 N+
N형 반도체에 있어서 특히 도우너 불순물의 농도가 높은 부분이 있다는 것을 나타낼때 N+를 사용한다.
N-
N형 반도체 영역에 있어서 불순물 농도가 특히 낮은 부분을 나타낼 때 쓰인다.
Nail Heading 다층기판의 내층회로에 있어서 홀드릴에 의하여 회로가 퍼진 상태.
NAND 논리회로중 논리 부정 회로와 AND 논리적 회로를 하나로 만든 것.
Nano 단위(10의 -9승).
Nano Line
빛의 간섭효과를 이용하는 것으로 입사광의 파장변화에 따른 반사광의 Intensity를 측정해서 박막의
두께 및 반사도를 측정하는 장비.Wafer의 CD 값을 측정하는 기구로써,사진이나 식각 공정에서 사용
Nano Spec
Wafer위에 입혀진 물질의 두께를 측정하는 장비로서,확산,박막,사진,식각공정에서 사용.
Narrow Width Effect
MOSFET의 TR width가 작아지면서 Threshold voltage가 증가하는 현상을 말하며,이는
Gate induced space charge의 일부가 fringing field에 의해 작아지므로 같은 양의
depletion charge를 얻기 위해서는 voltage가 증가해야 하는 것과 channel stop dopant
및 bird's beak에의해 activeedge쪽 gate 아래 substrate가 상대적으로 high density,
thick gate oxide 양상을 보이는 것으로 설명될 수 있다.
National Reference Standard
원기에 의하여 교정되는 표준기기로 2차급의 표준기기를 교정하는데 사용되는 것.
National Standard
계측 분야별 7개 기본 단위 유도단위 및 기타 특수단위에 대하여 최고 정도를 갖는 국가의 현시용
및 유지용 표준기기.
Navigation TFT-LCD
LCD의 일종으로 항법 장치에 사용되는 디스플레이로 경량, 박형이며 인명에 관계된 것이기 때문에
고신뢰성이 요구된다.
N- Channel
P형 기판에 확산 영역을 형성한 절연게이트형 FET에 있어서 소오스,드레인간을 흐르는 전류의 통로인
채널이 전자에 의해서 형성되는 것을 N-Channel이라고 한다.
NC(No Connecton) 아무것도 접속하지 않는다는 것을 나타냄.
Neat Phase
일반적으로 물을 그다지 함유하지 않은 표면 활성제, 비누,복합지질 등의 계가 두 개의 분자층 사이에
균등하게 물을 함유한 Lamella 구조의 상태를 말함.
Necking Interconnect line이 가늘어지는 현상.
Negative LCD Normally black라고도 하며 검은바탕에 흰문자가 나타난다.
Negative Resistance
전압을 증가시킨 경우 전류가 감소하는 특성이 있을때 Negative Resistance라고 한다.
지금까지 알려진 부성 저항은 어떤 한정된 전압 범위에서 발생하며 전압을 계속 증가시킨다고 해서
전류가 계속 감소하는 것은 아니다.
NEMA(National Electrical Manufacturer Association)
미국 전기 제조자 협회. EIA(전자공업회)와 합동으로 JEDEC 설립.
Mematic LC
분자의 장축을 대개 일정방향으로 배향하고 분자의 중심이 랜덤하게 분포되어 있는
역동성(易動性)을 가진 액정.
NET(Normes Europeennes de Telecommunications) 유럽 전기통신규격.
Net Die Wafer 內에서 실제로 만들어지는 Total Die 수.
Netlist
회로 설계가 끝난후 Simulation 혹은 layout을 하기 위해 그려진 회로도에서 사용된 소자 종류,크기,
소자와 소자의 연결상태,그리고 Signal name이 추출되어 수록된 file.
Nibble 4Bit로 이루어진 단어.
Nibble Mode
컴퓨터 시스템이 데이터를 Access하는 중 Past fage mode의 변형 형태로서 스피드 개선을 목적으로 만들
어짐시스템이 1개의 데이터 Access signal을 발생시 4개의 데이터가 연속적으로 출력되는 상태를 말함.
N-Butyl Acetate Rinse 용액으로 현상(Develop) 후 녹은 감광액을 없애는데 사용.
N-CH Field Implant
Field Region의 VT를 증가시켜 Cell과 Cell간의 절연성을 높이기 위하여 Field Oxide가 성장할 부위와
같은 종류의 ION을 주입한다.
NICS(Newly Industrializing Conntries)
신흥공업국 또는 중진국. 1970년대를 통해 개발도상국 가운데 금속한 공업화를 이룩하여 GNP에서 차지하는
공업점유율이 25∼45%로 거의 선진공업국에 가까운 비율에올라선 나라를 통칭하는 말이다.
NF(Noise Figure) 잡음지수.
Nitride
유전상수 및 밀도가 높은 Amorphous 상태의 절연막으로 실리콘의 PN 접합 표면을 안정화하는 방법의 하나.
반도체 용어로는 주로 질화 실리콘(Si3 N4)을 가리킨다.
Nm3 0℃, 760mmHg 때의 가로 1m, 세로 1m, 높이 1m 크기의 기체의 부피.
NMI(Non-Maskable Interrupt)
NMI는 메모리에 문제가 발생할 경우 CPU에서 처리를 요구하는 신호이며 Interrupt Mask의 영향을 받지 않는
가장 높은 우선 순위있는 Interrupt이며 Parity Error 발생시 NMI가 발생된다.
No Calibration Required 교정검사가 요구되지 않은 계측기기.
Node 마디.
Nodule 작은 돌출부·평탄해야 할 Si표면에서 Si이 석출되어 위로 올라온것.
Noise(Useless Signal) 불필요한 신호(잡음).
Noise Test
잡음, 어떤 System이나 회로 등에 정규의 신호(원하는 신호) 이외에 혼입하는 모든 신호(전압, 전류)
성분을 말함.
Noise Immunity(잡음 여유도) 논리 진폭에 대한 잡음 여유의 크기를 %로 나타낸 것.
Noise Margin(잡음 여유)
논리회로에서는 전압의 고저에 따라서 1과 0을 정하고 있는데 잡음이 발생하면 전압 Level이 변동하여
'1'과 '0'이 바뀌고 말기 때문에 이것을 방지하기 위하여 논리전압이 여유 (Margin)를 갖게할
필요가 있는데 이를 잡음여유라 한다.
N-MOS MOS TR의 한 종류로서,음전하인 전자에 의해 Channel 전류가 형성되는 반도체.
Nonconformity
불일치. product나 service가 요구규격을 만족하지 못하므로서 목적한 수준이나 상태로부터
품질수준을 벗어남.
Non-Pass. Test 보호막을 입히기 전에 행하여지는 EDS Test(Non passivation Test).
Non-Volatile(불 휘발성)
Memory를 기억 유지한다는 점에서 분류하면 불휘발성(Non-Volatile)과 휘발성(Volatile)으로 나눌 수 있다
Non-volatile이라 Memory의 power가 off되어도 기억내용이 소멸되지 않고 유지되는 성질을 말한다.
Non-Volatile Memory
전원을 끊어도 지워지지 않는 Memory.반도체의 Memory에 기억했던 data는 일반적으로 전원을 끊으면
지워져버린다.
그렇기 때문에,data를 지우지 않기 위해서는 hard disk나 floppy disk등의 다른 media로 옮기든가 반도체의
memory를 battery로 back up 해두어야 한다.
그러나, 특수한 구조(NMOS 등)로 하면 전원을 끊더라도 지워지지 않는 Memory가 가능하다.
그것을 불휘발성 Memory라고 한다. NMOS Transistor에서는 두가지 level의 threshold 전압 Vth을 갖고
있어서 전원을 끊더라도 VTH는 변화하지 않기 때문에, "1", "0"을 두 개의 VTH에 대응시켜 기억한다.
전자 Tunner에서의 최적 주파수기억 등에 사용되고 있다.
Nonzero Fixed Oxide Charge
MOS System의 MS 다음으로 가장 중요한 Nonideal Effect로 Oxide-Semiconductor의 Interface에서
주로 Positive Charge으로 존재한다.
이것은 Oxidation Process 자체에 의해 생성된 것으로 Oxidation후에 남아 있는 Silicon Dangling
Bond의 영향이다.
Dangling Si Bond는 Silicon Oxide Interface의 Oxide Side에 200Å정도의 두께로 분포하고 있다.
NOR 논리부정회로와 논리화회로 OR를 합쳐 하나로 만든 것.
NOS(Network Operation System) LAN의 운영체계.
NOT 논리 부정 회로.
Notch/Void
일반적으로 재료(기판표면)에 움푹 패인 곳이나 구멍이 뚤린 곳을 말하며 이곳에는 역학적으로 응력이
집중되는 곳이다.
반도체 분야에서는 금속막 및 보호막의 유기적인 관계에 의해 금속배선에서일어나는 현상으로 금속배선
측벽에 쐐기형상으로 파이는것을 Notch라 하며,이것이 성장하여 Hole 모양을 형성한 것을 Void라 한다.
Notching Photo공정에서 난반사에 의해 line에 톱니모양으로 파지는 현상.
Note형 PC 외형 Size가 A4판 Size인 Personal Computer.
Notebook
TFT-LCD 중량 3.5kg 이하의 PC에 장착되는 디스플레이 판넬로 10인치 이하의 사이즈의 화소수는
Laptop과 같으나 pitch사이즈는 0. 21, 0. 33mm 정도이다.
NPN TR N, P, N 영역을 각각 에미터, 베이스, 콜렉터로 한 접합형 TR이다.
N-Type Silicon(Negative Type Silicon)
Major Carrier가 Electron이 경우를 말한다.
5가 원소들이 Si에 주입되면 여분의 Electron이 존재하게 된다.
NTN(Nippon Telegraph and Telephone Corporation) 일본 전신전화 주식회사.
NTSC(National Television System Committee)
1940년 미국의 TV 관련 회사 및 단체에 의해 조직된 TV 방식을 위한 위원회
(흑백 및 컬러 TV의 표준방식 권장).
NVD(Non Visual Defect)
Deprocess에 의해 불량 분석을 하는 경우 fail은 되었으나 defect를 찾을 수 없는 경우
Non Visulal Defect라 한다.
NVM(Non Volatile Memory) 비 휘발성 기억소자.
N.W.W.(Neutral Waste Water)
중성 폐수로서 주로 Wet ST'N의 Rinse 공정에서 배출되는 폐수를 말함.
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