 O2 산소가스
OA(Outside Air) AHU에서 청정화되어 청정실에 공급되는 공기.
OA 사무자동화(Office Automation)
OAHU(Out Air Handling Unit)
외조기라고 칭하며 외기를 흡입 처리하며 FAB 환경에 맞게 송기한다.
Oalemce Election
원자핵 둘레의 전자군중 맨 바깥쪽을 돌고 있는 전자, 최외각 전자라고도 한다.
이것은 원자핵에 흡입되는 힘이 가장 약하고 원자로부터 떨어지기 쉬운 상태에 있다.
Object(Run) Program 기계어로 바꿔진 Program.
OC Curve(Operating Characteristic Curve)
어떤 제품의 불량률이나 고장율을 가로축에 잡아서 그 불량률의 로트를 시험했을 때의 합격확률을 나타내는
곡선을 OC 곡선이라고 한다.
OCD(Optically Coupled Device) 광결합 장치.
OCR(Optical Character Recoder)
광학 문자판독장치.광학기를 이용하여 각 Wafer마다 새겨진 Lot Number 및 Wafer ID 문자를 읽는 장치.
Octal Test
Probe Test시 Touch에 8 Die를 Probeing하며 동시에 8 Die를 Test 하는 것을 말하며 그 밖에도 2 Die는
Dual, 4 Die는 Quad, 6 Die는 Hexal Test라 부른다.
Odlix(Organized design for line & Crew System)
제조 System의 문제점을 찾아서 작업방법 및 Layout 개선 등의 Methods를 설계하여 Line에 정착 및 배치
인원의 적정화를 도모하는 활동.
OEIC(Opto Electronic Integrated Circuit)
광소자와 전자소자를 wafer상에 집적시키는 구조의 IC로서 집적에 의해 기생용량을 줄일수 있으며 광소자를
더 고속으로 변조시킬 수 있다.
OEM 주문생산(Original Equipment Manufacturing)
Offline Mode operator로부터의 반송 지령에 따라서 stocker의 입·출고 및 공정내 반송을 행한다.
OH(On Hand) 현재 보유하고 있는 재고.
OISF(OSF) Oxide Induced Stacking Faults
OJT(On the Job Training) 현장훈련.
One Chip CPU
마이크로프로세서의 가장 간단한 것으로 문자 그대로 프로세서 기능이 1개 Chip 상에 LSI화 된것을 말한다.
On-line 단말기가 데이터 통신 회선을 통하여 컴퓨터에 정속된 상태.
ONO 구조
Capacitor 전극사이에 들어갈 dielectric material로서 oxide/nitride/oxide의 3층 구조를 형성하여 단층
구조에서 발생할 수 있는 pinhole을 방지하고 breakdown 특성을 향상 시키는 한편 nitride dielectric
constant가 oxide에 비해 훨씬 크기 때문에 capacitance를 증가시킨다.
OOP
Object Oriented Programming은1980년대 후반부터 S/W 개발 하는데 있어서 각광을 받고 있으며 특히
거대한 S/W 시스템을 개발할 때 생기는 복잡한 문제들을 해결해 주는 방법을 제공하며 유지보수 용이성,
확장성, 재연성을 제공해 준다.
Open 소자의 내부에서 단선된 것을 Open이라 한다.
Open Repair
TFT arrey panel 공정에서 data line 또는 gate line에 서로 다른 두 line이 서로 short 되었을시 이를
끊어서 정상 작동하도록 하는 방법.
Operation(공정)
제품을 만들기 위한 가장 기본이 되는 단위로서 하나의 공정에서는 하나의 작업을 진행한다.
Operating Characteristic Curve(OC curve)
검사특성곡선.Acceptance control chart에 나타나는 모양으로서 공정이 채택될 확률을 나타낸 곡선.
⑴ 주어진 Sampling법에 있어서,OC 곡선은 Lot 품질의 함수로서 Lot이 합격할 확률을 나타낸다.
(Type A) : Isolated or Unique Lot
⑵ 주어진 Sampling법에 있어서,OC 곡선은 공정평균의 함수로서 Lot이 합격할 확률을 나타낸다.
(Type B) : 연속 진행 Lot
⑶ OC 곡선은 장기간에 걸쳐 Sampling 적용중에 제품품질의 함수로서 합격될 제품의 비율을 나타낸다.
: 연속 Sampling법
⑷ 주어진 Sampling법에 있어서,OC 곡선은 공정품질의 함수로서 조정없이 공정을 지속할 확률을 나타낸다.
: Special Pla
Note : Lot Sampling법에서의 확률값 및 위험율 등은 무한모집단을 근거로 한다.
공정 sampling법에서의 그러한 값들은 무한모집단과 공정이 통계적 관리하에 있다는 가정하에 산출할 수 있다.
Optic Emission Method
Plasma가 etch하고자 하는 박막과의 반응에 의해 발생되는 반응 부산물의 optic signal을 추적하는 방법.
Optical Axis
복굴절 매질 중에서 常光線(No: ordinary)과 異常光線(Ne : extra ordinary)이 같은 속도로 전달되어 복굴절을
나타내지 않게하는 방향.
OR 논리화 회로.
OR(경영공학 Operations Research)
대체안을 계량적으로 분석하여 최적안을 도출함으로써 의사결정을 위한 합리적 기준 자료를 제공하기 위한 기법.
Orientation 단결정의 성장방향(100) (110) (111) 등.
Orientation-Film(배향막)
액정물질을 단순히 유리기판상에 주입시키는 것만으로는 일정한 분자배열을 얻기 힘들기 때문에 포리이미드란
고분자 물질을 이용하여 배향막을 만든다.
Orthogonal Contrast
직교대비 두개 조의 대비 계수들이 각 쌍의 곱의 합이 "0"이라는 조건을 만족하면 두 대비는 서로 직교한다.
Orthogonal Design
직교배열법. 특별한 수준에서 모든쌍의 인자들이 같은 횟수만큼 나타나는 계획법을 말한다.
Oscilator(발진기)
입력신호가 없어도 출력에 계속하여 일정한 주파수의 신호가 나오는 회로이다.
O/S(Open Short) 개방 및 단락 불량.
OSI
Open Systems Interconnection이란 Computer marker나 기종에 관계없이 상호 연결할 수 있도록 하는 것이며
오늘날 대부분의 Computer maker들이 OSI로 나가고 있다.
OT(Over Time) 정규 근무외 시간, 잔업.
OTP(One Time Programmable)
주로 EPROM Device를 Plastic Package에 조립하여 Erase를 못하는 대신 package 비용을 줄이는
Device를 일컬음.
O2 Trimming
연료 연소 배기 Gas의 O2%를 Check하여 적절한 연소용 공기량을 Control하는 장치로서 연료의 완전연소
및 Bolier의 효율을 높인다.
Out Put 생산량.
Output Buffer Sense AMP에서 증폭된 Data의 External Load를 Drive하기 위해 사용되는 Buffer.
Output Level Device가 출력하는 전위로서 저장된 Data의 특정상태(High, Low)를 나타낸다.
Outgassing Source Gas를 바꿀때 마다 잔류 Gas를 제거하기 위하여 고열로 태워 Ion Beam 생성부를
세정시켜 주는 형태.
Oven Wafer를 말리는 (Dry/Baker) 장치.
Over Coat
투명도전막(ITO)이 있는 경우 굴곡 상태가 틀려서 디스플레이에 얼룩이 생기는 경우 투명도전막을
패턴한 후 Alkali Barrir Coat를 하면 배향층의 생성이 용이하다.
그러나 이 경우 표시소자를 동작시킬때, Alkali Barrier Coat의 self impedence에 의해서 전압강하가 생기고
액정층에 작용하는 전압이 저하되는 단점이 있다.
Over Coating(Polyimide Coating)
액정 분자를 일정방향으로 배향시키는 박막으로서 액정 분자의 배향을 안정시키는 동시에 투명
전극의 반사를 작게하고, 내직류성을 향상시키는 것으로 폴리이미드가 주로 사용됨.
Over Etching End Ppint Detection의 개념에 추가로 Etch되는 것을 말함.
Oerlay Vernier
Wafer의 감광막上에 전달된 감광원판형상의 중첩도를 측정하기 위하여 Wafer내에 삽입되어 있는
Pattern 중첩 측정용 척도.
Overshoot Noise
정상적인 전압(예: 5V)이 아닌 불규칙적으로 발생하는 Noise 로서,정상전압 5V 이상의 크기와 수 NS 이상의
Pulse 폭을 가지고 있는 것으로 시스템의 오동작 및 Positive Latch-up을 유발시킬 수 있다.
(참조: Undershoot Nosise)
Over-flow 수조의 상부로부터 흘러 넘치는 현상.
Oxidation
산화(Si+O2=〉SiO2)를 말하며, 확산로를 이용하여 고온에서(650℃∼1200℃)
Wafer 표면에 산화막을 형성하는 것.
Oxide 산화막(SiO2)
Oxide Breakdown Oxide 막의 절연강도 이상의 Voltage에서의 전기전도 현상.
Oxide Film(산화막)
불순물 확산의 마스크로서도 사용되며 반도체 표면의 보호막으로도 사용될 수 있는 산화막으로서 SiO2가
가장 많이 사용되고 있다.
Oxide Trappedd Charge(Qot)
Oxide Bulb내에 Trap된 Hole 또는 Electron 으로 인한 Positive 또는 Negative Charge
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