 G-Line Stepper
사진공정시 사용되는 가시광선의 광원중 자외선 영역의 436nm 파장을 갖는 사진 장비.
GaAs(Gallium Arsenide)
화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며,고주파에서의 이득과 대역폭 특성이 양호하여 차세대에
Silicon 대신 많이 이용되는 물질.
Gallium Phosphide(칼륨인)
주기표 제Ⅲ측에 속하는 칼륨(Ca)과,제Ⅴ족에 속하는(P)의 금속간 화합물로서 반도체로서의 성질을
가지고 있으므로 금속간 화합물 반도체라고 한다.
Gas Scrubber
공기나 Gas중의 불순물 또는 분진을 물의 분사나 수막에 의하여 씻어 내리는 장치.
Gate
1) 논리회로에서 몇 개의 Transistor를 조립하여 만든 계수형회로를 말하며, 2진 정보가 입력의 조합에
의해 형성되는 논리 회로.
2) 반도체 장치에서 MOS Transistor에 입력을 가하기 위한 단자로서 Bipolar Transistor의 Base에
해당하는 단자.
Gate Array
논리소자인 NOT-Gate,AND-Gate,OR-Gate,NOR-Gate,NAND-Gate 등의 구성이 되어있거나,구성할 수
있도록 Transisitor가 필요한 양만큼 만들어져 있는 Logic 소자로서 주문형 소자로 많이 사용됨.
Gate oxide
TR이 형성되기 위한 제 2의 요소, insulator 역할을 하며, MOS TR의 Gate 밑의 유전체로 사용.
GD Mark(Good Design Mark)
우수 디자인 마크.Gel 고분자 용액과 콜로이드 용액이 고화되어 제리상의 탄성을 갖는 고체로 된 것을 말한다.
Gel Time
프리프레그레진이 가열되어 고체에서 액체상태를 거쳐 다시 고체로 변환되는데
소요되는 시간을 초로 표시한 것임.
Germanium 게르마늄. 잘 알려진 반도체 재료중의 한가지.
Gettering(게터링)
소수 캐리어의 수명개선, 접합에서의 누설전류를 줄이는 것, Si-SiO2계 면에서 여러 가지 전하의
영역을 줄이는 것들을 말하며 아직 제대로 이해되지 않은 영역이다.
GIDL(Gate Induced Drain Leakage)
얇은 gate oxide를 사용한 소자에서 breakdown voltage 이전에서 drain과 substrate간에 leakage current가
발생되는 것이 관찰되는 데 이는, gate와 drain 사이의 field에 의해 drain 부위가 deep depletion되면서 band의
급격한 휨이 일어나게 되고,전자의 band간 tunneling에 의해 drain junction을 빠져나간후 inpact ionization에
의한 EHP를 생성시켜 전자는 drain에 hole은 substrate로 빠져나가 leakage current를 형성하게 된다.
GIGO(Garbage In Garbage Out)
컴퓨터 또는 Data Base에 과다 의존하는 것에 대한 경고의 의미로 Input Data가 좋아야 좋은 분석이나 결과를
얻을 수 있음을 나타낸다.
Glass Substrate
아몰퍼스 실리콘용 트랜지스터 기판에는 무알칼리 유리가 이용된다.
알칼리이온에 의한 트랜지스터의 오염을 방지하기 위해서다.
Gm(Transconduction)
Gate와 Source 사이의 전압 변화에 대한 Drain 전류의 변화 정도를 나타내는 양으로, Bipolar
Tr의 증폭도(β)에 해당함.
GN2(General N2) 용역동에서 생산되어 라인 장비에 직접 공급되는 N2 주로 Purge용으로 사용됨.
GO/NO-GO TEST
제품검사시 각 항목이 규격에 합격(pass)인지 불합격(fail)인지 판정하여 다음항목을 검사하고(GO)
불합격이면 다음검사를 하지 않고 (NO- GO) 끝나는 검사방식으로 주로 양산검사시 많이 사용한다.
Wafer에서의 Die나 Package를 이용하여 그 Device의 양/불량을 판단하는 Test를 말한다.
일반적으로 이때 사용하는 Test Program은 생산용 Program이다.
GOI(Gate Oxide Integrity)
Gate Oxide의 품질정도를 말하며,전압을 증가하면서 누설전류가 파괴전류가 될 때의 전압(BV, 파괴전압)
으로 나타내다.
GOI 측정
System으로는 In-Line Diffusion 공정中 Oxidation 공정(ex: Init Ox, Sac Ox, Gate Ox. . etc)에 대한
Tube, Recipe, W/S 등의 상태를 점검하기 위하여 측정하는 Electrical Stress Test로써
통상 HP System 또는 Kethley 236 System 등으로 구성된다.
GOI BV Test
일련의 GOI 측정 방법으로써 Voltage Forcing Current Measuring으로 Gate Oxide Break Down Voltage를
측정한다.
GOI CUM Graph
GOI측정 Data를 Normalized Gaussion 분포 Graph에 올려서 분석하는 통계적 분석용 Graph.
GOBI(Get off Burn-in)
Infant mortality의 일정 goal을 설정하여 그 goal을 만족하였을 경우의 burn-in을 말함.
Grade Junction
PN 접합은 하나의 반도체 단결정 속의 P형으로부터 N형으로 바뀌는 부분이다. 이 P형에서 N형으로
바뀌는 모양의 불순물 농도가 P형에서 N형으로 완만한 경사를 가지고 변화하는 것을 경사상 접합이
라고 하며 확산형 접합이 이것에 해당한다.
Graeco-Latin Square
그래코 Latin 방격. 4인자중의 어느 한 인자의 수준과 다른 세 인자의 수준의 조합들이 한번에 하나씩만
발생하도록 구성된 4인자 실험 계획법을 말한다.
Grain(미세입자) 결정을 구성하는 가장 기본적인 조직을 의미한다.
Grating
Clean공조방식 중 Down Flow Laminar Unit의 공조 흐름 유도용으로,Floor에 구멍을 뚫어 공기가 빠져
나가도록 한 것.
이는 Access Floor 형식의 바닥구조에서 쓰일 수 있음.일반 바닥 겔러리와는 다르므로 구별되어야 함.
또한 이것은 Aluminum으로되어 있어 정전기를 방지함.
실내의 차압을 유지시키고 공기 유동을 원활하게 한다.
Grid 인쇄기판상에 어떤 지점의 위치를 표시하기 위하여 직교되는 선.
Ground Gate(게이트 접지)
전계효과TR(FET)에는 트랜지스터나 진공관과 같이 3가지 접지방식이 있으며 GATE를 입출력의
공통전극으로 하는 회로를 공통 게이트 (Common GATE)라고 한다.
공통 전극은 보통 교류적으로 접지하기 때문에 이것을 게이트 접지라고도 한다.
Grown Junction Diode(성장접합형 Diode)
성장접합에 의해서 PN 접합을 형성시킨 접합형 다이오드의 일종이다.
GSP(Group Sampling Plan) 소량 lot를 합쳐 대 lot로 구성하여 Sampling하는 제도.
Guard Ring(가아드 링)
PNP 실리콘 TR을 플레이너 구조로 만들 때 P형 콜렉터 표면의 일부가 N형으로 변화하는 채널의
현상이 있어서 보호작용이 불완전해지는 결점이 있어 MOTOROLA사가 이 문제를 해결하기 위해
정규의 콜렉터·베이스 접합의 바깥쪽을 환상의 P형 영역으로 둘러싸서 콜렉터에 채널이 생성되는
것을 차단하는 방법을 고안해냈다.
이 P형 영역은 매우 높은 농도로 확산함으로써 이 부분에 채널이 생기지 않도록 하기때문에
트랜지스터로서 동작하는 부분은 완전히 산화피막의 아래에 들어가 버려 노출하지 않게 된다.
이 방법을 가이드링 또는 밴드 가아드(BAND GUARD)라고 부른다.
Guard Rings
CMOS 경우 기생적으로 형성하는 Latch- up 현상 발생을 억제시켜주기 위해 넣어주는 pattern으로
둘레를 따라 Ring처럼 만들어 준다.
Guest-Host Effect
액정 재료에 다색 색소를 혼입한 것은 액정 분자가 전계 인간에 의해 그 배열 방향이 바뀌는
것을 이용해서 색소 분자의 배향을 바꿀 수 있다.
이것에 의해 전계 인가로 액정 셀의 색을 변화시킬 수 있다.
액정 재료를 호스트, 색소를 게스트라 한다.
GUI(Graphical User Interface).
Gunn Effect
N형 GaAa 결정의 양단에 OHMIC 접속을하여 이 단자간에 직류전압을 가하고 그 전계를 차츰 증가시켜
가면 전류와 전계의 관계는 직선에서 벗어나 구부러지기 시작하며, 전계가 3000V/Cm 정도의 한계값을
넘으면 갑자기 전류가 진동을 하기 시작하여 마이크 로파를 발진하는 현상이 일어난다.
이것을 Gunn Effect라 한다.
GY(Grave Yard) 야간 근무.
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