 T-Card(Traveler Card)
제품의 이력 사항을 기록하는 양식지로서 처음 공정부터 마지막 공정까지 제품과 함께 이동 기록되는
카드로서 제품명,작업자,수량,날짜,근무조 등으로 기록된다.
TAB(Tape Automated Bonding) Tape에 Die를 자동을 붙인 것.
TAB
TR이나 IC의 케이스에서 가로로 1㎜ 정도의 돌기가 나와 있는것이 있는데 이 돌기부분을 TAB이라고 한다.
Taping Wafer를 Tape에 접착하는 행위(완전 절단 하기 위해 하는 것임).
Taping M/C Wafer를 Tape에 접착시키는 설비.
Target Sputtering 방법으로 Wf 표면에 금속 박막을 입힐 때 사용되는 금속 원재료.
TCA(Trichlord Alchol) (CH3CCL3)
불필요한 중금속 이온(NA+, K+)의 Gettering 효과(CL-기와 결합하여 염을 형성시켜 중화)로 산화막의
품질향상 및 산화막 성장속도를 증가시키기 위해 사용되는 화공약품.
TCA Oxidation 산화공정시 TCA를 첨가하여 산화막의 품질을 향상시키는 방법.
TC Bonder(Thermo Compression Bonder) 열압착 본딩을 하는데 쓰이는 장치.
T/C(Temperature Cycle)
"온도순환"시험으로서 -65℃, 25℃,150℃온도 사이를 계속해서 순환시키는 시험(신뢰성 항목중의 하나).
Td(Delay Time) 지연시간.
TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)
산화막 막질을 평가하는 방법중의 하나로,산화막에 전계를 인가하고 나서 절연 파괴되기까지의 시간으로
산화막을 평가하는 우수한 방법이다.
TDS(Total Dissovel Solid) 총 용존 고형물 물속에 녹아있는 고형물의 농도를 표시할때 쓰임.
TDMA(Time Division Multiple Access) 시분할 다원접속.
Teflon Carrier
Teflon 재질로 되어 있으며 백색,빨강색,청색 등이 있다.
화공약품과 열에 모두 강하나 가격이 비싸고 무겁다.
TEG(Test Element Group)
집적회로의 Bread Board의 검토용으로 만든 TR, Diode,저항따위를 말함.
TEM(Transmission Election Microscopy)
SEM과는 달리 Electron Beam을 매질에 투과시켜,매질의 상태를 확대하여 촬영할수 있는 계측기.
Tenting 도통홀의 위를 막거나 회로주변을 Resist로 덮는 기판제조 공법.
TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 산화막 증착시 Si Source로 사용하는 물질.
Terminal Ion 주입 설비의 고전압이 걸리는 부분으로 Source쪽의 안전보호 Cover로 된지역.
Test Coupon(테스트 시편) 특별한 품질 허용Test나 그와 유사한 테스트를 하기 위한 작은시편.
Test Head Tester와 handler 또는 Prober Station이 연결되는 중간장치.
Test Limit 양,불량의 기준이 되는 것.
Test Mode
고집적 메모리 Device를 Test할때 Test 시간을 줄이기 위해 동시에 여러개의 메모리 번지를 Access
할 수 있도록 고안된 회로를 Device 내부에 장착하고,Test시 이 회로를 사용하여 Test Time을 줄일
수 있도록 한 Test 방법으로 Multi-Bit Test와 동일한 의미임.
Test Pattern
개발제품의 양/불량을 판별하기 위하여 제작된 여러 종류의 도면이나 Wafer상의 pattern. 반도체 공정
진행후 소자의 전기적 특성 및 공정 진행 상태를 파악하기 위해 scribe line이나 test die에 제작한 능동
수동 소자를 총칭하는 말.
Tester 제품의 양품과 불량을 판별하기 위해 사용되는 Computer가 내장된 전기특성 검사 장비.
Tests of Significance 유의수준 검정. 유의수준 검정은
1) 모집단으로부터 얻은 sample의 통계량을 이용하여 모수와 정해진 특정값과의 차이가 있는지.
2) 두 개의 모집단으로부터 얻은 각각의 sample 통계량을 이용하여두개의 모집단 사이에 차이가 있는지.
3) 두 개이상의 모집단으로부터 얻은 각각의 sample 통계량을 이용하여 두개의 모집단들 사이에 차이가
있는지 여부를 일정한
유의수준 (오차가 발생한 위험)을 가지고 판단하는 방법이다.
4) 유의수준 검정은 가설검정이라고도 하며 가설을 채택할 것인가 말것인가를 판단하기 위하여
귀무가설의 분명한 언급과 사전에 유의수준을 설정하는것이 필요하다.
Test Option Computer의 기본구조에 검사 기능을 추가시키는 장치.
Test Plam 제품의 검사방법,조건, 검사,Limit등의 기록된 내용서로 제품 설계측에서 제시.
Test Program
자동 측정기를 사용하여 wafer의 전기적 특성을 측정하는 program으로 제품 설계 SPEC.에 맞게
program 되어 있는 software.
Test Schematic(Test Circuit) Jig의 회로를 그린것.
Test Spec 검사 규격.
Test System
반도체 소자에 전기적 신호를 인가하여 반도체 소자로부터 전기적 신호를 받아서 소자의 전기적 정상
동작 및 오류 동작을 판단하는 장비.
Test Vector 제품 Test를 위해 simulation결과를 Test 장비에서 사용할수 있도록 변환된 Signal set이다.
Test Vehicle 소자 및 공정 변수 추출 그리고 단위회로의 설계 검증을 위해 설계된 Mask.
Test 장비
Test Program을 이용하여 각 제품의 pass/fail 구분 및 전기적 특성 검사를 수행하는 장비.
Testability
Chip Level 회로 설계후 전체 회로도에서 어떤 특정 block 혹은 sub block의 회로를 부분적으로 직접
Test하게끔 회로 설계를 하는 방식.
Tf(Fall Time) 하강시간.
TF-EL Display(Thin-Film Electroluminescent Displays)
양 전극 사이에 박막 형태의 전계 발광 물질을 넣어 전계가 가하여질 때,발광하는 현상을 이용하여
표시하는 소자.
TFIC(Thin Film Integrated Circuit)
박막으로 만들어 집적화한 회로를 말하며 5미크론 이하까지가 해당된다.
그 이상의 것은 후막이라고 한다.
TFT(Thin Film Transistor)
절연성 기체에 증착 등으로 반도체 박막을 형성하여 능동소자를 만든 것으로 일반적으로 FET이다.
TFT Array
Matrix 형태로 배선되어진 TFT을 가지는 화소집단.
array size는(수직배선수, 주사선수) 총화소 數로 표현된다.
Tg(Glass Transition Temperature) 유리 전이 온도.
Thermal Addressing
열 광학효과를 이용한 액정표시 방식을 말한다.
스메틱 콜레스테릭 네마틱 액정을 이용한 열적구동이 고려되어지고 있다.
서냉,전장을 인가한 상태에서의 냉각에 의한 투명한 등방성 조직 상태의 액정 cell에 지정된 화소를 가열후
냉각을 하면 상변화가 발생한다.가열은 각 화소전극을 히터전극으로 하는 joule 가열이나 레이저 광선에
의한 가열 등이 사용,이 방식은 크로스토크 효과가 생기지 않으며 메모리성을 같는 것이지만 응답속도가
낮고 주울가열의 경우는 소비전력이 크게 든다.
Thermal Instability(열적 불안정성)
유체층의 하부를 가열하면 밀도가 낮아져 부력때문에 상부로 이동하여 하지만 점성에 의해 억제되는데,
밀도가 임계치를 넘으면 대류가 발생한다.
유체에 대해 안정성 분석중 열적인 안정성의 부적합에 대한 다른 말이다.
Thermo-Optic Effect(열광적 효과)
액정에 온도변화를 주는 것에 따라 그 광학적 성질이 다르게 변화되는 효과를 말한다.
온도 변화는 액정내의 분자의 배열에 영향을 주게됨으로써 광학적인 성질을 변화시킨다.
Thermotropic LC
어떤 온도 범위에서 액정상이 변하는 액정으로 표시소자에 관계있는 것으로 일반적인 액정을 의미함.
The Null Hypothesis (H0)귀무가설.
유의수준 검정에서 검정의 대상으로 삼는 귀무가설은 sample의 모집단과 주어진 특정의 값과의 차이가
없다는 것을 검정하는 것이다. 또는 각각의 모집단으로 붙어 얻는 sample의 통계량을 이용하여 모집단들
사이의 차이가 없다는 것을 검정하는 것이다.
만일 귀무가설을 받아들일 때 우리는 귀무가설이 옳다라는 것이 아니라 옳다라는 것을 의심할 만한 충분한
이유가 없다라고 해석해야 한다
(차이가 없다라기 보다는 현재의 시료에서 차이의 존재를 밝혀 낼만한 충분한 근거가 없기 때문이다).
Thermal Oxidation 확산로 내에서 Silicon wafer를 600∼1200℃ 사이의 고온에 열적 산화시키는 공정.
Thermal Relief(열방출)
솔더링하는 동안에 발생하는 블리스터나 휨을 방지하기 위하여 그물모양으로 회로가 형성된 것.
Thermal Resistance
원자나 분자내에 Mobile Carrier가 열이 올라감에 따라 열Energy를 많이 얻어 Brown 운동으로 Carrier의
움직임에 저항성분을 나타내는데 이를 Thermal Resistance라 한다.
Thermal Shock Test(열충격 시험)
급격한 온도 변화에 대해 TR,Diode,IC 등이 충분히 견딜수 있는가를확인하는 시험이다.
Thermistor(더어미스터)
망간, 코발트,니켈등의 산화물을 합성하여 만든 저항체이다.온도의 상승과 더불어 저항이 내려가므로
큰 -의 온도계수를 가지고 있다.
Thermo-Couple 열전대쌍(높은 온도를 측정하는데 사용).
Thermo Electric Effect(열전효과)
열현상과 전기현상의 상호관계를 갖는 효과로서 제어백 효과,펠티어 효과,톰슨 효과의 세가지가 있다.
Thick Film IC(후막 집적회로)
절연물의 기판위에 얇은 막모양의 회로소자를 만들고 그들을 서로 배선하여 하나의 회로기능을 갖게
한 것을 막 집적회로라고 하며 이중 막의 두께가 5미크론 정도보다 두꺼운 것을 후막 집적회로라고 한다.
1) Ceramic 또는 기타 기판위에 Silk-Screen 인쇄방법으로 두께 0.5∼1㎜ 정도의 도체, 부도체 또는
저항성분을 가진 물질 (니크롬,알미늄 등)을 입혀 저항,콘덴서 또는 도선을 형성하는 방법 이 기술을
이용하여 저항,콘덴서 또는 혼성 집정회로를 만듬.
2) 일반적으로 FAB 공정에서 다루는 막중 1000Å이상의 막을 말함.
Thin Film
Thick Film과는 달리 진공증착 등의 방법으로 기판위에 얇은 두께의 박판(두께 약 5micron이하)을 형성하는
것으로,저항콘덴서 등의 소자나 혼성 집적회로를 형성하기 위한 것.
Threshold Level Input에 인가되는 전위의 한계로서 Device로 하여금 적절한 상태를 가하게끔 한다.
Threshold Voltage
문턱전압, PN Diode나 Mos TR에서 어떤 일정 전압이 되었을 때 전류가 흐르게 되는 이 전압을
Threshold Voltage(Vth)라 한다.
Throughput Time 한 공정 혹은 전체공정의 시작에서 종료까지 완료되는 시간을 말함.
Thyristor(다이리스터)
PN 접합을 3개 이상 내장하고 주 전류전압 특성의 적어도 하나의 상한에 있어서 ON/OFF의 2개 상태를
가지며 OFF 상태에서 ON 상태로의 전환 또는 그 반대의 전환을 할 수 있는 반도체소자를 말한다.
Tie Bar PKG Lead 끝부분을 연결하는 가로축 Bar.
Tilt 러빙등으로 배향처리 한 경우,액정 분자의 장축 방향은 전극면과 같게 평행하게 되지만 엄밀하게는
약간 경사지게 배향되어 있다. 모니터에서는 평탄하여야 할 하면이 기울어져 있는 것을 말한다.
Tilt Angle 액정의 표면이나 용기벽에서 계면 법선 방향과 액정 방향 벡터가 이루는 각.
Timing
Device를 동작시키는데 필요한 Control Clock, Address, Data 등의 외부 파형들의 조합으로서 타이밍의
종류에 따라 특정한 모드의 동작이 이루어 진다.
TiN (Titanium Nitride)
Titanium가 Nitrogen이 화합물로서 Barrier Metal 및 ARC Layer 물질로 사용함.
Tin Plating Sn을 전기를 이용해서 Frame에 도금을 함.
Tip 직접 Chip에 닿는 부분으로 주사 바늘끝에 끼워진 데프론 호스.
TiSiX(Titanium Silicide)
Titanium과 Silicon이 결합하여 생성되는 물질로써 contact 저항을 낮추기 위해 사용된다.
TiW(Titanium Tungsten) Titanium과 Tungsten의 화합물로써 Barrier Metal로 사용함.
Tj(Junction Temperature) 접합 온도.
TLM(Tripple Level Metal) 3층의 금속을 사용하는 소자의 집적도를 향상시킨 금속 배선 기술이다.
TN LCD(Twisted Nematic Liquid Crystal Display)
90도 비틀어진 네마틱 액정을 사용하는 LCD.이 방식은 콘트라스트 비가 3:1 이하,가시각은 20도 이하이다.
TN Mode
상하의 유리내에 액정 cell의 한쪽면 표면상의 액정분자의 다이렉터와 대응면상의 액정 분자의
다이렉터와 이르는 각.
TN-FE LCD(Twisted Nematic Field Effect LCD)
액정 분자의 장축을 상하 기판사이에서 90도 연속적으로 Twist 배열시켜 전기장을 가햐였을 경우 빛의
편광 상태에 따른 투과도가 다름을 이용한 LCD.
TNI.
Clearing Point 액정 재료가 액체와 고체의 중간적인 상태에서 액체로 변화하고 투명하게 되는 온도.
TOC(Total Organic Carbon) 총 유기 탄소 물속의 Carbon 농도를 표시할 때 쓰임.
Tolerance 허용치(Specification Sense).
특성치의 허용할 수 있는 최대이탈, 또는 일정수준 내에서 허용할 수 있는 최대산포.
Tolerance Limits
허용한계(Specification Limits) products나 service의 개별단위에 대한 적합기준의 경계를 정의한 한계.
Toggling 디지탈의 신호가 "1" 혹은 "0" 상태를 반복적으로 되풀이 하는 상태.
Tooling Hole 기판의 제작이나 결합에 이용되는 홀.
Tooling Spec 셍신 제품의 전반적인 Information을 기록한 용지.
Topology(위상) Wafer 표면의 높고 낮은 층의 상태를 말함.
Torr l㎜Hg. 기압의 단위. (대기압=1기압=760Torr).
TPH(Thermal Print Head)
팩시밀의 감열 기록소자 이는 Computer Printer,전철,자동판매기,일반 Printer 등에 다양하게 이용됨.
TPM(Total Productive Maintenance)
설비의 최고효율화를 목표로하여 설비의 계획부문, 용부문, 보존부문등의 모든 부문에 걸쳐서 전원이
참가하는 소집단 활동에 의해 PM을 추진하는 것.
TQFP(Thin Quad Flat Package) Package 두께가 1.0㎜ 또는 1.4㎜이하인 QFP 반도체 제품.
TR(Transformer) 전기를 고압에서 저압으로 낮추는 변압기.
TR(Transistor) 트랜지스터.
Tr(Rise Time) 상승 시간.
Trace ablity of Standard 국가 표준 원기에 대한 하위급 계측기기 교정의 연결성.
Traic 3극 교류 제어용 소자.
Transfer
LCD에서 앞유리와 뒷유리를 전기적으로 도통시켜 주는 물질을 의미하고,반도체 공정중에 carrier 혹은
boat에 담긴 wafer를다른 carrier나 boat로 옮겨 담을 때 사용하는 기구를 부르는 말로 사용한다.
Transfer 공정
특정 Bay내에서 공정을 완료하고, 다른 Bay내의 공정을 목적으로 이동되는 반송 공정.
Transfer Collect Tape에 부착된 Die를 흡착시켜서 포켓마저 이송시키는 기구 테프론.
Transfer Pressure 수지를 금형 내에 넣는데 필요한 압력.
Transfer Print
Ni-beads를 유리 기판에 인쇄하는 공정으로 외부에서 전류를 인가시켰을 때 앞유리와 뒷유리를
연결시켜주는 역할을 하며 마이크로 펄에 니켈을 코팅한 것이 주로 사용된다.
Transfer System
반송장치 런(RUN)이 담긴 슈-박스(SHOE BOX)를 이동시키는 장비로써,공정이 끝난 Wafer를 다음 공정으로
이동시킬 때 사용.
Transfer Time 수지를 금형내에 넣기 시작할 때부터 완전히 들어갔을 때 까지의 시간.
Transition Time
Device에 사용되는 파형들이 특정 Level에서 반대 Level로 전환시 걸리는 시간으로 A.C특성 등을 측정후
측정치를 보정하는데 사용.
Transmissive Display
반사판에 반사된 자연광을 이용하는 방식이 아니고,후면에 부착된 backlight의 빛을 이용한 LCD.이 방식은
negative image에 적합하고 빛이 적은 곳에서 사용이 유리하다.
Translating(Compiling)
번역. 일반적으로 어떤 언어로 쓰여진 Program(원시 Program)을 그 Program의 동작을 바꾸지 않고
다른 언어의 Program(목적 Progrm,기계어)으로 변한하는 것.
Transistor
Emiter와 Collector사이 Base에 불순물의 농도에 차이를 두어 Base속에서 Carrier를 가속시키는 전계를
두어 고주파 특성이 좋아지게 만든 반도체 소자.기본적인 반도체 소자로서 Unipolar Transistor와 Bipolar
Transistor로 나누어지며,증폭,발진 검파 또는 스위치 작용을 함.
Transition 입자가 어떤 에너지 상태에서 다른 에너지 상태를 양자 역학적으로 이동해 가는 것.
Trap 캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대속의 에너지 준위.
Traveller Sheet
FAB-OUT된 wafer의 이력관리를 위해 해당 wafer에 시행된 Test 결과를 기록하며 wafer의 이동 및 현재
보관상태를 기록할 수 있는 양식.
Trench 용법
기억소자에서 콘덴서를 만드는 FAB공정기술중의 하나로 좁은 면적에 용량을 극대화하기 위하여,
도량처럼 Silicon 기판을 아래로 파서 표면적을 확대하여 콘덴서를 만드는 용법.
TRI-State 일반적으로 High,Low,Off(Hi-Z) 3가지의 출력 상태를 말한다.
Triac 3극 교류제어용 소자.
Triangular Voltage Sweep Method
Gate에 삼각 형 모양의 전압을 인가하여 온도 상승 상태에서 mobile ion이 oxide내에서 계면으로
이동되는 것에 의한 current에의해 gate bias에 따른 전류 곡선 모양이 변화하는 것으로써 oxide오염
상태를 check 하는 방법.
Triger
어떤 동작을 하는 능력이 있는 회로가 어떤 안정상태에 있을 때 이 회로를 동작시키기 위해 가해주는
자극 펄스.
Trim 절단.
Trim/Form Package의 각각의 lead를 분리하고 90°로 굽혀 I.C원형을 만드는 공정.
Trim Lines(절단선) 기판의 외각을 한정하는 선.
Trimming Lead
Lead frame에 molding을 한다음 resin수지가 채워진 부분인 deflash와 dambar를 자르는 작업을 말하며
이와 같은 금형을 "트림다이"라고 한다.
Tristate output 출력단의 전압신호 Level의 High나 Low상태가 아닌 High Impedance 상태.
True Position(原位置) 이론적으로 原來의 位置.
Truth Table(진리값 표)
입력이 '1'과 '0'의 여러 가지 조합을 취했을 때의 출력의 상태를 표로 나타낸 것.
TSOP(Thin Small Outline Package)
Package 두께가 1.0㎜이하인 SOP(SOIC)반도체 제품으로 P-DIP에 비하여 Package가 얇고 크기도 작아져
소형의 System에 널리 사용되고 있다.
T/S(Thermal Shock) "열 충격 시험"으로서, -60℃와 150℃에서 오가며 급격한 온도변화를 가하는 시험.
TS(Tensile Strength) 장력으로 끊어지는 정도를 표시.
TTL(Transistor Transistor Logic)
논리 회로의 한 종류로,Transistor와 Transistor를 직접 연결하여 구성하는 논리 회로 방식.
TTV(Total Thickness Variation) 최대 두께 편차(Wafer).
Tunnel Effect 에너지 Gap을 직접 빠져나가 전자가 충만대에서 전도대로 이동하는 현상을 터널 효과라한다.
Tunnel Oxide
Tunneling을 이용하여 program하거나,erase를 하는 소자에 쓰여지는 용어로서 electric field가 강하게 작용하는
drain 근방의 gate electrode 아래에 gate oxide 보다 얇은 oxide(통상 100Å 이하)를 성장시켜
이 부분을 이용하여 program하거나 erase를 한다.
Tunneling
역 Bisas된 PN집합 면이나, 얇은 Oxide 절연체위에 강한 전계에 의해서 Energy Band Gap을 electron이나
hole이 통과되는 현상을 말함.
Tungstern Silicide(WSi2)
MOS Transistor의 Gate나 전기신호 전달의 배선도체의 사용되는막질로서 Tungsten과 Silicon으로 이루워진
금속막.
Turn-Off Time TR이 ON에서 OFF로 바뀔때의 시간.
Turn-On Time TR이 OFF에서 ON으로 바뀔때의 시간.
Turn-On Voltagae
액정 셀에 인가한 전압을 올려 눈으로 감지해서 표시를 알수 있는 전압으로서 일반적으로 휘도를 포화
콘트라스트의 70%의 전압을 말한다.
Turnkey Design
두 회사에서 한쪽회사(A)는 장비및 시설을 제공하고 다른회사(B)는 Design을 제공하여 A사는 그것을 생산하여
B에게 되파는 형식의 Design.
TV RUN Test Vehicle을 사용하여 공정이 진행된 일련의 Wafer.
Tweezer
Wafer를 잡는 집게(통상 Vacumn Tweezer를 많이 사용함) Wafer나 시료를 취급할 경우 clean상태를 유지하기
위해 금속이나 테프론으로 만든 일종의 집게.
Twin-tub CMOS C-MOS 공정중 Wafer 기판에 P+-Well과 N--Well이 동시에 형성된 상태.
Twist Angle
배향처리된 액정 cell의 한쪽면 표면상의 액정분자의 다이렉터와 대응면상의 액정분자의 다이렉터와 이루는 각.
Type Ⅰ error
제 1종 오차.실제로는 받아들일 수 있는 공정을 받아들일 수 없는 공정이라고 잘못 판단할 확율.
Type Ⅱ error
제 2종 오차. 실제로는 받아들일 수 없는 공정을 받아들일 수 있는 공정이라고 잘못 판단할 확율.
|
