¡ß Page Select
A B C D E F G H I JK L M N O P Q R S T U V WXYZ
  
D(Demerit)  
    Quality scoreÀÇ °¡ÁßÄ¡¸¦ ¾ò±â À§ÇÑ ¼ö´ÜÀ» Á¦°øÇϱâ À§Çؼ­ »ç°ÇÀ̳ª »ç»óÀÇ ±¸ºÐÀ» À§ÇØ Á¤ÇسõÀº °¡ÁßÄ¡.
D-A º¯È¯±â(Digital to Analog  Converter)
    µðÁöÅ» ½ÅÈ£¸¦  ÀÔ·ÂÀ¸·Î ÇÏ¿© Analog½ÅÈ£¸¦ Ãâ·ÂÀ¸·Î ²¨³»´Â ȸ·Î¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
DA(Die Attach)  Die¸¦ Lead Frame¿¡ Á¢Âø½ÃŰ´Â °øÁ¤.
DAC(Digital to Analog Converter)  Digital ½ÅÈ£¸¦ Analog  ½ÅÈ£·Î º¯È¯ÇÏ´Â º¯È¯±â.
D. C Characteristic
    DeviceÀÇ Status¿¡ µû¶ó È帣´Â Current Ư¼ºÀ» ¸»Çϸç,  Device µ¿ÀÛ Statusº°·Î ±¸ºÐµÇ¾î ÀÖÀ½.
DAD(Digital Audio Disk)  ¿Àµð¿À ½ÅÈ£¸¦ µðÁöƲ·Î º¯È­½ÃÄÑ  ±â·ÏÇÑ Disk¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
DAE(Dynamic Asian Economies)
    Çѱ¹, ´ë¸¸, È«Äá, ½Ì°¡Æ÷¸£ µî ¾Æ½Ã¾Æ ½ÅÈï °ø¾÷ °æÁ¦±ÇÀ̶õ ¸» ´ë½Å °æÁ¦Çù·Â°³¹ß±â±¸°¡ »õ·Ó°Ô »ç¿ëÇÑ ¿ë¾îÀÌ´Ù.
Daisy Chain  º¹¼öÀÇ ÁÖº¯ LSI¿¡ ÀԷ¿䱸°¡ µ¿½Ã¿¡ ¹ß»ýÇÒ  ¶§ ¿ì¼±¼øÀ§¸¦ °áÁ¤Çϴ ȸ·Î.
Dambar  PKG LeadÀÇ »ó´Ü ºÎºÐÀ» ¿¬°áÇÏ´Â °¡·ÎÃà Bar.
Dark Current(¾ÏÀü·ù)  ¹«½ÅÈ£½Ã¿¡ È帣´Â Àü·ù·Î¼­ Â÷´ÜÀü·ù¿Í °°Àº °ÍÀÌ´Ù
D.A.T.A.  ¹Ì±¹ Derivation And Tabulation Associates Inc.¿¡¼­ ¹ßÇàÇϰí ÀÖ´Â  ±Ô°Ý À϶÷Ç¥.
Data  ¸ðµç Á¤º¸ ¼ýÀÚ, ¹®ÀÚ µîÀ¸·Î Åë½Å±â±â³ª Computer¿¡¼­ 󸮵Ǵ ÀÚ·á.
Data Base  
    µ¥ÀÌÅ͸¦ ÀúÀåÇÏ´Â °÷À¸·Î½á ÁÖ·Î disk storage°¡ »ç¿ëµÇ¸ç ÀúÀåÇÏ´Â  ¹æ¹ý°ú ÀúÀåµÈ  µ¥ÀÌÅ͸¦ ²¨³»´Â 
    ¹æ¹ý¿¡ µû¶ó ¿©·¯°¡Áö DB°¡ ÀÖÀ¸¸ç ÁÖ·Î ¸¹ÀÌ »ç¿ëµÇ´Â DB´Â relational data base³ª objectoriented data base´Ù.
Data Base Management system  µ¥ÀÌÅÍ º£À̽º¸¦ °ü¸®ÇØ ÁÖ´Â S/W ½Ã½ºÅÛÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Data Compression 
    ¿µ»óÀ̳ª À½¼º µîÀÇ ½ÇÁ¦ µ¥ÀÌÅÍ´Â ±× ¸ð¾çÀÌ ¸Å¿ì Å©¹Ç·Î ÀúÀåÀ̳ª Åë½ÅÇϱ⿡ ¾î·Á¿òÀÌ ÀÖ´Ù. 
    ±×·± µ¥ÀÌÅÍÀÇ ¾çÀ» ÁÙÀÌ´Â ±â¹ýÀ» ÀÏÄÃÀ¸¸ç  ±× ¹æ¹ý¿¡´Â ¿ø·¡ µ¥ÀÌÅÍ¿¡ ÀüÇô ¼Õ½ÇÀ» ÁÖÁö ¾Ê´Â data lossless  
    compression°ú »ç¶÷ÀÇ ½Ã°¢À̳ª û°¢ÀÇ ÇѰ踦 ÃÖ´ëÇÑ ÀÌ¿ëÇÏ¿©  ´«°ú ±Í°¡ ÀÎ½Ä ¸øÇÏ´Â ¹üÀ§³»ÀÇ µ¥ÀÌÅ͸¦ 
    ¾ø¾Ö¼­ ¾ÐÃàÈ¿°ú¸¦ ³ªÅ¸³»´Â data losssy compressionÀÌ ÀÖ´Ù.
Data Line  ¸ÅÆ®¸®½º ¹è¿­¿¡  ÀԷµǴ ½ÅÈ£°¡ µé¾î°¡´Â ¶óÀÎÀ¸·Î  ¾îµå·¹½º¼±°ú ÇÔ²² È­¼ÒÀÇ on-off ±¸µ¿ÇÑ´Ù.
Data-Log  °Ë»ç ÁøÇàÁß¿¡ Ç׸ñº° ³»¿ëÀ» ³ªÅ¸³»´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
Data Retention Mode  
    Èֹ߼º ¸Þ¸ð¸®(DRAM/SRAM)¿¡ µ¥ÀÌÅ͸¦  ÀúÀåÇÏ´Â ÇüÅ·Î, ÀϹÝÀûÀ¸·Î ½Ã½ºÅÛ  power-off Á÷ÈÄ   battery  back-up 
    circuit¿¡ ÀÇÇØ µ¥ÀÌÅͰ¡ ¸Þ¸ð¸® Á¦Ç°ÀÌ ±â¾ïµÉ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÏ´Â ÃÖ¼ÒÇÑÀÇ ÀÔ·Â Á¶°ÇÀÇ »óȲ.
DAT Recorder(Digital Audio Tape Recorder)
    Compact Disk¿¡ ¸øÁö ¾Ê°Ô ¿Ïº®ÇÑ ¿øÀ½À» Digital·Î Tape¿¡ ±â·Ï,Àç»ýÇØ  µè´Â ±â±â.CDP¿Í´Â ´Þ¸® ³ìÀ½ÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù.
DBF ÆÄÀÏ  ¾Ö½¬Åæ Å×ÀÌÆ®ÀÇ DBASE ÇÁ·Î±×·¥µé¿¡ ÀÇÇØ »ç¿ëµÇ´Â ÆÄÀÏ»óÅÂ.
DBP(Deutsche Bundespost).
DC(Document Control)  Ç¥ÁØ »ç¹«±¹.
DC(Direct Current)  ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Á÷·ù Àü¾ÐƯ¼º.
DC Characteristic  
    DeviceÀÇ Status¿¡  µû¶ó È帣´Â current Ư¼ºÀ»  ¸»Çϸç, Device µ¿ÀÛ Statusº°·Î ±¸ºÐµÇ¾î ÀÖÀ½.
DC Parametric Testing 
    Steady state test·Î¼­ OHMÀÇ ¹ýÄ¢À» ±âº»À¸·Î ÇÏ¿© Àü±âÀû Ư¼ºÀÌ  °áÁ¤µÇ´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù. 
    º¸Åë ÁÖ¾îÁø Àü¾Ð/Àü·ù¸¦ Àΰ¡Çϰí Àü·ù/Àü¾ÐÀ»  ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. DC 
    test¿¡´Â ¼Ò¸ðÀü·ù(ICC),  ´©¼³Àü·ù(leakage test),·ÂÀü¾Ð(VIL, VIH), Ãâ·ÂÀü¾Ð(VOL, VOH) µîÀÌ ÀÖ´Ù.
DC PDP(Direct Current Plasma Display Panel)  
    À½±Ø°ú ¾ç±Ø »çÀÌ¿¡ ÇÁ¶óÁ °¡½º(Ionized Neon-Argon Gas)¸¦ ºÀÇÕÇϰí,¾ç Àü±Ø »çÀÌ¿¡ Á÷·ù¸¦ °¡ÇÏ¿© 
    ÇÁ¶óÁ¸¦ ¹ß±¤½ÃÄÑ ½ÅÈ£¸¦ Ç¥½ÃÇÏ´Â ¼ÒÀÚ.
DCW(Dry Cooling Water)  
    FAB¿¡¼­ ¼øÈ¯µÇ´Â °ø±âÀÇ ¿Âµµ¸¦ ¹Ì¼¼ÇÏ°Ô Á¶ÀýÇϱâ À§ÇÏ¿©  Cooling Coil³»·Î È帣´Â ¹°.
DD(Double Die)  ÀÌÁß Die.
Debug  ºÒ·®Ç°, ºÒÇÕ°ÝǰÀ» Á¦°ÅÇÏ´Â ÀÛ¾÷ ÀϹÝ.  Debugging, Screening, BURN-IN À̶ó°íµµ ÇÑ´Ù.
Debugging  
    Test Plan¿¡ ÀÇÇØ Á¦½ÃµÈ ³»¿ë°ú ½ÇÁ¦ ¼ÒÀÚ¿¡¼­ ³ªÅ¸³ª´Â Â÷ÀÌÁ¡À»  ÁÙ¿© ³ª°¡±â À§ÇÑ ÀÏ·ÃÀÇ ÀÛ¾÷ÀÌ´Ù.
Decay Time  ³×°¡Æ¼ºê Ç¥½ÃÀÇ °æ¿ì ÃÖ´ë  ÄÜÆ®¶ó½ºÆ®ºñ°¡ 100%¿¡¼­ 10%±îÁö  º¯È­Çϴµ¥ °É¸®´Â ½Ã°£.
Decel Mode  °¡¼Ó¿¡³ÊÁö¸¦ °¡ÇÏÁö  ¾Ê°í ÃßÃâÀü¾Ð¸¸À¸·Î IonÀ» ÁÖÀÔÇÏ´Â  ÇüÅÂ(¿¡³ÊÁö ¹üÀ§0-33kev).
Decoder  
    2Áø¹ýÀÇ ¼ö¸¦ ÇØµ¶(Decode)ÇÏ¿© ƯÁ¤ÀÇ Ãâ·Â(10Áø¹ýÀÇ ¼ö)À» ¼±ÅÃÇØ³»´Â ȸ·Î¸¦ 2Áø-10Áø DecoderÀ̶ó 
    ÇÑ´Ù ¡ê Encoder.
DECT(Digital European Cordless Telephone).
Defect(°áÇÔ) 
      Product³ª service¿¡ ¸ñÀûÇÑ »ç¿ë±â´ÉÀ» ¸¸Á·½ÃŰÁö ¸øÇÏ´Â ½É°¢ÇÑ ¿øÀÎÀÌ  ¹ß»ýÇÏ¿© Á¦Ç°ÀÇ  Ư¼ºÀÌ ¸ñÀûÇÑ 
     ¼öÁØÀ̳ª »óÅ¿¡¼­  ¹þ¾î³². defect´Â ½É°¢ÇÑ Á¤µµ¿¡ µû¶ó ´ÙÀ½°ú °°ÀÌ ºÐ·ùÇÑ´Ù.
     Class 1 ¸Å¿ì½É°¢ : ¸Å¿ì ½ÉÇÑ ¼Õ»óÀ̳ª ´ë´ÜÈ÷ Å« °æÁ¦Àû ¼Õ½ÇÀ» Á÷Á¢ ÃÊ·¡
     Class 2 ½É    °¢ : Áß´ëÇÑ ¼Õ½ÇÀ̳ª °æÁ¦Àû ¼ÕÇØ¸¦  Á÷Á¢ ÃÊ·¡
     Class 3 Áß¿ä°áÇÔ : »ç¿ë¸ñÀûÀ» °í·ÁÇÒ ¶§ ÁÖ¿ä ¹®Á¦Á¡µé°ú °ü·ÃµÈ °áÇÔ
     Class 4 ¹Ì¼¼°áÇÔ : »ç¿ë¸ñÀûÀ» °í·ÁÇÒ ¶§ ÇÏÂúÀº °áÇÔ
Deflash  Compound Â±â Á¦°Å.
Defocus(ÃÐÁ¡ºÒ·®)
    »çÁø °øÁ¤¿¡¼­  »ç¿ëµÇ´Â ¿ë¾î·Î½á  °¨±¤ ¿øÆÇ°ú °¨±¤¹°Áú (P/R)°úÀÇ Çü»óÀÌ ºÒÀÏÄ¡µÇ´Â ÃÐÁ¡ÀÇ ºÎÁ¤È®µµ.
Delamination(Ãþ°£µé¶ä)  ´ÙÃþ±â°üÀÇ Ãþ°£ÀÇ µé¶äÀ̳ª Ç¥¸éµ¿¹Ú°ú ³»ºÎ±âÃÊÀç°£ÀÇ µé¶ä.
Deming Prize 
    ¹Ì±¹ÀÇ Ç°Áú°í¹®ÀÎ  W. EDWARDS DEMINGÀÇ À̸§À»  µû¼­ â¼³µÈ ÀϺ»¿¡ À־ÀÇ Ç°Áú°ü¸®»ó. ÀÌ»óÀÇ ¼±Á¤
    ±âÁØÀº ǰÁúÅëÁ¦¹æ¹ý¿¡ ´ëÇÏ¿© ±¸Ã¼ÀûÀ¸·Î Á¤ÇØÁ® ÀÖÀ¸¸ç ±× ±âÁØÀº 'ÀϺ» ÇÐÀÚ  ¹× ±â¼úÀÚ ¿¬ÇÕ' (JUWSE)
    ¿¡ ÀÇÇØ Á¤ÇØÁø´Ù.
Delay Time  
    TRÀÇ SwitchingƯ¼ºÀ» ½ºÀ§Äª ½Ã°£À¸·Î ³ªÅ¸³¾  ¶§ º£À̽º¿¡ ÀÔ·Â ÆÞ½º°¡  °¡ÇØÁøÈÄ ÄÝ·ºÅÍ¿¡  È帣´Â Àü ·ùÀÇ  
    Ãâ·Â ÆÞ½º°¡  ÃÖ´ëÁøÆø(ÃÖÁ¾°ª)ÀÇ 10%¿¡ µµ´ÞÇϱâ±îÁöÀÇ ½Ã°£.
Demo  
    ¹Ìº¸À¯  Àåºñ¿¡ ´ëÇÑ °øÁ¤Æ¯¼ºÀ» ºÐ¼®Çϱâ À§ÇØ  Àåºñ°¡ ÀÖ´Â °÷À¸·Î wafer¸¦ ¹Ý¼ÛÇÏ¿© °øÁ¤À» ÁøÇàÇÑ ÈÄ, ¹ÝÀÔÇÏ¿©
    °øÁ¤Æ¯¼ºÀ» ºÐ¼®ÇÏ´Â ÇàÀ§.
Demultiplexer 
    ¸ÖƼÇ÷º¼­¿Í ¹Ý´ë·Î Á÷·Ä·Î ÀÔ·ÂµÈ Data¸¦ Á¦¾îÀÔ·Â(¼±ÅÃÀÔ·Â)¿¡ ÀÇÇØ ControlÇÏ¿© º´·Ä·Î º¯È¯Çؼ­
    Ãâ·ÂÀ¸·Î ²¨³»´Â ȸ·ÎÀÌ´Ù.
Dent  µ¿¹ÚµÎ²²¸¦ Å©°Ô ¼Õ»ó½ÃŰÁö ¾ÊÀ¸¸é¼­ ¾à°£ Áþ´­·ÁÁø »óÅÂ.
Depletion Device  MOS FETÀÇ  ÀÏÁ¾À¸·Î  Gate Àü¾ÐÀ»   °¡ÇÏÁö ¾Ê¾Æµµ ChannelÀÌ Çü¼ºµÇ¾î ÀÖ´Â ¹ÝµµÃ¼ ÀåÄ¡.
Depletion Layer(°øÇÌÃþ)  
    PN Á¢ÇÕ¿¡ ¿ª¹æÇâ Àü¾ÐÀ» °É¸é PÃø¿¡ ÀÖ´Â  Hole°ú NÃø¿¡ ÀÖ´Â ÀüÀÚ´Â  Á¢Çպκп¡¼­ ¸Ö¾îÁø´Ù. 
    ±×¸®°í Á¢Çպαٿ¡´Â ij¸®¾î°¡ ¸Å¿ì ÀûÀº ºÎºÐÀÌ »ý±â´Âµ¥ À̰ÍÀ» °øÇÌÃþÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
Depletion Mode  Àü°èÈ¿°ú TRÀÇ »ç¿ë¹ý Áß Ã¤³ÎÀ» ¾àÇÏ°Ô ÇÏ´Â ¹æÇâÀ¸·Î °ÔÀÌÆ®¿¡ Bias¸¦ °¡ÇÏ´Â ¹æ¹ý.
Depletion Type  
    ChannelÀ» DepleteÇÏ´Â  ¹æÇâ. Áï  ¾àÇÏ°Ô ÇÏ´Â  ¹æÇâÀ¸·Îµµ Channel Àü·ù¸¦  Á¦¾îÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÇüÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Deposition  
    »ó¾Ð  ¶Ç´Â Àú¾Ð»óÅ¿¡¼­  ÁÖ·Î CVD  ¹æ¹ý¿¡ ÀÇÇØ,  Si ±â°üÀ§¿¡  Film(¸·)(Oxide, Nitride µî)À» ¼ºÀå½ÃŰ´Â °Í.
Deprocess  °øÁ¤À» ³¡¸¶Ä£ ¼ÒÀÚ¸¦ °øÁ¤ ¼ø¼­¿Í ¹Ý´ë·Î ÇÑ Ãþ¾¿  strip backÇØ°¡¸ç defect site¸¦ ºÐ¼®ÇÏ´Â °úÁ¤.
Descum  Çö»ó ÀÛ¾÷ÈÄ Á¦°ÅµÇÁö ¾Ê°í  ³²¾ÆÀÖ´Â ¹Ì·®ÀÇ °¨±¤¾× Â±â(Scum)¸¦  Ãß°¡·Î °Ç½Ä Á¦°ÅÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
Design of Experiments
    ½ÇÇè°èȹ¹ý. ÁøÇàÇÒ ½ÇÇè¼ø¼­¸¦ ¹è¿­Çϰí, ½ÇÇè¿¡ Æ÷ Ç﵃ Çϳª ȤÀº  ´Ù¼öÀÇ ÀÎÀÚµéÀÇ ¼öÁØÀ» ¼±ÅÃÇÑ´Ù.
Design Kit  
    Electrical/Physical·Î ±¸º°µÇ¸ç ASIC Á¦Ç° ¼³°è½Ã Àü±âÀûÀ¸·Î Modelling°ú Layout Á¤º¸¸¦ Æ÷ÇÔÇÑ  Database¸¦
    ÀÌ¿ëÇÏ¿© ¼³°èÇÏ´Â  Electrical Design Kit¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.     (¿¹ : Mentor Design Kit, Verilog Design Kit µî)
Design Rule  
     ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¼³°è°úÁ¤¿¡¼­ °øÁ¤´É·Â°ú ¼³Á¤µÈ Á¦Á¶¹æ¹ýÀÇ ÇѰ輺À» °í·ÁÇÏ¿©  ¹Ýµå½Ã ÁöÄÑÁ®¾ß¸¸ ÇÏ´Â ¼³°è±ÔÄ¢À¸
    ·Î¼­ °¢ ±â´É ºÎÀ§ ¹× ±â´ÉºÎÀ§ °£ÀÇ ¹°¸®Àû °Å¸®°¡ ±× ³»¿ëÀ¸·Î Æ÷ÇԵȴÙ.
Develop  
    Mask¸¦ AlignÇÑ ÈÄ Àڿܼ±¿¡ expose ÇßÀ»¶§ Pattern ¸ð¾ç¿¡ µû¶ó ³ë±¤µÈ ºÎºÐ°ú ³ë±¤µÇÁö ¾ÊÀº ºÎºÐÀ¸·Î È­ÇйÝÀÀÀÌ
    ÀϾ °ÍÀ»  ÀÌ¿ëÇØ È­°ø¾àǰÀ¸·Î Çö»óÇÏ´Â °Í.
Development
    Çö»ó, »çÁø °øÁ¤¿¡¼­ °¨±¤¾× µµÆ÷ ¹× ³ë±¤ÈÄ ÇÊ¿äÇÑ Pattern¸¸À» ³²±â°í  ºÒÇÊ¿äÇÑ ºÎºÐÀÇ °¨±¤¾×À» Á¦°ÅÇÏ´Â ÀÛ¾÷.
Device  ǰ¸í(ǰÁ¾) (Á¦Ç°).
Dextrotatory(à´ãÆàõ)
    ºûÀÇ ÁøÇà¹æÇâ¿¡ ´ëÇØ °üÃøÀÚ ÂÊ¿¡¼­ º» °æ¿ì ¸ÅÁúÀ» Åë°úÇÏ´Â  ºûÀÇ Æí±¤¸éÀÌ ½Ã°è ȸÁ¤¹æÇâÀ¸·Î ȸÀüÇϰí ÀÖ´Â °Í.
Dewetting
     ¿ëÇØµÈ ¼Ö´õ°¡ Ç¥¸é¿¡ µµÆ÷µÇ¾î ¿òÇ«µé¾î°¡°Å³ª µé¶°¼­ ºÒ¾¦Æ¢¾î  ³ª¿Â »óÅÂÀ̳ª ¿ø·¡ÀÇ ±Ý¼ÓÇ¥¸éÀº ³ëÃâµÇÁö ¾ÊÀ½.
DF(Die Fabrication)  Wafer mount °øÁ¤ºÎÅÍ dicing saw °øÁ¤À» ¸»ÇÔ.
DGP(Data Gathering Panel)  Á¤º¸¸¦ À̼ÛÇÏ´Â ´Ü¸»À̼ÛÀåÄ¡.
Dichromated  Gelatin  ºûÀÇ  Æí±¤  »óÅ¿¡  µû¶ó  Åë°úÇÏ´Â  ÆÄÀåÀÌ  ´Ù¸¥  Dichromated  Gelatin ÃþÀ» Åë°úÇÒ ¶§ 
    ä»öÀÌ µÇµµ·ÏÇÏ¿© ±¤À» Âø»öÇÏ´Â ¹æ¹ý.
Dicing  
    Æíµµ Àý´ÜÀ̶ó°íµµ Çϸç Wafer Àý´Ü ¹æ½ÄÀÇ Çϳª·Î ´ÜÀÏ ¹æÇâÀ¸·Î Àý´ÜÇÏ´Â ¹æ½Ä(¿ÞÂÊ¿¡¼­ ¿À¸¥ÂÊÀ¸·Î¸¸ Àý´Ü)
Dicing Saw  Wafer¸¦ Àý´ÜÇÏ¿© Die(Chip)¸¦ ºÐ¸®ÇÏ´Â Diamond Wheel.
Die Attach  °¢ Die¸¦ Lead Frame¿¡ ºÙÀÌ´Â ÀÛ¾÷.
Die Business 
    Probe Test ¿Ï·áÈÄ  package¸¦ ÇÏÁö ¾Ê°í Good  Die¸¦ wafer Çüųª  wafer¸¦ ÀÚ¸¥ÈÄ Good Die¸¸À»
    ÆÇ¸ÅÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÔ.
Die Bonder(´ÙÀ̺»´õ)  ´ÙÀ̴ Ĩ(Chip)À» ¸»Çϸç,Æ®·£Áö½ºÅͳª IC¸¦ Á¦Á¶ÇÒ ¶§ ĨÀ» ½ºÅÛ ¶Ç´Â ¸®À̵å ÇÁ·¹ÀÓ¿¡ 
    ºÙÀÌ´Â °ÍÀ» ´ÙÀ̺»µå  ¶Ç´Â º»µùÀ̶óÇϸç ÀÌ¿¡ ¾²ÀÌ´Â ±â°è¸¦ ´ÙÀ̺»´õ¶ó°í ÇÑ´Ù.
Die Bonding
    IC¸¦ Á¦Á¶ÇÒ ¶§ ChipÀ» ½ºÅÛ ¶Ç´Â ¸®À̵å ÇÁ·¹ÀÓ¿¡ ºÙÀÌ´Â °ÍÀ»  ´ÙÀ̺»µùÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. 
    Æç·¿¸¶¿îÆ®, ¸¶¿îÆ®¶ó°íµµ ÇÑ´Ù.
Die Coating  DieÀ§¿¡ º¸È£¸·À» ¾º¿ì´Â ÀÛ¾÷.
Die Collet  
    Die Á¢ÂøÀ» Çϱâ À§ÇÑ µµ±¸·Î¼­ Áø°øÀ¸·Î Die¸¦ ÈíÂø ¿î¹ÝÇÏ¿© Á¢ÂøÇϸç ÀçÁúÀº ÅÖ½ºÅÏ Ä«¹ÙÀ̵å·Î ³»¸¶¸ð ¹× 
    ³»¿­¼ºÀÌ ¿ä±¸µÊ. ¸ð¾çÀº ÇǸ¶¹Ô Çü.
Die Pocket  ÀÌ¼Û ÄÝ·¿¿¡ ºÎÂøµÈ Die¸¦ ¿¹¹æÁ¤¿­½ÃŰ´Â  Àå¼Ò. ÀçÁúÀº ½ºÅÙ·¹½º½ºÆ¿.
Die Sawing  WaferÀÇ °¢ ChipÀ» Á¶¸³Çϱâ À§ÇÏ¿© ÅéÀ¸·Î ÀÚ¸£´Â ÀÛ¾÷.
Dielectric Constant(À¯Àü »ó¼ö)
    À¯Àü ºÐ±ØÀÇ °­ÇÑ Á¤µµ¸¦ ³ªÅ¸³»´Â °è¼ö·Î¼­ À¯ÀüÀ²ÀÌ À̹漺À» Ç¥½ÃÇϸé Àü±âÀå¿¡ ÆòÇàÇÏ·Á°í ÇÏ´Â À¯ÀüÀ²ÀÌ
    ¼öÁ÷ÇÏ·Á°í ÇÏ´Â À¯ÀüÀ²º¸´Ù Ŭ¼ö·Ï ¾×Á¤ÀÔÀÚ°¡ ÀϾ´Â ¼Óµµ°¡ ºü¸£´Ù.
Dielectric Isolation  ¹ÝµµÃ¼ ICÀÇ ºÐ¸®¹æ¹ýÀÇ Çϳª·Î¼­ ¼ÒÀÚ°£ÀÇ  ÀúÇ×ÀÌ ³ôÀº Àý¿¬¹°·Î  ElectricalÇÏ°Ô ºÐ¸®ÇÏ´Â
    °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù. Àý¿¬Àç·á·Î´Â ÀÌ»êÈ­±Ô¼Ò(SiO2), Poly-Si, Ceramic µîÀÌ ÀÖ´Ù.

Diffused Resistor   ºÒ¼ø¹°ÀÇ Diffusion¿¡ ÀÇÇÑ ¿µ¿ªÀÌ ÀúÇ×À¸·Î »ç¿ëµÇ´Â °Í.

Diffusion  
    ³óµµÂ÷¿¡ µû¶ó ¾×ü³ª ±âü°¡ °í³óµµ¿¡¼­ Àú³óµµÂÊÀ¸·Î À̵¿ÇÔÀ» ¸»ÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î È®»ê·Î ¼Ó¿¡¼­ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ(Wafer)
    ¿¡ ³ôÀº ¿Âµµ¸¦ °¡ÇØ ºÒ¼ø¹°  B(ºØ¼Ò)³ª P(ÀÎ) µîÀ» È®»ê½ÃŰ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÏ¸ç ¹ÝµµÃ¼ Ư¼ºÀ» °áÁ¤Çϱâ À§ÇÑ °ÍÀÓ.
Diffusion Capacitance  Diffusion¿¡ ÀÇÇØ Çü¼ºµÈ Junction¿¡¼­ »ý°Ü³­ ±â»ý CapacitorÀÇ ¿ë·®.
Diffusion Current  
    ¿ÜºÎ E-fieldÀÇ ¿µÇâ¾øÀÌ ¼ø¼ö ³óµµÂ÷¿¡ ÀÇÇØ È帣´ÂCurrent ³óµµ°¡ ³ôÀº ¿µ¿ª¿¡¼­ ³·Àº ¿µ¿ªÀ¸·Î Carrier°¡ 
    È®»êµÇ¸é¼­ ¹ß»ýµÊ.
Diffusion Furnace  È®»ê ¶Ç´Â »êÈ­¿¡ ÇÊ¿äÇÑ °í¿ÂÀÇ È®»ê·Î.
Diffusion Length  
    Carrier°¡ ÁÖÀԵǸé È®»êÇØ °¡´Â  µµÁß¿¡ »ó´ëÀÇ Carrier¿Í  Àç°áÇÕÇÏ¿©  Â÷·Ê·Î ¼Ò¸êµÇ¾î °¡±â ¶§¹®¿¡ ½Ã°£ÀÌ Áö³ª¸é
    CarrierÀÇ ³óµµ´Â °¨¼ÒÇÏ°Ô µÈ´Ù. Life Time µ¿¾È Carrier°¡ À̵¿Çذ£ È®»ê°Å¸®¸¦ Diffusion Length¶ó°í ÇÑ´Ù.
Diffusion Pump  ±â¸§À» °¡¿­ÇÏ¿© Áõ¹ßµÈ ±â¸§ÀÇ ³Ã°¢½Ã Áø°ø³» gas¸¦ Èí¼öÇÏ´Â ¹æ½ÄÀÇ °íÁø°ø ÆßÇÁ.
Diffusivity  ºÒ¼ø¹°ÀÇ È®»êµµ¸¦ ³ªÅ¸³»´Â ´ÜÀ§.
Digital(DIC)  Analog¿¡  ´ëÀÀµÇ´Â ¸»·Î  "1"°ú "0"À¸·Î  Ç¥½ÃµÉ ¼ö  ÀÖ´Â °Í(Digital IC).
Digitizing  Mask¸¦ ¸¸µé±â À§ÇØ ¼³°èµÈ µµÇüÀÇ ÁÂÇ¥¸¦ °áÁ¤ÇØ ÁÖ´Â °Í.
Digital Memory  µðÁöÅ»·®À» ±â¾ïÇÏ´Â ¸Þ¸ð¸®·º¸Åë ¸Þ¸ð¸®¶ó°í ÇÏ´Â °æ¿ì´Â ÀÌ Digital  MemoryÀ» °¡¸®Å²´Ù.
Dimenrization(ÀÌ·®Ã¼È­)  µÎ °³ÀÇ ºÐÀÚ°¡ ÁßÇÕ ¶Ç´Â ºÐÀÚ°£ÀÇ Èû¿¡ ÀÇÇØ  ÀÏü°¡ µÇ¾îÁø °Í.
Dimension  Ä©¼ö.
DIMM(Dual In-Line Memory Module)
    PC¿¡ »ç¿ëµÇ´Â Memory moduleÀÇ Á¾·ù·Î PCB îñØü°ú ý­ØüÀÇ pin¼ö´Â °°À¸³ª pinµéÀÌ ±â´ÉÀ» ´Þ¸®ÇÏ´Â Á¦Ç°À» ¸»ÇÔ.
Dimple  WaferÇ¥¸é ºÒ·®À¸·Î ¿À¸ñÇÏ°Ô ÆÐÀÎ °áÇÔ.
Dimensional Stability(Ä©¼ö¾ÈÁ¤¼º)  ¿Âµµ, ½Àµµ, È­ÇÐÀû  ó¸®, ¿ÜºÎÀÇ ¾Ð·Â¿¡ ÀÇÇØ º¯È­µÈ Å©±â.
Dimensioned Hole(Ä©¼öȦ)
    Àμâ±âÆÇ¿¡ À־ ȦÀÇ À§Ä¡°¡ ¹Ýµå½Ã ±×¸®µå »ó¿¡ À§Ä¡ÇÏÁö ¾Ê°í ÁÂÇ¥°ª¿¡ ÀÇÇØ À§Ä¡°¡ °áÁ¤µÇ´Â Ȧ.
DIN  Deionized water·Î¼­ Ãʼø¼ö¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Diode  
    di-electrode¸¦ µû¼­ ¸¸µç ´Ü¾î·Î 2±Ø ¼ÒÀÚ¸¦  ¸»ÇÔ Áø°ø°ü¿¡¼­µµ 2±Ø°üÀ» ´ÙÀÌ¿Àµå¶ó ÇÏ¸ç °ËÆÄ,Á¤·ùÀÛ¿ëÀº 
    °¡Áö³ª, ÁõÆø ÀÛ¿ëÀº ¾øÀ¸¸ç,  µû¶ó¼­ ¼öµ¿¼ÒÀÚ·Î ºÐ·ùÇÔ.
Diode Array  ¿©·¯°³ÀÇ ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ ÇϳªÀÇ Æç·¿¿¡ Á¶ÇÕÇÏ¿© º¹ÇÕ½ÃŰ´Â °Í.
Diode Ring Structure  ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ ¸µ ±¸Á¶·Î  ¿¬°á ¼ø¹æÇâ Æ¯¼ºÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ±¸Á¶.
DIP(Dual Inline Package)  
    °¡Àå º¸ÆíÀûÀÎ IC Æ÷ÀåÀÇ ÇÑ ÇüÅ·Π Á÷»ç°¢Çü ¸ðÇüÀ̸ç, ³»ºÎ ȸ·Î(Chip)¿ÍÀÇ ¿¬°áµµ¼±ÀÌ ¿·¸é¿¡ ¼öÁ÷À¸·Î ºÙ¾î 
    ÀÖ´Â Æ÷Àå ÇüÅÂ.
Discolor Wafer  À°¾È °Ë»ç½Ã ºÒ·® Ç׸ñÀÇ Çϳª·Î FAB  °øÁ¤Áß ¶Ç´Â Àý´ÜÇÒ ¶§ ¹ß»ýÇÏ´Â  Pad º¯»ö.
Discrete  ÁýÀûȸ·Î(IC)¿¡ ¹Ý´ëµÇ´Â ¸»·Î¼­ °³º°ÀüÀÚºÎǰÀ» °¡¸®Å²´Ù. TR, Diode, ÀúÇ×, Äܵ§¼­ µîÀÇ  ºÎǰÀº °¢°¢ 
    °³º°ºÎǰÀ¸·Î¼­ÀÇ ±â´É¹Û¿¡ °¡Áö°í ÀÖÁö ¾ÊÀ¸¹Ç·Î À̵éÀº ¸ðµÎ Discrete ºÎǰÀÌ µÈ´Ù.
Discretional Array Method LSI¸¦ ¸¸µå´Â ¹æ¹ýÀÇ Çϳª·Î¼­ ¿þÀÌÆÛ¼Ó¿¡  Æ÷ÇԵǴ ¼ö 10¿¡¼­ ¼ö 100ÀÇ ´ÜÀ§È¸·Î
    (Cell ¶Ç´Â Unit CellÀ̶ó ºÎ¸¥´Ù)ÀÇ ¸ðµÎ¸¦ °Ë»çÇÏ°í ¾çÈ£ÇÑ Cell¸¸À» °ñ¶ó³»¾î ±×°ÍÀ» »óÈ£¹è¼±ÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Discrete Device  ´Ü¼øÇÑ °³º°¼ÒÀڷμ­ ÀúÇ×, Transistor ¶Ç´Â Diode °°Àº °Í.
Discrete Product  °³º°¼ÒÀÚ´Â diode, Transistor,  Á¤·ù±â(Rectifier), Æ®¶óÀ̽ºÅÍ(Thyristor)µîÀ» ÀÏÄÃÀ¸¸ç, ÀÌ·¯ÇÑ 
    ¼ÒÀÚµéÀÇ °áÇÕÀ¸·Î ±¸¼ºµÈ ÁýÀûȸ·Î¿¡ ´ëÀÀÇÏ´Â ¸».
Discretionary Wiring-Approach  Wafer ³»ÀÇ ¸ðµç ±â´É ´ÜÀ§ÀÇ ¾ç·ºÎ¸¦ ¹Ì¸® ÆÇÁ¤ ±â¾ïÇÏ°í ¾çǰÀ» ¼±ÅÃÀûÀ¸·Î 
    °á¼±ÇÑ ´ÙÀ½ ±× Wafer¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ÃÖÁ¾ »óÈ£¹è¼± PatternÀ» ¼³°èÇÔÀ¸·Î½á LSI µîÀ» Á¦ÀÛÇÏ´Â ¹æ½ÄÀ» ¸»ÇÔ.
Display Device  ¼ýÀÚ, ¹®ÀÚ µîÀ» Ç¥½ÃÇϱâ À§ÇÑ ¼ýÀÚ.
DIW(Deionized Water) Ãʼø¼ö·Î¼­ ¼³ºñ¿¡¼­ º¹ÀâÇÑ °øÁ¤À» °ÅÃÄ ¼öÁßÀÇ À̿ ¹× ¿À¿° ¹°ÁúÀ» ÀüºÎ Á¦°ÅÇÑ ¼ø¼ö.
    »ý»ê¶óÀÎÀÇ  Wet°øÁ¤À» ºñ·ÔÇÏ¿© ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶°øÁ¤¿¡¼­ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô »ç¿ëµÊ.
D-I Water(De Ionized Water  ¶Ç´Â Semiconductor grade Water)
    ÀÌ¿ÂÀÌ ÇÔÀ¯µÇÁö ¾ÊÀº ¹°À̶õ ¶æÀ¸·Î, ºÒ¼ø¹°À» Á¦°Å½ÃŲ ¼ø¼ö(âíâ©),  Wafer ¼¼Á¤ ¹× Àý´Ü½Ã ¿ë¼ö·Î »ç¿ëµÊ.
DLM  
    2Ãþ ±¸Á¶ÀÇ Metal  Layer¸¦ °®µµ·Ï °øÁ¤À» ÁøÇà½ÃÄÑ ÁýÀûµµ¸¦ Çâ»ó½Ãų ¼ö ÀÖÀ½.1Ãþ ±Ý¼ÓÀº Power ¹× Routing Line
    À¸·Î »ç¿ëÇϰí 2Ãþ ±Ý¼ÓÀº Routing LineÀ¸·Î »ç¿ëÇÏ´Â ¼ÒÀÚ°£ÀÇ ¹è¼±±â¼ú.
D-MOS(Double Diffusion-Metal Oxide Semicondcutor)  
    ¿¬¼ÓÀûÀ¸·Î È®»ê °øÁ¤À» µÎ ¹ø ÁøÇàÇÔÀ¸·Î½á channel  length¸¦ ª°Ô Çϰí ÀÌ¿¡ ÀÇÇØ °íÀü¾Ð, °íÀü·ù¸¦ Àΰ¡Çϴµ¥ 
    ÀåÁ¡À» °®´Â MOS¸¦ ÀÏÄÃÀ½.
DMA(Direct Memory Access)
    ÁÖº¯ÀåÄ¡¿Í ÁÖ±â¾ïÀåÄ¡¿¡¼­ CPU¸¦  °ÅÄ¡Áö ¾Ê°í Á÷Á¢ ±â¾ïÀåÄ¡·Î Data¸¦  ÀÔÃâ·ÂÇÒ  ¼ö ÀÖ°Ô ÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î  
    DMAC(8237A)¿¡ ÀÇÇÏ¿© DMA ±â´É¿¡ Á¦¾îµÇ¸ç °í¼ÓÀ¸·Î Data¸¦ Àü¼ÛÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
Domain  µ¿ÀÏ ¾×Á¤ cell³»¿¡ À־, ±âº»ÀÌ µÇ´Â ¾×Á¤ ºÐÀÚÀÇ ¹èÇâ º¤ÅͰ¡ ÇϳªÀÇ ¸ð¾çÀ¸·Î À̾îÁ® ÀÖ´Â ¾×Á¤ÀÇ 
    ¿µ¿ªÀÌ º¹¼ö·Î Á¸ÀçÇϰí ÀÖ´Â »óÅÂ.
Donor
    ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼ºÀ» N-typeÀ¸·Î ¸¸µé±â À§ÇÏ¿© Àüµµ´ë¿¡ ÀÚÀ¯ÀüÀÚ¸¦ ÁÖÀÔÇÏ´Â ºÒ¼ø¹° ¿ø¼Ò·Î P,As,Sb µîÀÌÀÖ´Ù.
Donor Level  ¹ÝµµÃ¼ ¼Ó¿¡ ºÒ¼ø¹°·Î¼­ È¥ÀÔÇÑ  ¿øÀÚ¿¡ ÀÇÇØ¼­ ÀÚÀ¯ÀüÀÚ°¡ »ý°Ü ¹ÝµµÃ¼°¡  NÇüÀ¸·Î µÇ´Â ºÒ¼ø¹° 
    ¿øÀÚ¸¦ Donor¶ó°í ÇÑ´Ù.   ÀÌ »óŸ¦ ¿¡³ÊÁö´ëÀÇ ±×¸²À¸·Î ³ªÅ¸³¾¶§ µµ¿ì³Ê¿¡ ÀÇÇØ¼­  ±ÝÁö´ë(Forebidden band) 
    ¼Ó¿¡ »ý±ä ¿¡³ÊÁö levelÀ» Donor LevelÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
DP(Dew Point)  ³ëÁ¡¿Âµµ¸¦ ³ªÅ¸³»¸ç °ø±âÁßÀÇ ¼öÁõ±â°¡ ÀÀ°áµÇ´Â ¿Âµµ¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Dopant  Dope½Ã ÁÖÀԵǴ ºÒ¼ø¹°À» Dopant¶ó ÇÑ´Ù.
Dope  ¹ÝµµÃ¼¼Ó¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔ(È®»ê, ION IMPLANTATION µî¿¡ ÀÇÇØ¼­)ÇÏ´Â °ÍÀ»  Dope¶ó°í ÇÑ´Ù.
Doping  ¹ÝµµÃ¼ Àç·á(Wafer)¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔÇÏ¿© P-type ¶Ç´Â N-typeÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Ư¼ºÀ» ¸¸µå´Â °ÍÀ¸·Î ¹Ú¸·À̳ª 
    ½Ç¸®ÄÜ ±âÆÇ¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔ½ÃÄÑ ÀüµµÆ¯¼ºÀ» Çâ»ó½Ãų ¶§ »ç¿ëÇÔ.
Dope Oxide  DopingµÈ layerÀ§¿¡¼­ ¼ºÀåµÈ Oxide.
DOS(Disk Operating System)
    ÄÄÇ»Å͸¦ Á¦¾îÇÏ´Â ¸ð´ÏÅͳª ÇÁ·Î±×·¥ ·çƾ ¶Ç´Â ¶óÀ̺귯¸® µîÀÇ  ¿î¿µÃ¼Á¦°¡ ¸ðµÎ Àڱ⠵ð½ºÅ©¿¡ ÀÇÇØ 
    ÀÌ·ç¾îÁö´Â System.
Dosage  ºÒ¼ø¹°ÀÇ ¾çÀ» ¸»ÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î¼­  ´ÜÀ§ ¸éÀû´ç ÅõÀԵǴ ºÒ¼ø¹°  °¹¼ö¸¦  ³ªÅ¸³¿.
Dose 
    Ion Implantation µî Ãæ°Ý¿¡ ÀÇÇØ¼­ ¹ÝµµÃ¼¿¡ ºÒ¼ø¹°À» ÁÖÀÔÇÏ´Â °ÍÀ» Dose¶ó°í ÇÏ¸ç §²´ç ºÒ¼ø¹° °¹¼ö·Î Ç¥Çö.
DP(Dew Point)  À̽½Á¡À» ¸»ÇÔ.
DPM(Defect Per Milion)  Percent(%)¡¿106
Dot-Clock Signal  µð½ºÇ÷¹ÀÌ ½Ã½ºÅÛ¿¡¼­ È­¼Ò ºñ¸¦ Á¶ÀýÇÏ´Â ½ÅÈ£.
DPLL(Dull Phase Locked Loop)
    PLLÀº ÀԷ½ÅÈ£¿¡  ´ëÇØ Á֯ļö¿Í À§»óÀÌ °°Àº ½ÅÈ£¸¦ ¹ß»ý½ÃŰ´Â Æóȸ·Î·Î¼­,¹«¼±Åë½Å¿¡¼­ ¼ö½Å°ú ¼Û½ÅÀ» µ¿½Ã¿¡
   ¼öÇàÇϱâ À§ÇØ 2°³ÀÇ PLLÀ» »ç¿ëÇϴµ¥ ÀÌ·¯ÇÑ µÎ °³ÀÇ PLL ±¸Á¶¸¦ DPLLÀ̶ó Çϸç,ÀÌ´Â Digital PLL°ú´Â ±¸º°µÈ´Ù.
DRAM(Dynamic Random Access Memory) 
    CapacitorÀÇ Á¤Àü¿ë·®À»  ÀÌ¿ëÇÑ Cell ¸ð¾çÀÇ Device·Î½á Àбâ¿Í  ¾²±â°¡  ÀÚÀ¯·Î¿ì¸ç CAP.¿¡ Charge¸¦ ½ÃÄÑÁÖ±â
    À§ÇØ Refresh CycleÀÌ ÇÊ¿äÇÔ.
Drain 
    Àü°èÈ¿°ú TR(FET)ÀÇ Àü±ØÀÇÇϳª,µå·¹ÀÎÀº ÁÖȸ·Î Àü·ù°¡ Èê·¯µé¾î °¡´Â Àü±ØÀ̸ç Åë»óÀÇ »ç¿ë¹ýÀÎ ¼Ò¿À½º  
    Á¢Áö ¹æ½Ä¿¡¼­´Â Ãâ·ÂÀ» ²¨³»´Â Àü±ØÀÌ  µÈ´Ù. 
    µû¶ó¼­ µå·¹ÀÎÀº º¸ÅëÀÇ TR, Áï Á¢ÇÕÇü TRÀÇ ÄÝ·ºÅÍ¿¡ »ó´çÇÏ´Â Àü±ØÀ̶ó°í ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
DRC/ERC/LVS 
    DVP-Circuit°ú  LayoutÀÇ ³»¿ëÀÇ  ÀÏÄ¡¼º ¹× Design Rule, Àü±âÀû Ư¼ºÀÇ ÀÌ»ó À¯¹«¸¦ °Ë»çÇÏ´Â ÀÛ¾÷.

    °¡. DRC(Design Rule Check) - Layout DataÀÇ ±ÔÄ¢(MetalÀÇ ¼±Æø, µîµî)À»  Check
    ³ª. ERC(Electrical Rule Check) - Àü±âÀûÀΠƯ¼ºÀ» Check
    ´Ù. LVS(Layout vs Schematic) - Layout Data¿Í CircuitÀÇ Â÷ÀÌÁ¡À»  ºñ±³ Ãâ·Â.
Dressing  Wafer  Àý´Ü¿ë Å鳯(Blade)À» ´Ùµë¾î ÁÖ´Â ÇàÀ§¸¦ DressingÀ̶ó ÇÔ.
Drift  ÁÖ·Î Á÷·ù ÁõÆø±â¿¡¼­ ¹®Á¦°¡ µÇ¸ç ÀÔ·Â ½ÅÈ£°¡ "0"Àε¥µµ Ãâ·ÂÀü¾ÐÀÌ º¯µ¿ÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Drift Current  
    ±ÕÀÏÇÏ°Ô ºÐÆ÷ÇÑ Extrinsic Semiconductor¿¡¼­ ¿ÜºÎ E-Field°¡ °¡ÇØÁ³À» ¶§ È帣´Â Current CarrierÀÇ
    Drift Velocity´Â  v=¥ìE(¥ì:Moblity, E: Electric Filed)·Î Á¤ÀǵȴÙ.
Drive-In  
    DepositionµÈ B(ºØ¼Ò)³ª P(ÀÎ)À» Wafer ³»ºÎ·Î ´õ ±íÀÌ Ä§Åõ½ÃŰ´Â  °ÍÀ» ¸»Çϸç È®»ê·Î(Furnace)¸¦ ÀÌ¿ëÇÔ.
Driver  Device¿¡ Àü¾Ð, ÆÄÇü µîÀ» Àΰ¡ÇÏ´Â ÀüÀÚ ÀåÄ¡.
Driving Frequency  ¾×Á¤ ¼ÒÀÚ¸¦ ±¸µ¿½Ã۱â À§ÇØ Àΰ¡ÇÏ´Â ±³·ù Àü¾ÐÀÇ ÇÁ·¹ÀÓ Á֯ļö.
Driving Voltage  ¾×Á¤ ¼ÒÀÚ¸¦ ±¸µ¿½Ã۱â À§ÇØ Àΰ¡ÇÏ´Â ±³·ù ÀüÀÔÀÇ ÇÇÅ© °ª.
DRO(Destructive Read-Out)
    ÆÄ±«ÆÇµ¶. ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚ¿¡¼­ ±â¾ï³»¿ëÀ» ÆÇµ¶ÇÒ ¶§ ÀÌ ÆÇµ¶ Á¶ÀÛ¿¡ ÀÇÇØ¼­  ±â·ÏµÈ ±â¾ï³»¿ëÀÌ ¼Ò¸êµÇ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.
Dross(Âî°Å±â)  ¿ëÇØµÈ ¼Ö´õÀÇ Ç¥¸é¿¡ ¶°ÀÖ´Â ¿À¿°¹°Áú.
DRT(Device Reliability Test) 
    "½ÅÁ¦Ç° ½Å·Ú¼º ½ÃÇè"À¸·Î¼­ ½ÅÁ¦Ç°¿¡ ´ëÇÑ Ç°Áú ÀÎÁ¤°Ë»ç(Quality Approval Test)¸¦ ¸»ÇÔ.
Dry Etch  °Ç½Ä ½Ä°¢. ¿ë¾×¼º È­Çй°ÁúÀ» »ç¿ëÄ¡ ¾Ê°í  Ȱ¼ºÈ­ µÈ Gas(Plasma)¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ´Â ½Ä°¢ ¹æ¹ý.
Dry Process  
    Ç÷¹ÀÌ³Ê TR, IC µîÀÇ »çÁø½Ä°¢±â¼ú¿¡ À־ °¡½ºÇöóÁ³ª  À̿ beamÀ» ¿¡Äª¿¡ ÀÌ¿ëÇÏ´Â ¹æ¹ý.
DST(Die Share Test)
    Die Á¢Âø·Â ½ÃÇèÀ¸·Î¼­ Die Attach °øÁ¤À» °ÅÄ£ Áß°£ Á¦Ç°¿¡ ´ëÇØ Die¿Í Frame pad Á¢Âø Á¤µµ¸¦ ÆÇÁ¤Çϱâ À§ÇÑ ½ÃÇè.
DT(Down Time)  ÀÛ¾÷ÀÌ ÁߴܵǴ ½Ã°£.
DTAD 
    Magnetic TapeÀ» ÀÌ¿ëÇϰí ÀÖ´Â Analog À½¼º ÀúÀ广¹ý ´ë½Å¿¡ Memory chip°ú Codec µîÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© Tape¸¦ ¾ø¾Ø
    Digital Tapeless  Answering Device.
DTP(Desk Top Publishing)
    Ã¥»ó À§¿¡¼­ Ã¥ÀÌ ¸¸µé¾îÁø´Ù´Â ¶æÀ¸·Î PC¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ¿ø°íÀÇ ÀÛ¼º¿¡¼­ºÎÅÍ  ÆíÁý Àμâ±îÁö ÀϰýÀûÀ¸·Î ó¸®ÇÏ´Â ÇüÅÂ.
Dual Gate MOS FET  °íÁÖÆÄ¿ë MOS FET·Î¼­ 2°³ÀÇ Gate¸¦ °¡Áø °ÍÀÌ´Ù.
Duct  
    °ø±â(°¡½º)ÀÇ À̼۽à »ç¿ëÇÏ´Â Àåºñ·Î¼­ Á÷»ç°¢Çü ¹× ¿øÅëÇüÀ¸·Î Á¦À۵ǰí À̼ÛÇÏ´Â °ø±âÀÇ Á¾·ù¿¡ µû¶ó ¾Æ¿¬µµ
    ±ÝöÆÇ, ½ºÅ×Àη¹½º ¹×  PVC µîÀ» »ç¿ëÇÑ´Ù.
Dummy Frame  ±ÝÇüÀ» ¼¼Á¤Çϱâ À§ÇØ »ç¿ëµÇ´Â ChipÀÌ ºÙ¾î ÀÖÁö ¾Ê´Â »óÅÂÀÇ Lead Frame.
Dummy Wafer  Tube³»¿¡  °øÁ¤ÀÇ Uniformity¸¦  ÁÁ°Ô Çϱâ À§ÇØ »ç¿ëÇÏ´Â Wafer ¶Ç´Â »ý»ê Wafer¿Í ÇÔ²² ÅõÀԵǾî 
    »ý»ê WaferÀÇ Á¦Ç°Æ¯¼ºÀÇ ±ÕÀϼºÀ» µµ¸ðÇ챉  À§ÇØ ¾²ÀÌ´Â Wafer.
Dumping  
    ½ÃÀå¿¡¼­ÀÇ Á¡À¯À²À» ³ôÀ̱â À§ÇÏ¿© Á¤»óÀÌÇÏÀÇ  ¿°°¡·Î »óǰÀ» ÆÇ¸ÅÇÏ´Â ÇàÀ§. ÇØ¿Ü½ÃÀå¿¡¼­ÀÇ ¿°°¡ÆÇ¸Å·Î ÀÎÇÑ 
    ¼Õ½ÇÀ» ±¹³»½ÃÀå¿¡¼­ÀÇ  ÃʰúÀÌÀ±À¸·Î  ¸Þ²Ù¾î¾ßÇϹǷΠ¼öÀÔǰÀ¸·Î ºÎÅÍÀÇ ±¹³» ½ÃÀ庸ȣ Çʿ信 µû¶ó¼­ ´ýÇÎÀº 
    ¼öÀÔÁ¦ÇÑ Á¶Ä¡¸¦ ÀüÁ¦·Î ÇÑ ¼öÃâÈ®´ë Á¤Ã¥.
Dumping-ZIG  ÇÑÂÊ Carrier¿¡ ´ã±ä wafer¸¦ ´Ù¸¥ carrier¿¡ ÇѲ¨¹ø¿¡ ¿Å°Ü ´ãÀ» ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÏ´Â Ä¡°ø±¸.
Duplication  À¯»çÇÑ Á¶°ÇÇÏ¿¡¼­ 1ȸ ÀÌ»óÀÇ Treatment¸¦ ½ÇÇàÇÏ´Â °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù.

    Note) ¹Ýº¹°ú ºñ±³ÇßÀ» ¶§, DuplicationÀº ½ÇÇèÀÇ ´ÜÀÏ¿ä¼Ò·Î ¾ð±ÞµÈ´Ù.
DUT(Device Under Test)
    °Ë»çµÇ°í ÀÖ´Â Á¦Ç°.  Test¸¦ Çϱâ À§ÇØ ÀåÂøÇÑ ¼ÒÀÚ¸¦ ¸»Çϰí, À̸¦ À§Çؼ­´Â DUT Board°¡ ÇÊ¿äÇÔ.
Duty Cycle½ºÅ©¸°»ó¿¡¼­ °¢ È­¼Ò¸¦  ÀçÇ¥½ÃÇϴµ¥ °É¸®´Â ½Ã°£À¸·Î refrersh  rate°¡ 60Hz ¹Ì¸¸ÀÌ µÇ¸é Àΰ£ÀÌ 
    ±ô¹ÚÀÓÀ» ÀÎÁöÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
Duty Ratio  ÁÖ±â½ÅÈ£ ü°è¿¡¼­ ÀÏÁ¤  Áֱ⿡ ´ëÇÑ ¼±Åà ½ÅÈ£°¡ ¹ß»ýÇ졒  ÀÖ´Â ±â°£ÀÇ ºñ.
Dyed Poryides  Æú¸®À̵̹å(polyimide) ±âÆÇ¿¡ »ö¼Ò¸¦ ³ì¿©¼­ Âø»öµÈ Ãþ¿¡ ºûÀ» Åë°ú½ÃÅ´À¸·Î Âø»öÇÏ´Â ¹æ¹ý.
Dynamic Shift Register  MOS ƯÀ¯ÀÇ È¸·Î·Î¼­  µ¿ÀûÀ¸·Î Ç×»ó µ¿ÀÛÇϰí ÀÖ´Â Shif Register¸¦ ¸»ÇÑ´Ù.
Dynamic RAM(DRAM) (Dynamic Random Acccess Memory)  ¿ë·®¼º ÃæÀü(Capapcitance Charge)
    ¿©ºÎ¿¡ ÀÇÇÏ¿© "1"  ¶Ç´Â  "0"ÀÇ Á¤º¸¸¦ ÀúÀåÇÒ ¼ö Àִ±â¾ïÀåÄ¡À¸·Î Àç̵̾½ÃÄÑ¾ß ±â´ÉÀ» À¯ÁöÇÔ.
Dynamic Scattering Mode(µ¿Àû »ê¶õ ¸ðµå)
    Àü±âÀ¯Ã¼ ¿ªÇÐÀû ºÒ¾ÈÁ¤»óÅ·μ­ ³×¸¶Æ½»ó¿¡ Àü°è¸¦ Àΰ¡Çϸé Àü±âÀ¯Ã¼ ¿ªÇÐÀû ºÒ¾ÈÁ¤¼º¿¡ ÀÇÇØ¼­ ´ë·ù°¡ ¹ß»ýÇÑ´Ù.
    Àü°è°¡  Áõ°¡ÇÏ¸é  ÀÕ´Þ¾Æ  »õ·Î¿î ´ë·ù±¸Á¶°¡  »ý°Ü ÃÖÁ¾ÀûÀÎ ³­·ù·Î  º¯È­ÇÑ´Ù. ³­·ù»óŰ¡  µÇ¸é ¾×Á¤Àº ±× ±¤ÇÐÀû
    À̹漺°ú À¯Ã¼¿îµ¿¿¡ ÀÇÇØ °­ÇÏ°Ô ºûÀ» »ê¶õ½ÃŲ´Ù.
Dynascope  Wafer  
    À°¾È°Ë»ç¿ë Çö¹Ì°æÀÇ Çϳª·Î, º¸ÅëÀÇ Çö¹Ì°æ°ú ´Ù¸¥ Á¡Àº Åõ¿µ±â°¡ Æò¸é À¯¸®·Î µÇÁö ¾Ê°í µð½ºÅ©¶ó°í 
    ÇÏ´Â Á÷°æ  0.1§®ÀÇ ¹Ì¼Ò·»Áî°¡ ¹«¼öÇÏ°Ô  ¹è¿­µÈ °ÍÀ» »ç¿ëÇϹǷμ­, ¼±¸íÇ졒  º¸±â ½¬¿î Ư¡ÀÌ ÀÖ´Ù.
    (À°¾ÈÀÇ  ÇǷΰ¡ ÀûÀ½) Àý´Ü ³ôÀÌ, ±íÀÌ, Àü´Ü ¿þÀÌÆÛ µÎ²² ¹× ¿þÀÌÆÛ ¿Ü°£ ÃøÁ¤ µî¿¡ »ç¿ëµÊ.
DW(Diffused Wafer)  È®»ê ¿þÀÌÆÛ.

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡

¡¡