 I-Line Steeper
사진 공정시 사용되는 가시광선의 광원중,자외선 영역의 365㎚의 파장을 갖는 사진 장비.
Iagc(AGC Current) AGC 전류.
Ib(Base Current) 베이스 전류.
IC(Collector Current) 콜렉터 전류.
IC Memory
종래의 자성체 대신에 바이폴라 TR이나 MOS TR로 F-F를 구성하여 기본 Memory(Cell)를 만든 IC회로.
IC 카드(Integrated Circuit Card)
집적회로(IC)를 내장한 카드의 명칭 종래의 카드에 비해 기억용량과 안전성이 한층 향상되어 금융, 유통,
의료 등 응용분야가 넓고 다기능적인 역할을 가진 다음 세대의 카드로 기대된다.
Icc(Circuit Current) 제품공급 전류.
ICCE(International Conference on Consumer Electronics)
ICE(In Circuit Emulator) Program 개발시 전 Debugging 과정을 통제하는 H/W System.
ICOT(Institute for new Generation Computer Technolgy)
일본에서 82년 차세대 컴퓨터를 개발하기 위해 설립한 연구소.
IC Tester(집적회로 검사장치 Integrated Circuit Tester)
출하직전 IC의 전압이나 저항등의 전기적 특성을 검사하고 불량품을 제거하는 장치.불량품과 양품(良品)을
자동적으로 구별하는 ATE(Automatic Test Equipment=전자동검사장치)가 주류를 이루고 있음.
ID-TV(Improved Definition TV)
현행 TV 방식에서 수상기만을 개조하여 고화질을 추구한 방식.가격 경쟁력이 없어 향후 제품으로서의
방향은 불투명한 상태임.
IDP(Integrated Data Processing)
EDPS(전자정보처리시스템)
방식을 더욱 발전시켜 지역적으로 분산해서 발생하는 데이터를 집중처리하는 방식.
I·D Card(Indentification Card) (소지인이 누구인가를 가리키는) 신분 증명서.
Ids MOS TR에서 동작시 Source와 Dran간에 흐르는 전류.
Ie(Emitter Current) 에미터 전류.
IEC(International Electrotechnical Commission) 국제전기 표준회의.
IEC(Integrated Equipment Computer)
앞으로의 집적회로가 지향하는 추이로서,모든 장비의 기능이 하나의 반도체 집적회로로 구성되는 것.
IEEE(Insitute of Electrical and Electronics Engineers)
미국의 전기 전자 공학회로서 전세계에 회원이 분포되어 있고,각종 학술관계 간행물을 발간하고 있음.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors).
IGFET(Insulated-Gate-Field-Effect-Transistor) (MOSFET의 다른 명칭).
I2L(Integrated Injection Logic)
저항 대신 Bipolar Transistor 형태의 구조인 PNP형 Transistor 부하와 역 동작을 하는 NPN형
Transistor를 이용한 논리회로로 전력소모가 적고 속도가 빠름.
I3L(Isoplanar Integrated Injection Logic)
I2L의 개량된 기술로 이루어진 논리회로로,각 소자사이를 산화막으로 격리시켜 집적도를 상승시킨 것.
ILT(Infant Life Test) 초기수명시험(신뢰성) 48시간 Burn In과 같음.
Image Sticking(잔상)
동일 화면을 장시간 켜 두었을 때 화면이 바뀌어도 상이 남아있어 오랜동안 없어지지 않고 남아있는 것
을 말하며, ghost 효과라 한다.
IMO(Inter Metal Oxide)
Multi Level Metal Process를 적용하고 있는 공정에서,각 Metal Layer간의 절연을 위하여 사용되는
Oxide를 말함.
주로 Low Temperatare에 의한 PECVD Oxide(TEOS 및 SiH4계)가 사용.
Impact Ionization
고체격자 내에서 Electric field에 의해서 가속된 electron과 atom이 충돌하여 electron-hole Pair를
생성시키는 현상을 말함.
Implanter(이온 주입기)
불순물을 강제로 Wafer에 주입시키는 장치로써 고전류, 중전류,저전류 이온 주입기등 3 종류가 있다.
Implanting(이온주입)
Wafer 내부로 B(붕소)나 P(인) 등을 Implanter를 이용해 주입시키는 것을 말함.
Impurity 반도체의 전기흐름에 기여하는 각종 원소를 말하며, P형과 N형 불순물로 나눔.
P형 : B, Al, Ga, In 등
N형 : P, As, Sb 등
Incomplete Block Design
불완비 Block 계획법.실험공간이 실험의 반복 수행에 필요한 실험단위가 모두 포함되어 있지 않은
Block 상태로 분리되어 있는 실험계획법을 말한다.
In-Control Process 평가되고 있는 측정치가 통계적 관리상태에 있는 공정.
Index Feeding
작업대 위에서 작업을 하거나,작업이 종료된 Lead Frame이나 이송되는 자재를 이동시키는 것.
Index Register 메모리내의 Address를 지정하기 위한 Register.
Induced Cholesteric Phase
네마틱상에 액정상을 갖는 광학 활성인 카이랄 분자를 가하면 콜레스테릭상이 나타난다.
이를 유도 콜레스테릭상이라 한다.
Induced Smectic Phase
혼합 액정에 있어서 제각기 성분 단독으로 스메틱상을 만들지 않는 경우에도 혼합계에서는 어떤 성분비의
범위로는 스메틱상을 만드는데,이를 유도 스멕틱상이라 한다.
Indum arsenide InAs, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중의 하나임.
Initial Oxide
Si과 Nitride가 상이한 열팽창 계수를 갖고 있어 이로 인한 Tensile Stress(1×109 DYNE/㎠)로 인해 이후
열처리 공정에서 결정결함의 발생 확률이 높으며,이의 방지를 위해 사용하는 Buffered Oxide의 구실을 한다.
또, 이 Oxide의 두께는 향후 Bird's Beak에 영향을 끼치기도 한다.
Injection(주입)
PN 접합면에 있어서 각 영역의 다수 캐리어가 반대쪽 영역으로 소수 캐리어로 되어 흘러 들어가는 현상.
Ink 불량을 표시할 때 사용도는 액체.
Inker Wafer 검사시 불량품에 Ink를 찍는 장치.
Inking
Package 공정에서 양품의 제품에 대해서만 Package하도록 Wafer 상태에서 불량인 제품에 대해 Inking을하여
양품과 불량품을 나누는 공정.
Inorganic Filter
특별한 파장의 빛에 광학적 간섭이 강하게 나타나도록 무기물을 사용하여 얇은 막을 만들어서 광을 통과시켜
착색하는 방법.
Inprocess Inspection 공정중의 결함(defect) 유무를 검사.
Input Buffer 외부 Signal에 대하여 반도체 소자내부의 Voltage Level에 맞도록 조정하여 받아들이는 회로.
Logic Level이 결정되는 Logic Low라고 인식하는 최고 전압이 가능한 높은 전압을 갖는 것이 바람직하다.
Input Level Device에 가해주는 외부 파형들의 전위로서 Device가 특정상태(High, Low)를 인식하게 딘다.
INSEC(International Semiconductor Cooperation Center) 반도체 국제 교류센터(일본).
Inspection(Normal)
보통검사.공정이 합격품질수준 또는 그보다 다소 나은 상태에서 진행되었을 때,sampling법에 의해 적용되는
검사를 말한다.
Inspection(100Percent) 전수검사.Lot 혹은 Bath 내의 모든 단위체를 검사한다.
Inspecion(Rectifying)
선별형 검사.불합격 판정된 Lot이나 Batch에서, 특정 수 또는 모든 단위체에 대한 검사를 실시하는
동안 불량품의 교체 및 제거하는 검사를 말한다.
Inspection(Tightened) 까다로운 검사. 정규(보통) 검사에서 적용했던 기준보다 더 엄격한 합격판정
기준을 사용하는 sampling 검사방법을 말한다.
까다로운 검사(Tightened Inspection)는 제시된 품질수준이 상당히 나쁠 때,불합격 Lot의 확률을 증가시키기
위한 보호수단으로 사용된다.
Insulator 도체와 도체를 연결시켜 주는 부도체 물질을 말함.
Interaction
교호작용. 하나이상의 인자의 각 수준들에 있어서,한 인자의 각 수준에 대한 결과를 세밀히 비교하기 위한
측정치(방법)를 나타내는 말이다.
Inter-bay Bay와 bay간 물류이동을 말하며 clean way(AGV, Track)가 많이 사용되고 있다.
Interface
Amp 및 Computer 등에 사용되는 것으로서,주변기기를 서로 연결할 때 동일한 조건으로 상호 교류가
가능하도록 해주는일종의 신호변환 장치.
Interface Trap Charge(Dit or Qit or Nit)
Silicon과 SiO2 계면 사이에 존재하는 State로써 불순물이나 Radiation Damage,Lattice
격자 결함 등에 의해 발생된다.
이 Charge들을 Fast Surface State라고도 한다.
Interlaced Scan
모니터 혹은 TV 등의 화면 Scanning에 관한 주사방식으로 주사할 화면에 대하여 상단부터 하단까지 홀수
화면과 짝수 화면으로 구분하여 주사하는 방식.(참조 : Non-Interlaced)
Interleave Mode
메모리 사용속도를 높이기 위해 사용하는 메모리 Read/Write에 대한 방식이며 System 전체의 성능을
향상시킨다.
이 방식은 2개 이상의 메모리 Access가 이루어지는 동안 다른 Bank는 Rrecharge Time동안 RAS 신호를
Active시켜 메모리 Access함으로써 메모리 사용속도를 높인다.
Inter Metallic Compound(금속간화합물)
두종류 이상의 금속이 결합하는 일종의 화합물로서 그 결합비율이 일정한(MOL)비로되는 점이 합금과 다르다.
Internal Clock Switching
CPU에 공급되는 CLK의 Speed를 High에서 Low로 Low서 High로 전환하는 것으로 Seat CHIPSET에
서는 CLK 2IN과 AT CLK에서 하나를 CLK Source로 선택 사용하여 CLK 주파수를 변환시킨다.
Internal Memory(내부 메모리)
전자계산기에 있어서 사람의 손을 거치지 않고 자동적으로 이용할 수 있는 메모리. 레지스터,콘트롤 메모리,
메인 메모리를 가리킨다.
Intra-bay Bay 안에서 장비간 물류이동을 뜻하고 AGV나 track이 사용된다.
Intrinsic
P형 혹은 N형의 전기적인 성질을 나타내지 않는 것을 나타내며,이러한 영역에는 P형 혹은 N형의 불순물이
없거나 동일한 양의 불순물이 있어 서로 상쇄되어 전기적인 성질의 나타나지 않는 영역을 나타냄.
Inversion MOS FET에서 Gate전압에 의해서 생긴 P→N-type 변환이나 N→P-type 변환을 말함.
Inversion Wall(반전벽)
열 평형 상태에서도 질서상이 체계 전체에 걸쳐 존재 하지 않고,어느 정도 축된 상태가 공존하여 존재하는
경우가 많다. 이러한 상태간의 경계를 벽이라 하는데,여기의 좁은 뜻으로는 위상 만큼 차이나는 상태간의
벽을 의미한다.
Inverted Staggered(역적층)
비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 주로 이용되는 구조로 게이트 전극이 제일 밑에 있고 소오스와 드레인
전극이 활성층 위에 존재하는 구조를 말한다.
Inverter Digital Circuit에서 1→0, or 0→1로 변환시키는 회로.
I/O(Input Output) 정보를 전달하거나 수신하는 곳 또는 입출력 장치를 말함.
Ion Beam Lithgraphy
기존의 Optic, X-ray,electron beam을 이용하는 방법보다 더 발전된 형태의 Lithography 방식으로서 보다
정밀한 해상도를 얻을 수 있음.
Ionizer
이온, 이온을 순차적으로 발생시켜 대기중에 발생된 정전기를 제거하는
장치(대전물에 존재하는 이온을 중화시킴).
Ion Implantation
반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록 반도체 기판 위에 필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을
물리적으로 주입하는 것.
Ion Injection
Silicon 등에 확산법에 의해 불순물을 넣어 주는 것이 아니라 Ion을 쏘아서 원하는 깊이,원하는 갯수만큼의
불순물을 주입하는 것.
Ion Shell(이온각) 최외각 전자를 제외한 나머지 전자와 원자핵의 결합.
Ionization Energy(이온화 에너지) 원자를 이온화하는데 필요한 Energy.
I·R Oven 적외선 오븐.
IPA(Iso Propyl Alcohol) 세정하거나,휘발성을 이용하여 건조시킬때 사용되는 화학물질임.
IPO(Inter Poly Oxide) 도체인 Poly Si과 Poly Si 사이의 절연을 위한 oxide.
ISA(Industry Standard Architecture) 원형 PC와 AT 컴퓨터에서 사용되는 버스신호와 Timing에 관한 것.
IS/B(Secondary Breakdown Current) 2차 항복 전류.
ISDN(Integrated Services Digital Network)
전기통신망(電氣通信用)의 장래 형태로서 전기, Facsimile,화상, Date, 전보,Telex 등 복수 서비스를 제공할
수 있는 종합적인 Digital 교통망을 ISDN(=Digital 종합 통신망)이라고 부른다.
ISO(International Standardization Organization) 국제 표준기구.
ISO-Planar Planer 보다 평탄하게 형성시킬 수 있는 기술.
Isolation
반도체 집적회로는 한 Chip속에 TR, Diode,저항 등의 회로소자를 조립해 넣으므로 이들 소자를 먼저 각각
분리하여 고립된 상태를 만들어 놓는데 이를 Isolation이라 한다.
Isolation Diffusion
일반적으로 N형의 Epi층을 통하여 P형 Substrate까지 통하도록 진행함.같은 유형의 Epi층 위에서 다른
전기적 성질을 갖는 영역들을 고립시키도록 하는 목적으로 사용됨.
Isolation in IC 반도체 집적회로에서 소자끼리 전기적으로 영향을 받지 않도록 하는 것.
Isotropic 물질의 성질이 방향에 따라 다르지 않는 것.액정 물질은 TNI 온도이상이 되면 등방성이 된다.
Isotropic Etching 등방성 식각.식각 반응이 수직 및 수평(측면)양 방향으로 진행되는 식각 형태.
Isotropic Phase(등방상)
물질이 거시적인 물리적 성질이 방향에 따르지 않을 경우,그 물질은 물리적 성질에 대해 등방적이라고
하며, 외부의 장이 존재하지 않고 열 평행 상태에 있는 모든 물리적 성질에 대해 등방적일 때,그 상태를
등방상 이라 한다.
이는 가늘고 긴분자 구조에서 분자의 축 방향과 직각 방향에서 물리적 성질을 달리하기 때문이다.
Isotropic Texture(등방성 조직)
일정한 수직 배향구조의 네마틱상이나 스메틱 A상 등은 편광 현미경하에서 광학적으로 마치 등방성과 같이
보이기 때문에 그와 같은 배향 구조의 조직을 등방성 조직이라 한다.
ISU(Internatinal System of Units)
ITO(Indium Tin Oxide)
전기 전도성을 가진 투명도전막.인듐과 산화 주석의 화합물 (In2O3, SnO2)로 된 막으로 주로 스파터링
방법으로 만듬.
ITR(Inspection Trouble Report)
공정상의 Monitor를 통하여 일정한 Criteria 이상으로 발생하였을 경우, 이 Report가 issue되며,
그와 관련된 공정을 Shut-down하여 Corrective action이 완료된 후 정상 가동 가능.
ITU(국제전기통신연합 International Telecommunications Union)
국제연합의 전기통신 전문기관,범세계적으로 주파수 할당,무선방송의 규제 표준화된 통신절차 및
규격을 정하기 위해 설립.
IV Group Element 원소 주기표에서 원자가가 4가인 원소,게르마늄, 실리콘 등.
IWS(Intel Workmanship Standard) Operator의 Visual 작업표준.
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