 장착되는 기존의 ADD-ON Card에 호환성을 유지하기 위하여 I/O Channel에 공급되며, 24MHz의
주파수를 3분주시켜 8MHz를 Bus Clock으로 사용하고 있다.

BVcob(Collector-Base Breakdown Voltage with Emitter Open)
에미터 단자 Open 상태의 콜렉터-베이스간 역전압, 에미터 회로를 개방하고 Collector와 Base 단자사이에
Breakdown이 일어나기 전까지 가할 수 있는 최대 역방향 바이어스 전압.

BVcer(Collector-Emitter Breakdown Voltage With Specified Resistance)
베이스 단자와 에미터 단자간 일정한 저항을 연결한 상태에서의 콜렉터-에미터간 역전압.

BVces(Collecter-Emitter Breakdown Voltage With Emitter Short-Circuited to Base)
베이스-에미터간을 Short한 상태에서의 콜랙터-에미터간 역전압.

BVcev(Collector-Emitter Voltage with Specified Reverse Voltage Betweem Emitter And Base)
에미터-베이스간 역전압인가 상태에서의 콜렉터-에미터 전압.

BVebo(Emiitter-Base Breakdown Voltage With Collector Open)
Collector 단자 open 상태에서의 에미터-베이스간 역전압.

Byte 보통 8개의 Bit를 1Byte라 하며 Computer에서 한개의 숫자나 문자 또는 부호를 나타내는데 쓰이며 Word의 한
단위로 사용된다.