 R/A(Return Air) 실내에 공급되었다 회수되어 재사용되는 공기.
RACE(Research and Development in Advanced Communications Technologies for Europe)
Rack 도금걸이로서 도금 물체를 받치거나 전류를 통하게 함.
RAM(Random Access Memory)
원하는 정보를 꺼내어 쓸 수 있는 반도체 기억장치로 Computer의 기본 기억장치이며 명령에 의해
정보를 꺼내어 쓰거나 넣을 수 있음.
Ram Disk
Memory를 1MB로 증설한 System에서 DOS가 지원하는 640KB외의 384KB의 메모리는 그냥 소비하게
된다.따라서 384KB를 마치 하나의 드라이브처럼 사용하여 하드디스크나 플로피 디스크보다 월등한
속도의 디스크로 이용할 수 있다.
Ram Height 램덤 또는 플란저 하강시 이송변속점에서 상부 금형의 하단까지의 거리.
RAMDAC
Pixel Address 입력에 해당하는 RAM의 내용을 DAC를 통하여R.G.B Analog 출력으로 제공하는 Chip.
PC Graphic Board에 사용되는 Chip으로 화면에 Display할 color를 RAM에 저장하고 있다가 DAC를
통하여 해당 Analog 값으로 변환하여 출력해 주는 Device.
Randomization
Treatment 효과의 추정치를 실험오차의 영향에 독립적으로 제공하기 위하여 Treatment를 실험단위에
할당하는데 사용하는 절차를 말한다.
Randomized Block Design
난괴법.실험공간이 독립된 Block 내에서의 실험 단위들의 Block으로 세분화되는 실험법을 말한다.
각 Block에 있어서 처리는 실험단위들에 인위적으로 할당되는 각 Block에 대한 부분적 Random화를
통해 몇개의 Block들을 반복 처리한다.
R-Range
범위. data중 최대치에서 최소치를 뺀값을 범위라 한다.
R=X max- X min범위하는것은 그 자체가 변동을 내포하고 있지만 sample size를 고려한 factor(1/d2)를
곱하여 모집단의 표준편차를 추정하는데 이용하기도 한다.
Range(Rp) Ion이 기판에 충돌하여 일정 깊이 만큼 주입된 거리의 범위 (Projected Range)
Raster CRT 화면상에 미리 정해진 수평선의 집합형태.
R&D(Research and Development) 연구개발.
RDB Relational Data Base
수학적 용어인 relation(관계)에서 따온 것으로써 table 형식으로 DB가 보이는 것이 특징이다.
R&D Ratio(Research and Development Ratio)
1주당 연구개발비를 주가로 나눈 비율을 말한다.
이 비율이 크면 그 기업은 연구개발비에 힘을 쏟고있는 성장성이 높은 기업으로 간주된다.
Read-Modify-Write Cycle
컴퓨터 시스템이 메모리 제품에 대하여 데이터를 읽은후 곧 쓰기 상태로 전환하는 상태를 말함.
Real Mode
Real Address Mode에서 CPU는 20Bit Phy Address를 Generate 하여 1MB까지 Addressing이 가능하다.
8086 Mode라고도 하며 80286 CPU는 Real Mode를 포함하고 있다.
Recipe 장비가 어떤 material을 process하는데 필요한 rule이나 control data를 말한다.
Rectifier 주로 Diode와 같은 반도체 소자를 이용하여 교류를 직류로 바꾸는 전기적 장치.
Recombination
반도체에 전압을 가하거나 빛을 조사하거나 또는 소수 캐리어를 주입함으로써 열팽형 상태의 전도전자의
수보다 여분의 전자, 즉 과잉전자가 생긴다.
과잉전자가 충만대 속의 공(空) 레벨로 되돌아가서 소멸하는 현상을 말한다.
Rectifying Action(정류작용)
통전 방향에 따라서 전류가 흐르기 쉬운 정도가 다른 성질
즉 저항이 다른 성질을 정류작용 또는 정류성이라고 한다.
Redundancy
어떠한 Cell이 어디가 고장나도 그에 대신하는 것이 있어서 Chip 전체로서는 고장없이 동작을 계속할수
있는 것을 말한다.
Redundancy
회로 Chip의 수율을 높이기 위해 여분의 cell을 집어넣어 defect 된 cell을 여분의 cell로 대치하여
사용하는 것.
Reference Check 표준 Device를 이용하여 System의 안정상태를 Check하는 것.
Reference Price
EC에서 반도체제품의 수입에 있어서 덤핑여부를 판정하는데 기준이 되는 가격.산정방식은 수출제조원가 +
판매관리비 +수출부대비 +적정이윤 +현지법인비용이며 미·일 반도체 협정을 모델로하여
EC와 일본업체간에 체결되어 90년부터 시행되고 있다.
Reflectance(반사도) Film의 표면 반사도로써표면의 거칠음 정도를 표현한다.
Reflective Display
Backlight없이 자연광의 반사에 의해 표시하는 display 방식 이 display는 positive image에 적합하며,
후면에 반사판이 필요하고 아주 밝은 곳에서 유리하다.
Refractive Index 진공(실용적으로는 공기) 중의 빛의 위상속도와 매질중의 위상 속도와의 비
Refresh
DRAM에서 MOS FET의 게이트 용량에 축전된 전하에 의해서 WRITE-IN된 기억을 유지하는데 이 전하는
수밀리초내에 방전하여 없어지므로 항상 기억을 재생하여야 하며 이 재생하는 것을 REFRESH라 한다.
Register(기록) Data 정보, Address 정보를 일시적으로 기억.
Regression Analysis
회귀분석. 목적함수의 값을 최적화하기 위한 모형의 변수들을 추정하고 적당한 가상모형에 대한 통계적
유의성에 대한 예측결과를 검사하기위한 절차를 말한다.
Reject 생산용으로 더 이상 사용할 수 없는 Wafer나 Mask를 폐기 처분한다는 뜻.
Reliability
반도체 제조를 위한 어떤장치 얼마만큼 고장없이 주어진 기능을 수행할수 있는가를 또는 제품이 나타내는 것.
Reliability Index TR 등의 신뢰도를 나타내는 값.
Repair Data Pre laser repair test에 의해 생성된 repair 기능 칩과 Fail address data.
Repair 장비
Laser repair program을 이용하여 Repair data에 따라 Redundancy circuit의 fuse를 절단하는 장비임.
Repairable Memory
chip내의 fail bit수가 여분으로 만들어 둔 redundancy수보다 작아 fail 된 모든cell에 대해 spare cell로의
대치가 가능한 경우 이를 repairable 이라고 함
Repairible
Wafer 상태에서 각 소자를 Test한 후 임의의 Row 또는 Column 또는 Cell에서 불량이 발생 됐을 경우
여분의 Row 또는 Column으로 대체하여 양품으로 만들수 있는 소자를 일컫음.
Repair 회로 Algorithm 설계실에서 Redundancy 회로에 따라 작성된 것.
Repeating Defect(반복결함) Wafer에 어떤 결함 이 반복적으로 나타남을 말함.
Replication
반복 실험에서 비교될 일련의 모든 실험시행 조합의 반복을 말하며 각각의 반복을 "Replicate"라 한다.
Refresh
DRAM의 기억소자는 Capacitor로 되어 있어 저장된 정보가 일정시간이 지나면 손실되기 때문에 Data유지를
위해 일정 시간마다 재충전시켜 주지 않으면 안되는데 이를 Refresh라 한다.
Resin Recession
기판이 가열될 때 수지성분이 수축되어 도통홀의 각층과 벽을 현미경으로 볼때 나타나는 현상.
Resistance(부성저항) 부성저항이라고 한다.
Resistivity(비정항)
물질의 칫수를 1㎝의 입방체로 해서 측정한 저항을 비저항 또는 고유 저항이라고 한다.
Resistor Reticle
가장 기본이 되는 모판 Mask로서 보통 실제 반도체 Chip의 10배 크기인 기본 Mask로
Master Mask를 제작하는데 사용.
Resistration 기판의 다른층의 회로와 일치되는 위치의 정도.
Resolution(해상도)
사진 공정에서 Mask의 Pattern을 WF위의 감광액에 Pattern의 변형등이 없이 선명하게 전사할수
있는 능력.통상 현상후 Mask Pattern과 동일한 형태로 선명하게 형성되는 감광액 Pattern의
크기로 Resolution 능력을 표시함.
Response Surface
반응표면 실험 관측자로부터 유도된 가상모형에 근거한 예측결과의 형태를 말한다.
Response Time
단계별 응답에 있어서 출력신호가 최종치에서 특정 범위로 들어가기까지의 시간.ON시 목표로 하는
수준까지 도달하는시간. 보통 10%에서 90%까지 걸린 시간을 말하며 ON시 투과도가 90% 도달할
때까지의 시간을 rise time이라고 OFF시 투과도가 10%될 때까지의 시간을 decay time이라고 한다.
Retardation
굴절율 효과에 의한 정상광과 이상광의 위상차를 결정하는 변수로, 물질의 복굴절 n과 cell두께 d의
곱으로, 즉(n*d)로 표기.
Retest System 불안이나 Align 실수로 잘못 test된 Wafer를 다시 test하는 것.
Reticle
Mask와 동일한 의미로 쓰임.(Stepper에 사용되는 mask) wafer에 반도체 회로설계 pattern을 정착(가공)
시키기 위해 사용되는 노광용 원판(유리판)으로 한 장의 wafer에 여러번 나누어 노광한다.
Reverse(역방향) PN접합의 P쪽에 -, N쪽에 +의 전압을 가하는 방향을 역방향이라고 한다.
Reverse Tilt
액정층에 전압을 인가해서 액정을 전장방향으로 배향시킬때 그 배향 방향이본래 목적하는 방향과는
역방향의 배향 방향을 말한다.
Reverse Twist
트위스트 구조의 비틀림 방향이 우회전, 좌회전으로 규정된 것의 역으로 되어 있는 것.
Rework 재 작업.
RF(Radio Frequency)
고주파를 말하며, 건식 식각 공정에서 반응 Gas를 활성화 시키는데 이 고주파 전압을 사용하며,고주파를
발생하는 장치를 RF Generator라고 함.
RH(Relative Humidity) 공기중의 상대 습도를 말한다.
RGA(Residual Gas Analysis) 잔류 Gas 분석.
RI(Refractive Index) 굴절율.
Ri(Input Impedance) 입력 저항.
Rl(Load Resistance) 부하 저항.
RIE(Reactive Ion Etching)
건식 식각의 한 종류 Plasma Etching과 원리는 같으나 활성화된 Ion을 이용해서 화학적 및 물리적 반응에
의해 식각하는 방법.
Ring Oscillator
Library의 지연시간을 외부조건(input/output cell의 지연시간, package pin의 R.L.C 등)에 관계없이 정확히
측정하기 위해 구성한회로 주로 기본 Library인 Inverter,NAND, NOR에 대해 회로를 구성한다.
Rinse
순수한 물(DI Water)을 이용하여 Wafer 표면의 화공약품이나 먼지등을 없어지게 하기 위하여 헹구어 주는 것.
RISC(Reduced Instruction Set Computer)
컴퓨터의 기계적 명령 가운데 불필요한 것을 없애고 최대한 단순화시켜 놓은 컴퓨터 설계 기술.
Rise Time(상승시간)
TR의 스위치 특성을 나타낼 때 베이스에 입력 펄스를 가하여 Collector에 흐르는 출력 펄스 전류가 최대진폭
(최종값)의 10%로 되었을 때부터 90%로 되기까지의 시간을 말한다.
Risk Consumer's(β)
소비자 위험 주어진 sampling 검사에 있어서 합격으로 인정하고 싶지 않은 품질수준을 나타내는 수치로
표현된 Lot 품질의 합격확률을 말한다.
일반적으로 그 값은 한계품질수준(LQL) 값과 같다.
Risk Producer's(α)
생산자 위험. 주어진 sampling 검사에 있어서, 합격되기를 바라는 품질 수준을 나타내는 수치로 표현된 Lot
품질의 불합격확률을 말한다.
일반적으로 그 값은 합격품질수준(AQL) 값과 같다.
RMA(Return Material Authorization)
일종의 Claim으로 Customer로부터 일부 Sample을 입수하여 불량임을 확인후 발행되는 Clami인정 Sheet.
RMI(Raw Material Inspection) 원자재 수입 검사.
R/O(Reverse Osimosis) 역삼투압장치로서 초순수장치의 핵심이다.
Ro(Output Impedance) 출력저항.
ROM(Read Only Memory)
반도체 기억장치의 일종으로, 정보를 한번 저장하면 바꿀수 없고 항상 꺼내어 쓸수만 있는 기억장치.
Room Temperature Test 상온 상태에서 검사하는 것.
ROR(Ras Only Refresh) RAS가 Low로 되면 Refresh가 이루어지는 형태.
Rough Surface 표면 거침.
Round Cut Wafer 절단 방식의 하나로 Wafer를 따라가며 둥글게 절단하는 것.
Routing
① PCB 회로를 연결하는 것.
② PCB의 외형가공하는 방법의 일종으로 Drill로 PCB의 원하는 치수를 가공하는 방법.
Row성 Fail
Device Test 결과 일정한 X Address,변화하는 Y Address를 갖는 Cell들이 연속적으로 Fail된 경우.
Rp(Penetration Range) Implanter에 의해 불순물이 주입될 때 불순물이 뚫고 들어가는 길이.
Rs(Sheet Resistance) 표면 저항을 의미한다.
R.S(Resistivity) 초순수의 수질 중 전기전도성을 나타내는 용어로서 초순수중의 불순물 함유량을 나타냄.
RS-232 커넥터(9핀)
IBM사는 AT용으로 조합형 직렬/병렬 어댑터를 만들기로 결정하였을 때 이 두 개의 인터페이스 어뎁터가
표준 ISA 인터페이스 카드 위쪽에 들어갈 수 있도록 작은 형태의 커넥터가 필요하였다.
병력 커넥터는 축소될수 없기 때문에 직렬 커넥터가 축소되었다.
결과적으로는 RS-232C용으로 9핀이 사실상의 산업표준이 되었으며, 9핀은 다음과 같이 할당된다.
1. 캐리어 감지
2. 데이타 수신
3. 데이타 전송
4. 데이타 터미널 준비
5. 그라운드
6. 데이타 세트준비
7. 송신요구
8. 송신클리어
9. Ring Inicator
RTC/C MOS RAM
Time과 Data를 저장시켜 내부에 포함된 CMOS RAM에서는 System의 구성내용,예를 들면
Diskette Drive Type, Fixed Disk Type, Expansion Memory Size, Extened Memory Size 등 정보를
저장하고 있어 Booting 때마다 Set-Up시켜주는 불편을 없애준다.
RTF(Return to Forecast) Customer의 Forecast에 대한 Commit를 의미.
RTH(J-a)Thermal Resistance(Junction to Ambient) 접합과 분위기간 열저항.
RTH(J-c)(Thermal Resistance(Junction To Case)) 접합과 Case간 열저항.
RTI(Read time Inspection) FQA Sampling 검사에서 걸리는 실제 시간.
RTL(Resistor-Transistor Logic) 저항과 Transistor를 연결해 만든 NOR 회로.
RTP(Rapid Thermal Processing)
주로 텅스텐 할로겐 램프를 이용하여 짧은 시간에 비정질 실리콘을 가열하여 아닐링함으로 poly-Si으로
재결정화 하는 공정.
RTV(Room Temperature Vulanizing)
상온 고무화 도포액의 경화 방법의 하나로서 25℃상대습도 60% 이상 고온에 방치하므로써 고화시키는
방법.
Rubbing
액정 분자를 일정 방향으로 배열시키기 위해 나일론이나 면(cottom) 등으로 포리이미드면을 문지르는
방법.
Run
Wafer를 Process하기 위하여 일련의 묶음(보통 25장)을 1Lot로 구성하여 제조공정에 투입되어 마칠때
까지 여러 공정을 차례로 마치 물이 흘러가듯이 흐른다는 의미에서 쓰여지는 말.
RUN Sheet
한 Run의 이력을 기록하는 일종의 문서로서 해당 RUN의 각 단위 공정에 대한 진행사항을 기록한 양식이며,
Fab-In 시점부터 Fab-Out 될 때까지 해당 RUN에 대한 공정진행 순서 및 장비 Monitoring Data를 Manual로
기록하여 놓은 품질 문서.
RUN Split
RUN 진행시 제품의 특성개선 문제,문제공정의 제어등의 목적으로 기존 공정과는 다른 공정조건 및 장비
또는 다른 작업 순서를 해당 RUN의 일부 wafer에 분리하여 적용한 다음 이를 다시 합쳐서 추후 공정을
진행하는 공정 진행방식.
RZ(Return to Zero)
신호의 전주기 내에 Pattern을 Data "1"과 "0"에 따라 신호의 전주기동안 Palse가 생성되는 파형.
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