D(Demerit)
Quality scoreÀÇ °¡ÁßÄ¡¸¦ ¾ò±â À§ÇÑ ¼ö´ÜÀ» Á¦°øÇϱâ À§Çؼ »ç°ÇÀ̳ª »ç»óÀÇ ±¸ºÐÀ» À§ÇØ Á¤ÇسõÀº °¡ÁßÄ¡.
D-A º¯È¯±â(Digital to Analog Converter)
µðÁöÅ» ½ÅÈ£¸¦ ÀÔ·ÂÀ¸·Î ÇÏ¿© Analog½ÅÈ£¸¦ Ãâ·ÂÀ¸·Î ²¨³»´Â ȸ·Î¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
DA(Die Attach) Die¸¦ Lead Frame¿¡ Á¢Âø½ÃŰ´Â °øÁ¤.
DAC(Digital to Analog Converter) Digital ½ÅÈ£¸¦ Analog ½ÅÈ£·Î º¯È¯ÇÏ´Â º¯È¯±â.
D. C Characteristic
DeviceÀÇ Status¿¡ µû¶ó È帣´Â Current Ư¼ºÀ» ¸»Çϸç, Device µ¿ÀÛ Statusº°·Î ±¸ºÐµÇ¾î ÀÖÀ½.
DAD(Digital Audio Disk) ¿Àµð¿À ½ÅÈ£¸¦ µðÁöƲ·Î º¯È½ÃÄÑ ±â·ÏÇÑ Disk¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
DAE(Dynamic Asian Economies)
Çѱ¹, ´ë¸¸, È«Äá, ½Ì°¡Æ÷¸£ µî ¾Æ½Ã¾Æ ½ÅÈï °ø¾÷ °æÁ¦±ÇÀ̶õ ¸» ´ë½Å °æÁ¦Çù·Â°³¹ß±â±¸°¡ »õ·Ó°Ô »ç¿ëÇÑ ¿ë¾îÀÌ´Ù.
Daisy Chain º¹¼öÀÇ ÁÖº¯ LSI¿¡ ÀԷ¿䱸°¡ µ¿½Ã¿¡ ¹ß»ýÇÒ ¶§ ¿ì¼±¼øÀ§¸¦ °áÁ¤Çϴ ȸ·Î.
Dambar PKG LeadÀÇ »ó´Ü ºÎºÐÀ» ¿¬°áÇÏ´Â °¡·ÎÃà Bar.
Dark Current(¾ÏÀü·ù) ¹«½ÅÈ£½Ã¿¡ È帣´Â Àü·ù·Î¼ Â÷´ÜÀü·ù¿Í °°Àº °ÍÀÌ´Ù
D.A.T.A. ¹Ì±¹ Derivation And Tabulation Associates Inc.¿¡¼ ¹ßÇàÇϰí ÀÖ´Â ±Ô°Ý À϶÷Ç¥.
Data ¸ðµç Á¤º¸ ¼ýÀÚ, ¹®ÀÚ µîÀ¸·Î Åë½Å±â±â³ª Computer¿¡¼ 󸮵Ǵ ÀÚ·á.
Data Base
µ¥ÀÌÅ͸¦ ÀúÀåÇÏ´Â °÷À¸·Î½á ÁÖ·Î disk storage°¡ »ç¿ëµÇ¸ç ÀúÀåÇÏ´Â ¹æ¹ý°ú ÀúÀåµÈ µ¥ÀÌÅ͸¦ ²¨³»´Â
¹æ¹ý¿¡ µû¶ó ¿©·¯°¡Áö DB°¡ ÀÖÀ¸¸ç ÁÖ·Î ¸¹ÀÌ »ç¿ëµÇ´Â DB´Â relational data base³ª objectoriented data base´Ù.
Data Base Management system µ¥ÀÌÅÍ º£À̽º¸¦ °ü¸®ÇØ ÁÖ´Â S/W ½Ã½ºÅÛÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Data Compression
¿µ»óÀ̳ª À½¼º µîÀÇ ½ÇÁ¦ µ¥ÀÌÅÍ´Â ±× ¸ð¾çÀÌ ¸Å¿ì Å©¹Ç·Î ÀúÀåÀ̳ª Åë½ÅÇϱ⿡ ¾î·Á¿òÀÌ ÀÖ´Ù.
±×·± µ¥ÀÌÅÍÀÇ ¾çÀ» ÁÙÀÌ´Â ±â¹ýÀ» ÀÏÄÃÀ¸¸ç ±× ¹æ¹ý¿¡´Â ¿ø·¡ µ¥ÀÌÅÍ¿¡ ÀüÇô ¼Õ½ÇÀ» ÁÖÁö ¾Ê´Â data lossless
compression°ú »ç¶÷ÀÇ ½Ã°¢À̳ª û°¢ÀÇ ÇѰ踦 ÃÖ´ëÇÑ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ´«°ú ±Í°¡ ÀÎ½Ä ¸øÇÏ´Â ¹üÀ§³»ÀÇ µ¥ÀÌÅ͸¦
¾ø¾Ö¼ ¾ÐÃàÈ¿°ú¸¦ ³ªÅ¸³»´Â data losssy compressionÀÌ ÀÖ´Ù.
Data Line ¸ÅÆ®¸®½º ¹è¿¿¡ ÀԷµǴ ½ÅÈ£°¡ µé¾î°¡´Â ¶óÀÎÀ¸·Î ¾îµå·¹½º¼±°ú ÇÔ²² ȼÒÀÇ on-off ±¸µ¿ÇÑ´Ù.
Data-Log °Ë»ç ÁøÇàÁß¿¡ Ç׸ñº° ³»¿ëÀ» ³ªÅ¸³»´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
Data Retention Mode
Èֹ߼º ¸Þ¸ð¸®(DRAM/SRAM)¿¡ µ¥ÀÌÅ͸¦ ÀúÀåÇÏ´Â ÇüÅ·Î, ÀϹÝÀûÀ¸·Î ½Ã½ºÅÛ power-off Á÷ÈÄ battery back-up
circuit¿¡ ÀÇÇØ µ¥ÀÌÅͰ¡ ¸Þ¸ð¸® Á¦Ç°ÀÌ ±â¾ïµÉ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÏ´Â ÃÖ¼ÒÇÑÀÇ ÀÔ·Â Á¶°ÇÀÇ »óȲ.
DAT Recorder(Digital Audio Tape Recorder)
Compact Disk¿¡ ¸øÁö ¾Ê°Ô ¿Ïº®ÇÑ ¿øÀ½À» Digital·Î Tape¿¡ ±â·Ï,Àç»ýÇØ µè´Â ±â±â.CDP¿Í´Â ´Þ¸® ³ìÀ½ÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù.
DBF ÆÄÀÏ ¾Ö½¬Åæ Å×ÀÌÆ®ÀÇ DBASE ÇÁ·Î±×·¥µé¿¡ ÀÇÇØ »ç¿ëµÇ´Â ÆÄÀÏ»óÅÂ.
DBP(Deutsche Bundespost).
DC(Document Control) Ç¥ÁØ »ç¹«±¹.
DC(Direct Current) ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Á÷·ù Àü¾ÐƯ¼º.
DC Characteristic
DeviceÀÇ Status¿¡ µû¶ó È帣´Â current Ư¼ºÀ» ¸»Çϸç, Device µ¿ÀÛ Statusº°·Î ±¸ºÐµÇ¾î ÀÖÀ½.
DC Parametric Testing
Steady state test·Î¼ OHMÀÇ ¹ýÄ¢À» ±âº»À¸·Î ÇÏ¿© Àü±âÀû Ư¼ºÀÌ °áÁ¤µÇ´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù.
º¸Åë ÁÖ¾îÁø Àü¾Ð/Àü·ù¸¦ Àΰ¡Çϰí Àü·ù/Àü¾ÐÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. DC
test¿¡´Â ¼Ò¸ðÀü·ù(ICC), ´©¼³Àü·ù(leakage test),·ÂÀü¾Ð(VIL, VIH), Ãâ·ÂÀü¾Ð(VOL, VOH) µîÀÌ ÀÖ´Ù.
DC PDP(Direct Current Plasma Display Panel)
À½±Ø°ú ¾ç±Ø »çÀÌ¿¡ ÇÁ¶óÁ °¡½º(Ionized Neon-Argon Gas)¸¦ ºÀÇÕÇϰí,¾ç Àü±Ø »çÀÌ¿¡ Á÷·ù¸¦ °¡ÇÏ¿©
ÇÁ¶óÁ¸¦ ¹ß±¤½ÃÄÑ ½ÅÈ£¸¦ Ç¥½ÃÇÏ´Â ¼ÒÀÚ.
DCW(Dry Cooling Water)
FAB¿¡¼ ¼øÈ¯µÇ´Â °ø±âÀÇ ¿Âµµ¸¦ ¹Ì¼¼ÇÏ°Ô Á¶ÀýÇϱâ À§ÇÏ¿© Cooling Coil³»·Î È帣´Â ¹°.
DD(Double Die) ÀÌÁß Die.
Debug ºÒ·®Ç°, ºÒÇÕ°ÝǰÀ» Á¦°ÅÇÏ´Â ÀÛ¾÷ ÀϹÝ. Debugging, Screening, BURN-IN À̶ó°íµµ ÇÑ´Ù.
Debugging
Test Plan¿¡ ÀÇÇØ Á¦½ÃµÈ ³»¿ë°ú ½ÇÁ¦ ¼ÒÀÚ¿¡¼ ³ªÅ¸³ª´Â Â÷ÀÌÁ¡À» ÁÙ¿© ³ª°¡±â À§ÇÑ ÀÏ·ÃÀÇ ÀÛ¾÷ÀÌ´Ù.
Decay Time ³×°¡Æ¼ºê Ç¥½ÃÀÇ °æ¿ì ÃÖ´ë ÄÜÆ®¶ó½ºÆ®ºñ°¡ 100%¿¡¼ 10%±îÁö º¯ÈÇϴµ¥ °É¸®´Â ½Ã°£.
Decel Mode °¡¼Ó¿¡³ÊÁö¸¦ °¡ÇÏÁö ¾Ê°í ÃßÃâÀü¾Ð¸¸À¸·Î IonÀ» ÁÖÀÔÇÏ´Â ÇüÅÂ(¿¡³ÊÁö ¹üÀ§0-33kev).
Decoder
2Áø¹ýÀÇ ¼ö¸¦ ÇØµ¶(Decode)ÇÏ¿© ƯÁ¤ÀÇ Ãâ·Â(10Áø¹ýÀÇ ¼ö)À» ¼±ÅÃÇØ³»´Â ȸ·Î¸¦ 2Áø-10Áø DecoderÀ̶ó
ÇÑ´Ù ¡ê Encoder.
DECT(Digital European Cordless Telephone).
Defect(°áÇÔ)
Product³ª service¿¡ ¸ñÀûÇÑ »ç¿ë±â´ÉÀ» ¸¸Á·½ÃŰÁö ¸øÇÏ´Â ½É°¢ÇÑ ¿øÀÎÀÌ ¹ß»ýÇÏ¿© Á¦Ç°ÀÇ Æ¯¼ºÀÌ ¸ñÀûÇÑ
¼öÁØÀ̳ª »óÅ¿¡¼ ¹þ¾î³². defect´Â ½É°¢ÇÑ Á¤µµ¿¡ µû¶ó ´ÙÀ½°ú °°ÀÌ ºÐ·ùÇÑ´Ù.
Class 1 ¸Å¿ì½É°¢ : ¸Å¿ì ½ÉÇÑ ¼Õ»óÀ̳ª ´ë´ÜÈ÷ Å« °æÁ¦Àû ¼Õ½ÇÀ» Á÷Á¢ ÃÊ·¡
Class 2 ½É °¢ : Áß´ëÇÑ ¼Õ½ÇÀ̳ª °æÁ¦Àû ¼ÕÇØ¸¦ Á÷Á¢ ÃÊ·¡
Class 3 Áß¿ä°áÇÔ : »ç¿ë¸ñÀûÀ» °í·ÁÇÒ ¶§ ÁÖ¿ä ¹®Á¦Á¡µé°ú °ü·ÃµÈ °áÇÔ
Class 4 ¹Ì¼¼°áÇÔ : »ç¿ë¸ñÀûÀ» °í·ÁÇÒ ¶§ ÇÏÂúÀº °áÇÔ
Deflash Compound Â±â Á¦°Å.
Defocus(ÃÐÁ¡ºÒ·®)
»çÁø °øÁ¤¿¡¼ »ç¿ëµÇ´Â ¿ë¾î·Î½á °¨±¤ ¿øÆÇ°ú °¨±¤¹°Áú (P/R)°úÀÇ Çü»óÀÌ ºÒÀÏÄ¡µÇ´Â ÃÐÁ¡ÀÇ ºÎÁ¤È®µµ.
Delamination(Ãþ°£µé¶ä) ´ÙÃþ±â°üÀÇ Ãþ°£ÀÇ µé¶äÀ̳ª Ç¥¸éµ¿¹Ú°ú ³»ºÎ±âÃÊÀç°£ÀÇ µé¶ä.
Deming Prize
¹Ì±¹ÀÇ Ç°Áú°í¹®ÀÎ W. EDWARDS DEMINGÀÇ À̸§À» µû¼ â¼³µÈ ÀϺ»¿¡ ÀÖ¾î¼ÀÇ Ç°Áú°ü¸®»ó. ÀÌ»óÀÇ ¼±Á¤
±âÁØÀº ǰÁúÅëÁ¦¹æ¹ý¿¡ ´ëÇÏ¿© ±¸Ã¼ÀûÀ¸·Î Á¤ÇØÁ® ÀÖÀ¸¸ç ±× ±âÁØÀº 'ÀϺ» ÇÐÀÚ ¹× ±â¼úÀÚ ¿¬ÇÕ' (JUWSE)
¿¡ ÀÇÇØ Á¤ÇØÁø´Ù.
Delay Time
TRÀÇ SwitchingƯ¼ºÀ» ½ºÀ§Äª ½Ã°£À¸·Î ³ªÅ¸³¾ ¶§ º£À̽º¿¡ ÀÔ·Â ÆÞ½º°¡ °¡ÇØÁøÈÄ ÄÝ·ºÅÍ¿¡ È帣´Â Àü ·ùÀÇ
Ãâ·Â ÆÞ½º°¡ ÃÖ´ëÁøÆø(ÃÖÁ¾°ª)ÀÇ 10%¿¡ µµ´ÞÇϱâ±îÁöÀÇ ½Ã°£.
Demo
¹Ìº¸À¯ Àåºñ¿¡ ´ëÇÑ °øÁ¤Æ¯¼ºÀ» ºÐ¼®Çϱâ À§ÇØ Àåºñ°¡ ÀÖ´Â °÷À¸·Î wafer¸¦ ¹Ý¼ÛÇÏ¿© °øÁ¤À» ÁøÇàÇÑ ÈÄ, ¹ÝÀÔÇÏ¿©
°øÁ¤Æ¯¼ºÀ» ºÐ¼®ÇÏ´Â ÇàÀ§.
Demultiplexer
¸ÖƼÇ÷º¼¿Í ¹Ý´ë·Î Á÷·Ä·Î ÀÔ·ÂµÈ Data¸¦ Á¦¾îÀÔ·Â(¼±ÅÃÀÔ·Â)¿¡ ÀÇÇØ ControlÇÏ¿© º´·Ä·Î º¯È¯Çؼ
Ãâ·ÂÀ¸·Î ²¨³»´Â ȸ·ÎÀÌ´Ù.
Dent µ¿¹ÚµÎ²²¸¦ Å©°Ô ¼Õ»ó½ÃŰÁö ¾ÊÀ¸¸é¼ ¾à°£ Áþ´·ÁÁø »óÅÂ.
Depletion Device MOS FETÀÇ ÀÏÁ¾À¸·Î Gate Àü¾ÐÀ» °¡ÇÏÁö ¾Ê¾Æµµ ChannelÀÌ Çü¼ºµÇ¾î ÀÖ´Â ¹ÝµµÃ¼ ÀåÄ¡.
Depletion Layer(°øÇÌÃþ)
PN Á¢ÇÕ¿¡ ¿ª¹æÇâ Àü¾ÐÀ» °É¸é PÃø¿¡ ÀÖ´Â Hole°ú NÃø¿¡ ÀÖ´Â ÀüÀÚ´Â Á¢Çպκп¡¼ ¸Ö¾îÁø´Ù.
±×¸®°í Á¢Çպαٿ¡´Â ij¸®¾î°¡ ¸Å¿ì ÀûÀº ºÎºÐÀÌ »ý±â´Âµ¥ À̰ÍÀ» °øÇÌÃþÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
Depletion Mode Àü°èÈ¿°ú TRÀÇ »ç¿ë¹ý Áß Ã¤³ÎÀ» ¾àÇÏ°Ô ÇÏ´Â ¹æÇâÀ¸·Î °ÔÀÌÆ®¿¡ Bias¸¦ °¡ÇÏ´Â ¹æ¹ý.
Depletion Type
ChannelÀ» DepleteÇÏ´Â ¹æÇâ. Áï ¾àÇÏ°Ô ÇÏ´Â ¹æÇâÀ¸·Îµµ Channel Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÇüÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Deposition
»ó¾Ð ¶Ç´Â Àú¾Ð»óÅ¿¡¼ ÁÖ·Î CVD ¹æ¹ý¿¡ ÀÇÇØ, Si ±â°üÀ§¿¡ Film(¸·)(Oxide, Nitride µî)À» ¼ºÀå½ÃŰ´Â °Í.
Deprocess °øÁ¤À» ³¡¸¶Ä£ ¼ÒÀÚ¸¦ °øÁ¤ ¼ø¼¿Í ¹Ý´ë·Î ÇÑ Ãþ¾¿ strip backÇØ°¡¸ç defect site¸¦ ºÐ¼®ÇÏ´Â °úÁ¤.
Descum Çö»ó ÀÛ¾÷ÈÄ Á¦°ÅµÇÁö ¾Ê°í ³²¾ÆÀÖ´Â ¹Ì·®ÀÇ °¨±¤¾× Â±â(Scum)¸¦ Ãß°¡·Î °Ç½Ä Á¦°ÅÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
Design of Experiments
½ÇÇè°èȹ¹ý. ÁøÇàÇÒ ½ÇÇè¼ø¼¸¦ ¹è¿Çϰí, ½ÇÇè¿¡ Æ÷ Ç﵃ Çϳª ȤÀº ´Ù¼öÀÇ ÀÎÀÚµéÀÇ ¼öÁØÀ» ¼±ÅÃÇÑ´Ù.
Design Kit
Electrical/Physical·Î ±¸º°µÇ¸ç ASIC Á¦Ç° ¼³°è½Ã Àü±âÀûÀ¸·Î Modelling°ú Layout Á¤º¸¸¦ Æ÷ÇÔÇÑ Database¸¦
ÀÌ¿ëÇÏ¿© ¼³°èÇÏ´Â Electrical Design Kit¸¦ ¸»ÇÑ´Ù. (¿¹ : Mentor Design Kit, Verilog Design Kit µî)
Design Rule
¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¼³°è°úÁ¤¿¡¼ °øÁ¤´É·Â°ú ¼³Á¤µÈ Á¦Á¶¹æ¹ýÀÇ ÇѰ輺À» °í·ÁÇÏ¿© ¹Ýµå½Ã ÁöÄÑÁ®¾ß¸¸ ÇÏ´Â ¼³°è±ÔÄ¢À¸
·Î¼ °¢ ±â´É ºÎÀ§ ¹× ±â´ÉºÎÀ§ °£ÀÇ ¹°¸®Àû °Å¸®°¡ ±× ³»¿ëÀ¸·Î Æ÷ÇԵȴÙ.
Develop
Mask¸¦ AlignÇÑ ÈÄ Àڿܼ±¿¡ expose ÇßÀ»¶§ Pattern ¸ð¾ç¿¡ µû¶ó ³ë±¤µÈ ºÎºÐ°ú ³ë±¤µÇÁö ¾ÊÀº ºÎºÐÀ¸·Î ÈÇйÝÀÀÀÌ
ÀÏ¾î³ °ÍÀ» ÀÌ¿ëÇØ Ȱø¾àǰÀ¸·Î Çö»óÇÏ´Â °Í.
Development
Çö»ó, »çÁø °øÁ¤¿¡¼ °¨±¤¾× µµÆ÷ ¹× ³ë±¤ÈÄ ÇÊ¿äÇÑ Pattern¸¸À» ³²±â°í ºÒÇÊ¿äÇÑ ºÎºÐÀÇ °¨±¤¾×À» Á¦°ÅÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
Device ǰ¸í(ǰÁ¾) (Á¦Ç°).
Dextrotatory(à´ãÆàõ)
ºûÀÇ ÁøÇà¹æÇâ¿¡ ´ëÇØ °üÃøÀÚ ÂÊ¿¡¼ º» °æ¿ì ¸ÅÁúÀ» Åë°úÇÏ´Â ºûÀÇ Æí±¤¸éÀÌ ½Ã°è ȸÁ¤¹æÇâÀ¸·Î ȸÀüÇϰí ÀÖ´Â °Í.
Dewetting
¿ëÇØµÈ ¼Ö´õ°¡ Ç¥¸é¿¡ µµÆ÷µÇ¾î ¿òÇ«µé¾î°¡°Å³ª µé¶°¼ ºÒ¾¦Æ¢¾î ³ª¿Â »óÅÂÀ̳ª ¿ø·¡ÀÇ ±Ý¼ÓÇ¥¸éÀº ³ëÃâµÇÁö ¾ÊÀ½.
DF(Die Fabrication) Wafer mount °øÁ¤ºÎÅÍ dicing saw °øÁ¤À» ¸»ÇÔ.
DGP(Data Gathering Panel) Á¤º¸¸¦ À̼ÛÇÏ´Â ´Ü¸»À̼ÛÀåÄ¡.
Dichromated Gelatin ºûÀÇ Æí±¤ »óÅ¿¡ µû¶ó Åë°úÇÏ´Â ÆÄÀåÀÌ ´Ù¸¥ Dichromated Gelatin ÃþÀ» Åë°úÇÒ ¶§
ä»öÀÌ µÇµµ·ÏÇÏ¿© ±¤À» Âø»öÇÏ´Â ¹æ¹ý.
Dicing
Æíµµ Àý´ÜÀ̶ó°íµµ Çϸç Wafer Àý´Ü ¹æ½ÄÀÇ Çϳª·Î ´ÜÀÏ ¹æÇâÀ¸·Î Àý´ÜÇÏ´Â ¹æ½Ä(¿ÞÂÊ¿¡¼ ¿À¸¥ÂÊÀ¸·Î¸¸ Àý´Ü)
Dicing Saw Wafer¸¦ Àý´ÜÇÏ¿© Die(Chip)¸¦ ºÐ¸®ÇÏ´Â Diamond Wheel.
Die Attach °¢ Die¸¦ Lead Frame¿¡ ºÙÀÌ´Â ÀÛ¾÷.
Die Business
Probe Test ¿Ï·áÈÄ package¸¦ ÇÏÁö ¾Ê°í Good Die¸¦ wafer Çüųª wafer¸¦ ÀÚ¸¥ÈÄ Good Die¸¸À»
ÆÇ¸ÅÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
Die Bonder(´ÙÀ̺»´õ) ´ÙÀ̴ Ĩ(Chip)À» ¸»Çϸç,Æ®·£Áö½ºÅͳª IC¸¦ Á¦Á¶ÇÒ ¶§ ĨÀ» ½ºÅÛ ¶Ç´Â ¸®À̵å ÇÁ·¹ÀÓ¿¡
ºÙÀÌ´Â °ÍÀ» ´ÙÀ̺»µå ¶Ç´Â º»µùÀ̶óÇϸç ÀÌ¿¡ ¾²ÀÌ´Â ±â°è¸¦ ´ÙÀ̺»´õ¶ó°í ÇÑ´Ù.
Die Bonding
IC¸¦ Á¦Á¶ÇÒ ¶§ ChipÀ» ½ºÅÛ ¶Ç´Â ¸®À̵å ÇÁ·¹ÀÓ¿¡ ºÙÀÌ´Â °ÍÀ» ´ÙÀ̺»µùÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
Æç·¿¸¶¿îÆ®, ¸¶¿îÆ®¶ó°íµµ ÇÑ´Ù.
Die Coating DieÀ§¿¡ º¸È£¸·À» ¾º¿ì´Â ÀÛ¾÷.
Die Collet
Die Á¢ÂøÀ» Çϱâ À§ÇÑ µµ±¸·Î¼ Áø°øÀ¸·Î Die¸¦ ÈíÂø ¿î¹ÝÇÏ¿© Á¢ÂøÇϸç ÀçÁúÀº ÅÖ½ºÅÏ Ä«¹ÙÀ̵å·Î ³»¸¶¸ð ¹×
³»¿¼ºÀÌ ¿ä±¸µÊ. ¸ð¾çÀº ÇǸ¶¹Ô Çü.
Die Pocket ÀÌ¼Û ÄÝ·¿¿¡ ºÎÂøµÈ Die¸¦ ¿¹¹æÁ¤¿½ÃŰ´Â Àå¼Ò. ÀçÁúÀº ½ºÅÙ·¹½º½ºÆ¿.
Die Sawing WaferÀÇ °¢ ChipÀ» Á¶¸³Çϱâ À§ÇÏ¿© ÅéÀ¸·Î ÀÚ¸£´Â ÀÛ¾÷.
Dielectric Constant(À¯Àü »ó¼ö)
À¯Àü ºÐ±ØÀÇ °ÇÑ Á¤µµ¸¦ ³ªÅ¸³»´Â °è¼ö·Î¼ À¯ÀüÀ²ÀÌ À̹漺À» Ç¥½ÃÇϸé Àü±âÀå¿¡ ÆòÇàÇÏ·Á°í ÇÏ´Â À¯ÀüÀ²ÀÌ
¼öÁ÷ÇÏ·Á°í ÇÏ´Â À¯ÀüÀ²º¸´Ù Ŭ¼ö·Ï ¾×Á¤ÀÔÀÚ°¡ ÀϾ ¼Óµµ°¡ ºü¸£´Ù.
Dielectric Isolation ¹ÝµµÃ¼ ICÀÇ ºÐ¸®¹æ¹ýÀÇ Çϳª·Î¼ ¼ÒÀÚ°£ÀÇ ÀúÇ×ÀÌ ³ôÀº Àý¿¬¹°·Î ElectricalÇÏ°Ô ºÐ¸®ÇÏ´Â
°ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù. Àý¿¬Àç·á·Î´Â ÀÌ»êȱԼÒ(SiO2), Poly-Si, Ceramic µîÀÌ ÀÖ´Ù.
Diffused Resistor
ºÒ¼ø¹°ÀÇ Diffusion¿¡ ÀÇÇÑ ¿µ¿ªÀÌ ÀúÇ×À¸·Î »ç¿ëµÇ´Â °Í.
Diffusion
³óµµÂ÷¿¡ µû¶ó ¾×ü³ª ±âü°¡ °í³óµµ¿¡¼ Àú³óµµÂÊÀ¸·Î À̵¿ÇÔÀ» ¸»ÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î È®»ê·Î ¼Ó¿¡¼ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ(Wafer)
¿¡ ³ôÀº ¿Âµµ¸¦ °¡ÇØ ºÒ¼ø¹° B(ºØ¼Ò)³ª P(ÀÎ) µîÀ» È®»ê½ÃŰ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÏ¸ç ¹ÝµµÃ¼ Ư¼ºÀ» °áÁ¤Çϱâ À§ÇÑ °ÍÀÓ.
Diffusion Capacitance Diffusion¿¡ ÀÇÇØ Çü¼ºµÈ Junction¿¡¼ »ý°Ü³ ±â»ý CapacitorÀÇ ¿ë·®.
Diffusion Current
¿ÜºÎ E-fieldÀÇ ¿µÇâ¾øÀÌ ¼ø¼ö ³óµµÂ÷¿¡ ÀÇÇØ È帣´ÂCurrent ³óµµ°¡ ³ôÀº ¿µ¿ª¿¡¼ ³·Àº ¿µ¿ªÀ¸·Î Carrier°¡
È®»êµÇ¸é¼ ¹ß»ýµÊ.
Diffusion Furnace È®»ê ¶Ç´Â »êÈ¿¡ ÇÊ¿äÇÑ °í¿ÂÀÇ È®»ê·Î.
Diffusion Length
Carrier°¡ ÁÖÀԵǸé È®»êÇØ °¡´Â µµÁß¿¡ »ó´ëÀÇ Carrier¿Í Àç°áÇÕÇÏ¿© Â÷·Ê·Î ¼Ò¸êµÇ¾î °¡±â ¶§¹®¿¡ ½Ã°£ÀÌ Áö³ª¸é
CarrierÀÇ ³óµµ´Â °¨¼ÒÇÏ°Ô µÈ´Ù. Life Time µ¿¾È Carrier°¡ À̵¿Çذ£ È®»ê°Å¸®¸¦ Diffusion Length¶ó°í ÇÑ´Ù.
Diffusion Pump ±â¸§À» °¡¿ÇÏ¿© Áõ¹ßµÈ ±â¸§ÀÇ ³Ã°¢½Ã Áø°ø³» gas¸¦ Èí¼öÇÏ´Â ¹æ½ÄÀÇ °íÁø°ø ÆßÇÁ.
Diffusivity ºÒ¼ø¹°ÀÇ È®»êµµ¸¦ ³ªÅ¸³»´Â ´ÜÀ§.
Digital(DIC) Analog¿¡ ´ëÀÀµÇ´Â ¸»·Î "1"°ú "0"À¸·Î Ç¥½ÃµÉ ¼ö ÀÖ´Â °Í(Digital IC).
Digitizing Mask¸¦ ¸¸µé±â À§ÇØ ¼³°èµÈ µµÇüÀÇ ÁÂÇ¥¸¦ °áÁ¤ÇØ ÁÖ´Â °Í.
Digital Memory µðÁöÅ»·®À» ±â¾ïÇÏ´Â ¸Þ¸ð¸®·º¸Åë ¸Þ¸ð¸®¶ó°í ÇÏ´Â °æ¿ì´Â ÀÌ Digital MemoryÀ» °¡¸®Å²´Ù.
Dimenrization(ÀÌ·®Ã¼È) µÎ °³ÀÇ ºÐÀÚ°¡ ÁßÇÕ ¶Ç´Â ºÐÀÚ°£ÀÇ Èû¿¡ ÀÇÇØ ÀÏü°¡ µÇ¾îÁø °Í.
Dimension Ä©¼ö.
DIMM(Dual In-Line Memory Module)
PC¿¡ »ç¿ëµÇ´Â Memory moduleÀÇ Á¾·ù·Î PCB îñØü°ú ýØüÀÇ pin¼ö´Â °°À¸³ª pinµéÀÌ ±â´ÉÀ» ´Þ¸®ÇÏ´Â Á¦Ç°À» ¸»ÇÔ.
Dimple WaferÇ¥¸é ºÒ·®À¸·Î ¿À¸ñÇÏ°Ô ÆÐÀÎ °áÇÔ.
Dimensional Stability(Ä©¼ö¾ÈÁ¤¼º) ¿Âµµ, ½Àµµ, ÈÇÐÀû ó¸®, ¿ÜºÎÀÇ ¾Ð·Â¿¡ ÀÇÇØ º¯ÈµÈ Å©±â.
Dimensioned Hole(Ä©¼öȦ)
Àμâ±âÆÇ¿¡ ÀÖ¾î¼ È¦ÀÇ À§Ä¡°¡ ¹Ýµå½Ã ±×¸®µå »ó¿¡ À§Ä¡ÇÏÁö ¾Ê°í ÁÂÇ¥°ª¿¡ ÀÇÇØ À§Ä¡°¡ °áÁ¤µÇ´Â Ȧ.
DIN Deionized water·Î¼ Ãʼø¼ö¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Diode
di-electrode¸¦ µû¼ ¸¸µç ´Ü¾î·Î 2±Ø ¼ÒÀÚ¸¦ ¸»ÇÔ Áø°ø°ü¿¡¼µµ 2±Ø°üÀ» ´ÙÀÌ¿Àµå¶ó ÇÏ¸ç °ËÆÄ,Á¤·ùÀÛ¿ëÀº
°¡Áö³ª, ÁõÆø ÀÛ¿ëÀº ¾øÀ¸¸ç, µû¶ó¼ ¼öµ¿¼ÒÀÚ·Î ºÐ·ùÇÔ.
Diode Array ¿©·¯°³ÀÇ ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ ÇϳªÀÇ Æç·¿¿¡ Á¶ÇÕÇÏ¿© º¹ÇÕ½ÃŰ´Â °Í.
Diode Ring Structure ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ ¸µ ±¸Á¶·Î ¿¬°á ¼ø¹æÇâ Æ¯¼ºÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ±¸Á¶.
DIP(Dual Inline Package)
°¡Àå º¸ÆíÀûÀÎ IC Æ÷ÀåÀÇ ÇÑ ÇüÅ·ΠÁ÷»ç°¢Çü ¸ðÇüÀ̸ç, ³»ºÎ ȸ·Î(Chip)¿ÍÀÇ ¿¬°áµµ¼±ÀÌ ¿·¸é¿¡ ¼öÁ÷À¸·Î ºÙ¾î
ÀÖ´Â Æ÷Àå ÇüÅÂ.
Discolor Wafer À°¾È °Ë»ç½Ã ºÒ·® Ç׸ñÀÇ Çϳª·Î FAB °øÁ¤Áß ¶Ç´Â Àý´ÜÇÒ ¶§ ¹ß»ýÇÏ´Â Pad º¯»ö.
Discrete ÁýÀûȸ·Î(IC)¿¡ ¹Ý´ëµÇ´Â ¸»·Î¼ °³º°ÀüÀÚºÎǰÀ» °¡¸®Å²´Ù. TR, Diode, ÀúÇ×, Äܵ§¼ µîÀÇ ºÎǰÀº °¢°¢
°³º°ºÎǰÀ¸·Î¼ÀÇ ±â´É¹Û¿¡ °¡Áö°í ÀÖÁö ¾ÊÀ¸¹Ç·Î À̵éÀº ¸ðµÎ Discrete ºÎǰÀÌ µÈ´Ù.
Discretional Array Method LSI¸¦ ¸¸µå´Â ¹æ¹ýÀÇ Çϳª·Î¼ ¿þÀÌÆÛ¼Ó¿¡ Æ÷ÇԵǴ ¼ö 10¿¡¼ ¼ö 100ÀÇ ´ÜÀ§È¸·Î
(Cell ¶Ç´Â Unit CellÀ̶ó ºÎ¸¥´Ù)ÀÇ ¸ðµÎ¸¦ °Ë»çÇÏ°í ¾çÈ£ÇÑ Cell¸¸À» °ñ¶ó³»¾î ±×°ÍÀ» »óÈ£¹è¼±ÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Discrete Device ´Ü¼øÇÑ °³º°¼ÒÀڷμ ÀúÇ×, Transistor ¶Ç´Â Diode °°Àº °Í.
Discrete Product °³º°¼ÒÀÚ´Â diode, Transistor, Á¤·ù±â(Rectifier), Æ®¶óÀ̽ºÅÍ(Thyristor)µîÀ» ÀÏÄÃÀ¸¸ç, ÀÌ·¯ÇÑ
¼ÒÀÚµéÀÇ °áÇÕÀ¸·Î ±¸¼ºµÈ ÁýÀûȸ·Î¿¡ ´ëÀÀÇÏ´Â ¸».
Discretionary Wiring-Approach Wafer ³»ÀÇ ¸ðµç ±â´É ´ÜÀ§ÀÇ ¾ç·ºÎ¸¦ ¹Ì¸® ÆÇÁ¤ ±â¾ïÇÏ°í ¾çǰÀ» ¼±ÅÃÀûÀ¸·Î
°á¼±ÇÑ ´ÙÀ½ ±× Wafer¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ÃÖÁ¾ »óÈ£¹è¼± PatternÀ» ¼³°èÇÔÀ¸·Î½á LSI µîÀ» Á¦ÀÛÇÏ´Â ¹æ½ÄÀ» ¸»ÇÔ.
Display Device ¼ýÀÚ, ¹®ÀÚ µîÀ» Ç¥½ÃÇϱâ À§ÇÑ ¼ýÀÚ.
DIW(Deionized Water) Ãʼø¼ö·Î¼ ¼³ºñ¿¡¼ º¹ÀâÇÑ °øÁ¤À» °ÅÃÄ ¼öÁßÀÇ À̿ ¹× ¿À¿° ¹°ÁúÀ» ÀüºÎ Á¦°ÅÇÑ ¼ø¼ö.
»ý»ê¶óÀÎÀÇ Wet°øÁ¤À» ºñ·ÔÇÏ¿© ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶°øÁ¤¿¡¼ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô »ç¿ëµÊ.
D-I Water(De Ionized Water ¶Ç´Â Semiconductor grade Water)
ÀÌ¿ÂÀÌ ÇÔÀ¯µÇÁö ¾ÊÀº ¹°À̶õ ¶æÀ¸·Î, ºÒ¼ø¹°À» Á¦°Å½ÃŲ ¼ø¼ö(âíâ©), Wafer ¼¼Á¤ ¹× Àý´Ü½Ã ¿ë¼ö·Î »ç¿ëµÊ.
DLM
2Ãþ ±¸Á¶ÀÇ Metal Layer¸¦ °®µµ·Ï °øÁ¤À» ÁøÇà½ÃÄÑ ÁýÀûµµ¸¦ Çâ»ó½Ãų ¼ö ÀÖÀ½.1Ãþ ±Ý¼ÓÀº Power ¹× Routing Line
À¸·Î »ç¿ëÇϰí 2Ãþ ±Ý¼ÓÀº Routing LineÀ¸·Î »ç¿ëÇÏ´Â ¼ÒÀÚ°£ÀÇ ¹è¼±±â¼ú.
D-MOS(Double Diffusion-Metal Oxide Semicondcutor)
¿¬¼ÓÀûÀ¸·Î È®»ê °øÁ¤À» µÎ ¹ø ÁøÇàÇÔÀ¸·Î½á channel length¸¦ ª°Ô Çϰí ÀÌ¿¡ ÀÇÇØ °íÀü¾Ð, °íÀü·ù¸¦ Àΰ¡Çϴµ¥
ÀåÁ¡À» °®´Â MOS¸¦ ÀÏÄÃÀ½.
DMA(Direct Memory Access)
ÁÖº¯ÀåÄ¡¿Í ÁÖ±â¾ïÀåÄ¡¿¡¼ CPU¸¦ °ÅÄ¡Áö ¾Ê°í Á÷Á¢ ±â¾ïÀåÄ¡·Î Data¸¦ ÀÔÃâ·ÂÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô ÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î
DMAC(8237A)¿¡ ÀÇÇÏ¿© DMA ±â´É¿¡ Á¦¾îµÇ¸ç °í¼ÓÀ¸·Î Data¸¦ Àü¼ÛÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
Domain µ¿ÀÏ ¾×Á¤ cell³»¿¡ ÀÖ¾î¼, ±âº»ÀÌ µÇ´Â ¾×Á¤ ºÐÀÚÀÇ ¹èÇâ º¤ÅͰ¡ ÇϳªÀÇ ¸ð¾çÀ¸·Î À̾îÁ® ÀÖ´Â ¾×Á¤ÀÇ
¿µ¿ªÀÌ º¹¼ö·Î Á¸ÀçÇϰí ÀÖ´Â »óÅÂ.
Donor
¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼ºÀ» N-typeÀ¸·Î ¸¸µé±â À§ÇÏ¿© Àüµµ´ë¿¡ ÀÚÀ¯ÀüÀÚ¸¦ ÁÖÀÔÇÏ´Â ºÒ¼ø¹° ¿ø¼Ò·Î P,As,Sb µîÀÌÀÖ´Ù.
Donor Level ¹ÝµµÃ¼ ¼Ó¿¡ ºÒ¼ø¹°·Î¼ È¥ÀÔÇÑ ¿øÀÚ¿¡ ÀÇÇØ¼ ÀÚÀ¯ÀüÀÚ°¡ »ý°Ü ¹ÝµµÃ¼°¡ NÇüÀ¸·Î µÇ´Â ºÒ¼ø¹°
¿øÀÚ¸¦ Donor¶ó°í ÇÑ´Ù. ÀÌ »óŸ¦ ¿¡³ÊÁö´ëÀÇ ±×¸²À¸·Î ³ªÅ¸³¾¶§ µµ¿ì³Ê¿¡ ÀÇÇØ¼ ±ÝÁö´ë(Forebidden band)
¼Ó¿¡ »ý±ä ¿¡³ÊÁö levelÀ» Donor LevelÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
DP(Dew Point) ³ëÁ¡¿Âµµ¸¦ ³ªÅ¸³»¸ç °ø±âÁßÀÇ ¼öÁõ±â°¡ ÀÀ°áµÇ´Â ¿Âµµ¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Dopant Dope½Ã ÁÖÀԵǴ ºÒ¼ø¹°À» Dopant¶ó ÇÑ´Ù.
Dope ¹ÝµµÃ¼¼Ó¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔ(È®»ê, ION IMPLANTATION µî¿¡ ÀÇÇØ¼)ÇÏ´Â °ÍÀ» Dope¶ó°í ÇÑ´Ù.
Doping ¹ÝµµÃ¼ Àç·á(Wafer)¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔÇÏ¿© P-type ¶Ç´Â N-typeÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Ư¼ºÀ» ¸¸µå´Â °ÍÀ¸·Î ¹Ú¸·À̳ª
½Ç¸®ÄÜ ±âÆÇ¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔ½ÃÄÑ ÀüµµÆ¯¼ºÀ» Çâ»ó½Ãų ¶§ »ç¿ëÇÔ.
Dope Oxide DopingµÈ layerÀ§¿¡¼ ¼ºÀåµÈ Oxide.
DOS(Disk Operating System)
ÄÄÇ»Å͸¦ Á¦¾îÇÏ´Â ¸ð´ÏÅͳª ÇÁ·Î±×·¥ ·çƾ ¶Ç´Â ¶óÀ̺귯¸® µîÀÇ ¿î¿µÃ¼Á¦°¡ ¸ðµÎ Àڱ⠵ð½ºÅ©¿¡ ÀÇÇØ
ÀÌ·ç¾îÁö´Â System.
Dosage ºÒ¼ø¹°ÀÇ ¾çÀ» ¸»ÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î¼ ´ÜÀ§ ¸éÀû´ç ÅõÀԵǴ ºÒ¼ø¹° °¹¼ö¸¦ ³ªÅ¸³¿.
Dose
Ion Implantation µî Ãæ°Ý¿¡ ÀÇÇØ¼ ¹ÝµµÃ¼¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔÇÏ´Â °ÍÀ» Dose¶ó°í ÇÏ¸ç §²´ç ºÒ¼ø¹° °¹¼ö·Î Ç¥Çö.
DP(Dew Point) À̽½Á¡À» ¸»ÇÔ.
DPM(Defect Per Milion) Percent(%)¡¿106
Dot-Clock Signal µð½ºÇ÷¹ÀÌ ½Ã½ºÅÛ¿¡¼ È¼Ò ºñ¸¦ Á¶ÀýÇÏ´Â ½ÅÈ£.
DPLL(Dull Phase Locked Loop)
PLLÀº ÀԷ½ÅÈ£¿¡ ´ëÇØ Á֯ļö¿Í À§»óÀÌ °°Àº ½ÅÈ£¸¦ ¹ß»ý½ÃŰ´Â Æóȸ·Î·Î¼,¹«¼±Åë½Å¿¡¼ ¼ö½Å°ú ¼Û½ÅÀ» µ¿½Ã¿¡
¼öÇàÇϱâ À§ÇØ 2°³ÀÇ PLLÀ» »ç¿ëÇϴµ¥ ÀÌ·¯ÇÑ µÎ °³ÀÇ PLL ±¸Á¶¸¦ DPLLÀ̶ó Çϸç,ÀÌ´Â Digital PLL°ú´Â ±¸º°µÈ´Ù.
DRAM(Dynamic Random Access Memory)
CapacitorÀÇ Á¤Àü¿ë·®À» ÀÌ¿ëÇÑ Cell ¸ð¾çÀÇ Device·Î½á Àбâ¿Í ¾²±â°¡ ÀÚÀ¯·Î¿ì¸ç CAP.¿¡ Charge¸¦ ½ÃÄÑÁÖ±â
À§ÇØ Refresh CycleÀÌ ÇÊ¿äÇÔ.
Drain
Àü°èÈ¿°ú TR(FET)ÀÇ Àü±ØÀÇÇϳª,µå·¹ÀÎÀº ÁÖȸ·Î Àü·ù°¡ Èê·¯µé¾î °¡´Â Àü±ØÀ̸ç Åë»óÀÇ »ç¿ë¹ýÀÎ ¼Ò¿À½º
Á¢Áö ¹æ½Ä¿¡¼´Â Ãâ·ÂÀ» ²¨³»´Â Àü±ØÀÌ µÈ´Ù.
µû¶ó¼ µå·¹ÀÎÀº º¸ÅëÀÇ TR, Áï Á¢ÇÕÇü TRÀÇ ÄÝ·ºÅÍ¿¡ »ó´çÇÏ´Â Àü±ØÀ̶ó°í ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
DRC/ERC/LVS
DVP-Circuit°ú LayoutÀÇ ³»¿ëÀÇ ÀÏÄ¡¼º ¹× Design Rule, Àü±âÀû Ư¼ºÀÇ ÀÌ»ó À¯¹«¸¦ °Ë»çÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
°¡. DRC(Design Rule Check) - Layout DataÀÇ ±ÔÄ¢(MetalÀÇ ¼±Æø, µîµî)À» Check
³ª. ERC(Electrical Rule Check) - Àü±âÀûÀΠƯ¼ºÀ» Check
´Ù. LVS(Layout vs Schematic) - Layout Data¿Í CircuitÀÇ Â÷ÀÌÁ¡À» ºñ±³ Ãâ·Â.
Dressing Wafer Àý´Ü¿ë Å鳯(Blade)À» ´Ùµë¾î ÁÖ´Â ÇàÀ§¸¦ DressingÀ̶ó ÇÔ.
Drift ÁÖ·Î Á÷·ù ÁõÆø±â¿¡¼ ¹®Á¦°¡ µÇ¸ç ÀÔ·Â ½ÅÈ£°¡ "0"Àε¥µµ Ãâ·ÂÀü¾ÐÀÌ º¯µ¿ÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Drift Current
±ÕÀÏÇÏ°Ô ºÐÆ÷ÇÑ Extrinsic Semiconductor¿¡¼ ¿ÜºÎ E-Field°¡ °¡ÇØÁ³À» ¶§ È帣´Â Current CarrierÀÇ
Drift Velocity´Â v=¥ìE(¥ì:Moblity, E: Electric Filed)·Î Á¤ÀǵȴÙ.
Drive-In
DepositionµÈ B(ºØ¼Ò)³ª P(ÀÎ)À» Wafer ³»ºÎ·Î ´õ ±íÀÌ Ä§Åõ½ÃŰ´Â °ÍÀ» ¸»Çϸç È®»ê·Î(Furnace)¸¦ ÀÌ¿ëÇÔ.
Driver Device¿¡ Àü¾Ð, ÆÄÇü µîÀ» Àΰ¡ÇÏ´Â ÀüÀÚ ÀåÄ¡.
Driving Frequency ¾×Á¤ ¼ÒÀÚ¸¦ ±¸µ¿½Ã۱â À§ÇØ Àΰ¡ÇÏ´Â ±³·ù Àü¾ÐÀÇ ÇÁ·¹ÀÓ Á֯ļö.
Driving Voltage ¾×Á¤ ¼ÒÀÚ¸¦ ±¸µ¿½Ã۱â À§ÇØ Àΰ¡ÇÏ´Â ±³·ù ÀüÀÔÀÇ ÇÇÅ© °ª.
DRO(Destructive Read-Out)
ÆÄ±«ÆÇµ¶. ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚ¿¡¼ ±â¾ï³»¿ëÀ» ÆÇµ¶ÇÒ ¶§ ÀÌ ÆÇµ¶ Á¶ÀÛ¿¡ ÀÇÇØ¼ ±â·ÏµÈ ±â¾ï³»¿ëÀÌ ¼Ò¸êµÇ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Dross(Âî°Å±â) ¿ëÇØµÈ ¼Ö´õÀÇ Ç¥¸é¿¡ ¶°ÀÖ´Â ¿À¿°¹°Áú.
DRT(Device Reliability Test)
"½ÅÁ¦Ç° ½Å·Ú¼º ½ÃÇè"À¸·Î¼ ½ÅÁ¦Ç°¿¡ ´ëÇÑ Ç°Áú ÀÎÁ¤°Ë»ç(Quality Approval Test)¸¦ ¸»ÇÔ.
Dry Etch °Ç½Ä ½Ä°¢. ¿ë¾×¼º ÈÇй°ÁúÀ» »ç¿ëÄ¡ ¾Ê°í Ȱ¼ºÈ µÈ Gas(Plasma)¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ´Â ½Ä°¢ ¹æ¹ý.
Dry Process
Ç÷¹ÀÌ³Ê TR, IC µîÀÇ »çÁø½Ä°¢±â¼ú¿¡ ÀÖ¾î¼ °¡½ºÇöóÁ³ª À̿ beamÀ» ¿¡Äª¿¡ ÀÌ¿ëÇÏ´Â ¹æ¹ý.
DST(Die Share Test)
Die Á¢Âø·Â ½ÃÇèÀ¸·Î¼ Die Attach °øÁ¤À» °ÅÄ£ Áß°£ Á¦Ç°¿¡ ´ëÇØ Die¿Í Frame pad Á¢Âø Á¤µµ¸¦ ÆÇÁ¤Çϱâ À§ÇÑ ½ÃÇè.
DT(Down Time) ÀÛ¾÷ÀÌ ÁߴܵǴ ½Ã°£.
DTAD
Magnetic TapeÀ» ÀÌ¿ëÇϰí ÀÖ´Â Analog À½¼º ÀúÀ广¹ý ´ë½Å¿¡ Memory chip°ú Codec µîÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© Tape¸¦ ¾ø¾Ø
Digital Tapeless Answering Device.
DTP(Desk Top Publishing)
Ã¥»ó À§¿¡¼ Ã¥ÀÌ ¸¸µé¾îÁø´Ù´Â ¶æÀ¸·Î PC¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ¿ø°íÀÇ ÀÛ¼º¿¡¼ºÎÅÍ ÆíÁý Àμâ±îÁö ÀϰýÀûÀ¸·Î ó¸®ÇÏ´Â ÇüÅÂ.
Dual Gate MOS FET °íÁÖÆÄ¿ë MOS FET·Î¼ 2°³ÀÇ Gate¸¦ °¡Áø °ÍÀÌ´Ù.
Duct
°ø±â(°¡½º)ÀÇ À̼۽à »ç¿ëÇÏ´Â Àåºñ·Î¼ Á÷»ç°¢Çü ¹× ¿øÅëÇüÀ¸·Î Á¦À۵ǰí À̼ÛÇÏ´Â °ø±âÀÇ Á¾·ù¿¡ µû¶ó ¾Æ¿¬µµ
±ÝöÆÇ, ½ºÅ×Àη¹½º ¹× PVC µîÀ» »ç¿ëÇÑ´Ù.
Dummy Frame ±ÝÇüÀ» ¼¼Á¤Çϱâ À§ÇØ »ç¿ëµÇ´Â ChipÀÌ ºÙ¾î ÀÖÁö ¾Ê´Â »óÅÂÀÇ Lead Frame.
Dummy Wafer Tube³»¿¡ °øÁ¤ÀÇ Uniformity¸¦ ÁÁ°Ô Çϱâ À§ÇØ »ç¿ëÇÏ´Â Wafer ¶Ç´Â »ý»ê Wafer¿Í ÇÔ²² ÅõÀԵǾî
»ý»ê WaferÀÇ Á¦Ç°Æ¯¼ºÀÇ ±ÕÀϼºÀ» µµ¸ðÇϱâ À§ÇØ ¾²ÀÌ´Â Wafer.
Dumping
½ÃÀå¿¡¼ÀÇ Á¡À¯À²À» ³ôÀ̱â À§ÇÏ¿© Á¤»óÀÌÇÏÀÇ ¿°°¡·Î »óǰÀ» ÆÇ¸ÅÇÏ´Â ÇàÀ§. ÇØ¿Ü½ÃÀå¿¡¼ÀÇ ¿°°¡ÆÇ¸Å·Î ÀÎÇÑ
¼Õ½ÇÀ» ±¹³»½ÃÀå¿¡¼ÀÇ ÃʰúÀÌÀ±À¸·Î ¸Þ²Ù¾î¾ßÇϹǷΠ¼öÀÔǰÀ¸·Î ºÎÅÍÀÇ ±¹³» ½ÃÀ庸ȣ Çʿ信 µû¶ó¼ ´ýÇÎÀº
¼öÀÔÁ¦ÇÑ Á¶Ä¡¸¦ ÀüÁ¦·Î ÇÑ ¼öÃâÈ®´ë Á¤Ã¥.
Dumping-ZIG ÇÑÂÊ Carrier¿¡ ´ã±ä wafer¸¦ ´Ù¸¥ carrier¿¡ ÇѲ¨¹ø¿¡ ¿Å°Ü ´ãÀ» ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÏ´Â Ä¡°ø±¸.
Duplication À¯»çÇÑ Á¶°ÇÇÏ¿¡¼ 1ȸ ÀÌ»óÀÇ Treatment¸¦ ½ÇÇàÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Note) ¹Ýº¹°ú ºñ±³ÇßÀ» ¶§, DuplicationÀº ½ÇÇèÀÇ ´ÜÀÏ¿ä¼Ò·Î ¾ð±ÞµÈ´Ù.
DUT(Device Under Test)
°Ë»çµÇ°í ÀÖ´Â Á¦Ç°. Test¸¦ Çϱâ À§ÇØ ÀåÂøÇÑ ¼ÒÀÚ¸¦ ¸»Çϰí, À̸¦ À§Çؼ´Â DUT Board°¡ ÇÊ¿äÇÔ.
Duty Cycle½ºÅ©¸°»ó¿¡¼ °¢ ȼҸ¦ ÀçÇ¥½ÃÇϴµ¥ °É¸®´Â ½Ã°£À¸·Î refrersh rate°¡ 60Hz ¹Ì¸¸ÀÌ µÇ¸é Àΰ£ÀÌ
±ô¹ÚÀÓÀ» ÀÎÁöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
Duty Ratio ÁÖ±â½ÅÈ£ ü°è¿¡¼ ÀÏÁ¤ Áֱ⿡ ´ëÇÑ ¼±Åà ½ÅÈ£°¡ ¹ß»ýÇϰí ÀÖ´Â ±â°£ÀÇ ºñ.
Dyed Poryides Æú¸®À̵̹å(polyimide) ±âÆÇ¿¡ »ö¼Ò¸¦ ³ì¿©¼ Âø»öµÈ Ãþ¿¡ ºûÀ» Åë°ú½ÃÅ´À¸·Î Âø»öÇÏ´Â ¹æ¹ý.
Dynamic Shift Register MOS ƯÀ¯ÀÇ È¸·Î·Î¼ µ¿ÀûÀ¸·Î Ç×»ó µ¿ÀÛÇϰí ÀÖ´Â Shif Register¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Dynamic RAM(DRAM) (Dynamic Random Acccess Memory) ¿ë·®¼º ÃæÀü(Capapcitance Charge)
¿©ºÎ¿¡ ÀÇÇÏ¿© "1" ¶Ç´Â "0"ÀÇ Á¤º¸¸¦ ÀúÀåÇÒ ¼ö Àִ±â¾ïÀåÄ¡À¸·Î Àç̵̾½ÃÄÑ¾ß ±â´ÉÀ» À¯ÁöÇÔ.
Dynamic Scattering Mode(µ¿Àû »ê¶õ ¸ðµå)
Àü±âÀ¯Ã¼ ¿ªÇÐÀû ºÒ¾ÈÁ¤»óÅ·μ ³×¸¶Æ½»ó¿¡ Àü°è¸¦ Àΰ¡Çϸé Àü±âÀ¯Ã¼ ¿ªÇÐÀû ºÒ¾ÈÁ¤¼º¿¡ ÀÇÇØ¼ ´ë·ù°¡ ¹ß»ýÇÑ´Ù.
Àü°è°¡ Áõ°¡Çϸé ÀÕ´Þ¾Æ »õ·Î¿î ´ë·ù±¸Á¶°¡ »ý°Ü ÃÖÁ¾ÀûÀÎ ³·ù·Î º¯ÈÇÑ´Ù. ³·ù»óŰ¡ µÇ¸é ¾×Á¤Àº ±× ±¤ÇÐÀû
À̹漺°ú À¯Ã¼¿îµ¿¿¡ ÀÇÇØ °ÇÏ°Ô ºûÀ» »ê¶õ½ÃŲ´Ù.
Dynascope Wafer
À°¾È°Ë»ç¿ë Çö¹Ì°æÀÇ Çϳª·Î, º¸ÅëÀÇ Çö¹Ì°æ°ú ´Ù¸¥ Á¡Àº Åõ¿µ±â°¡ Æò¸é À¯¸®·Î µÇÁö ¾Ê°í µð½ºÅ©¶ó°í
ÇÏ´Â Á÷°æ 0.1§®ÀÇ ¹Ì¼Ò·»Áî°¡ ¹«¼öÇÏ°Ô ¹è¿µÈ °ÍÀ» »ç¿ëÇϹǷμ, ¼±¸íÇÏ°í º¸±â ½¬¿î Ư¡ÀÌ ÀÖ´Ù.
(À°¾ÈÀÇ ÇǷΰ¡ ÀûÀ½) Àý´Ü ³ôÀÌ, ±íÀÌ, Àü´Ü ¿þÀÌÆÛ µÎ²² ¹× ¿þÀÌÆÛ ¿Ü°£ ÃøÁ¤ µî¿¡ »ç¿ëµÊ.
DW(Diffused Wafer) È®»ê ¿þÀÌÆÛ.
|