 F(Frequency) 주파수.
FA(Factory Automation)
Factory Automation(공장자동화)란 사람이 하는 일을 기계(computer, robot, conveyer 등등)로 하도록 함으
로써 생산성 향상,및 성력화를 가져오는데 목적이 있으며 남은 인력은 다른 분야에 투입내지는 활용함으로써
인력난을 해소하여 산업발달에 기여하는데 또 다른 목적이 있다.
FAB(Fablication) 웨이퍼(Wafer)의 가공을 의미함.
2nFactorial Experiment
2원배치법. 실현하고자 하는 n개의 인자의 수준수가 2인 Factorial 실험법을 말한다.
FAB Process(Fabrication 공정, 제조공정)
고청정 상태에의 Wafer 가공, 또는 제조공정을 말하며 크게 Diffusion,Thin Film, Photo, Etch 4공정을 大分할
수 있다.
Factor
인자. 실험결과에 영향을 미치는 원인으로 다른 수준의 인자들이 실험 내에 포함된다.
Note) 온도, 속도, 전압과 같은 계량 인자와 재료 및 촉매의 종류, 장비의 유형 등과 같은 계수 인자가있다.
실험에 적용될 인자들을 "주요인자(Principal Factor)라 부른다.
Version or Level of a Factor
인자의 수준. 실험을 하기 위해 주어진 조건의 수를 말한다.
Example) 촉매의 유·무에 따라 2수준으로 구분한다.
가열 온도가 100℃, 120℃, 140℃, 160℃인경우에는 4수준이라 한다.
Factorial Experiment(General)
요인실험. 2수준이상의 두 개이상의 인자로부터 가능한 모든 실험 조합들을 구성하여 주효과 및 교호작용을
추정하기 위한 실험법을 말한다.
Fail Memory(페일 메모리)
메모리 Device의 Function Test時 Device에서 측정된 결과를 Device에 인가한 패턴과 동일한 스피드로
보관할 수 있는 테스터 메모리
Failure Limit(실격한계) TR 등의 전자부품을 수명시험할 때 불량이라고 판정할 수 있는 규격의 한계.
Failure Mode 불량유형. Failure에 영향을 끼치는 결함의 종류.
Falg
필드의 경계를 나타내기 위해 문자나 단어에 묻어 있는 정보 비트. 어떤 조건이 나타난 프로그램의 뒷부분을
설명하기 위해 쓰이는 지시어. 여러 가지 혼합된 집합에서 같은 종류임을 구별하기 위해 사용하는 식별자
단어표시와 같이 식별을 위해 상용되는 기호로서 태그(tag)와 비슷한 뜻으로 사용된다.
Fall Time(하강 시간)
TR의 스위칭 특성을 스위칭 시간으로 나타낼 때 베이스의 입력이 OFF로 되어 Collector에 흐르는
출력전류가 ON상태일 때의 90%에서 10%로 되기까지의 시간.
Fan Coil Unit Coil내로 냉수 또는 온수를 통수시켜 사용목적에 적합한 온도를 유지시켜 주는 설비.
Fan Out Capability Device가 Data 출력시 Current Drive 능력을 말함.
Fan-in 스위칭의 논리회로에서 입력측에 접촉할 수 있는 게이트의 수.
Fan-out 논리회로에서 입력측에 접속 가능한 부하의 수.
Fast Page Mode
컴퓨터 시스템이 데이터를 access하는 방법으로 가장 보편적으로 활용되고 있는/CAS signal의 toggling에
따라 데이터가 access 되는 방식.
Farad 정전용량의 단위. 1F의 콘덴서에 걸리는 전압이 1volt/sec의 변화를 할 때 1A의 전류가 흐른다.
Fault Coverage
Simulation 실시후 전체 Simulation Vector가 전체 회로중 몇 %를 access하여 output 단자로 그 결과를
반영하는지를 수치로 나타낸 것으로서 얼마나 충실하게 Simulation Vector가 작성되었나를 나타내주는 지표.
FCC(Federal Communication Commision) 전국연방통신위원회
FCU(Fan Coil Unit) 송풍기, 냉, 온수 및 필터 등으로 함께 만들어진 실내용 공기 조화기.
FDD(Floppy Disk Driver).
FDM(Function Data Module)
품명의 기능을 점검하기 위해 기능데이타(Function Data)를 실행시키는 Module.
FDMA(Frequency Division Multiple Access) 주파수 분할 다원접속.
Feedback
자기수정 또는 자기제어의 목적으로 기계, 처리 또는 시스템으로부터 출력되는 일부를 다른 위상(Phase)
으로의 입력으로 컴퓨터에 되돌려 보내는 것.
Fermi Enery
고체내의 전자는 모두 전자가 같은 energy를 가지고 있는것이 아니라 여러 가지의 energy 값을 가지고 있다.
이 전자가 갖는 energy 상태를 페르미-디랙 분포라 하는데 이것은 확률 분포를 하고 있다.
이 분포는 물질과 온도에 따라서 정해지는데 전자의 점유확률이 정확히 1/2로 되는 에너지
값을 페르미 에너지라고 하며 기호는 F로 나타낸다.
Fermi Level
절대온도 0°K에서 전자가 점유할 수 있는 가장 높은 Energy 준위. 반도체에서 T〉0°K일 경우 전자의 점유
확률이 ½되는 Energy 준위.
Fermi-Dirac 통계
개개의 Particle을 구별하지 않고 Pault 배타원리(한 State에 1Particle만 존재)를 적용한 통계방식.
이 통계는 Low Concentration과 High Temperature일 경우
고전 통계인 MaxWell-Boltzmann 통계와 같은 형태로 나타난다.
FET(電界效果 Transistor : Field Effect Transistor)
전기전도(電氣傳導)에 기여하는 Carrier의 역할을 전자 또는 정공(正孔)의 어느 하나가 담당하는 Transistor.
전자도 정공도 Carrier의 역할을 하는 Bipolar에 대하여 Unipola(單極) Transisor라고 불리운다.
FFU(공조방식)
Fan Filter Unit 공조방식. Fan과 Filter의 일체형으로 Filter상부에 설치된 Fan이 공기를 Clean에 공급.
Field oxide Active와 Active를 절연시켜 주는 산화막.
FIFO First in, First out 선입 선출.
FIL(Filament) 이온 생성을 위해 전자를 방출시키는 소재.
Fill Factor 어떤 주어진 시간에 조사되는 디스플레이 전체 면적의 백분율.
Filter(여과기) 먼지 및 불순물 등 필요한 것 이외이 것을 걸러내는 장치.
Filter Paper Sawing 후 Wafer를 Break-Up할때 Chip을 보호하기 위해 Freon에 적셔 사용하는 여과기.
Final Test(조립/Class Test)
조립된(Package) 제품에 대해 제품출하전 마지막으로 전기적 특성을 검사하는 것.
Finger Coat Wafer취급시 인체에 의한 오염을 방지하기 위하여 손에 착용하는 것.
Fire Damper(F.D)
화재발생시 Duct를 통하여 화재의 확산 방지용으로 설치된 Damper로써 기류온도가 70℃이상이면
날개지지용 Fuse가 녹아 자동적으로 기류를 폐쇄하는 Damper.
Firm Ware
장비 제조회사가 그 장비에만 응용되게 특별히 고안한 Software이며 보통 ROM(Hardware)속에 들어있는
경우가 많음.
First Article(사전검사)
양산작업전에 사전에 작업조건을 점검하기 위해 부품을 결합하여 성능을 시험함.
First Bond
금선의 볼이 형성된 것으로 캐필러리의 Inside Chamber에 의해서 Chip Pad에 형성된 Bond.
First Minimum Gooch & Terry 곡선에서 첫번째 투과율이 0이 되는 곳을 말한다.
FIT(Failure in Time)
Life Test를 통하여 X2 분포를 이용, %/khr의 불량률과 109 device hour의 곱을 의미한다.
Fixture 개별 소자의 수동 검사를 위한 기구.
Fixed Oxide Charge(Qf)
Oxidation 분위기, 온도, Cooling 온도 및 Silicon 결정방향에 관계하는 Oxide내 Charge.
Flange
Blade<웨이퍼 절단용 톱날>을 Spindle에 정착시키는 치구로서 이것의 외경이 Blade의 길이를 결정 지음.
Flat Pack
IC의 겉모양에 따른 포장 형태로 납작한 형태 IC형태를 말하며,거의 평면과 동일하게 기판위에
납땜을 할 수 있음.
Flat-Zone Aligner Carrier에 Loading되어 있는 wafer 평면(Flat-Zone)을 위로 맞추는 기계.
Flash EEPROM
한 개의 트랜지스터로 이루어져 셀 면적이 작은 EPROM과 전기적 소거가 가능한 EEPROM의 장점을 조합하여
EPROM의 프로그램 방법과 EEPROM의 소거방법을 수행토록 만든 소자로서, EPROM, EEPROM과 유사한
설계와 공정을 거쳐 생산됨.외부에서 고전압을 가해 데이터를 기입하며 전기적인 소거도 Memory Device 전체
또는 Block별로 가능하다.
이 Flash Memory는 NOR형, NAND형으로 대별되며 NOR형 EEPROM은 Hot Electron을 주입하는 기입방식을
적용하고, NAND형은 터널현상과 페이지 동작회로 기술을 조합하며 프로그램 속도가 빠르다.
기억된 정보는 전원이 꺼지더라도 없어지지 않아 비휘발성 메모리라 불리운다.
최근 Memroy 시장에서 hard disk를 대체할 소자라서 기대되고 있다.
Flat Zone(평평한 부위) Wafer의 방향및 종류를 표시하기 위해 일정 방향으로 cut해 놓았는데 그 면을 지칭.
FLC
층상으로 분자 배열하는 스메틱 액정을 이용해서 강유전성 기능을 가진 것.
쌍안정상태의 메모리 기능과 스위칭 속도가 매우 빠르다.
크로스 토크가 없고, 시야각이 넓으며, 단순 매트릭스 구동이 가능하다.
Flexible Printed Circuit 구부러질 수 있는 인쇄기판.
Flexural Strength 휨. 강성.
Flip-Flop
2진수(Binary)를 기억할 수 있는 기초 전자회로로서,두가지의 안정 상태(ON 또는 OFF)을 갖고 있으며,
논리회로나 기억장치구성의 기본회로임.
Flicker(플리커)
텔레비젼의 수상화면이나 형광 등의 깜박임과 같은 광도의 주기적인 변화가 시각으로 느껴지는 것을 말함.
Floating Gate
MOS TR의 게이트 절연층 속에 매입된 금속 또는 다결정 실리콘으로 된 전극을 말하며 전기적으로
떠있으므로 Floating Gate라고 한다.
Floor Plan
반도체 설계시 Chip을 Layout하기 전에 각 Block의 layout을 전체적으로 배치하여 layout상에 block의
위치와 배선을 결정하는 작업.
Flux 금속을 솔더와 잘 접속시키기 위하여 물리적이나 화학적으로 활성화시키는 물질.
FMS(Facility Monitorng System)
중앙집중식 환경관리 System으로 Line내의 온·습도, Particle, Hepa filiter에 흐르는 공기의 속도(유속),
순수의 순도등을 측정하는 System.
Foot Print PCB와 Component를 납땜할 수 있도록 만들어 놓은 자리.
Forbidden Band(금지대)
전자가 취할 수 있는 에너지의 폭이 띄엄띄엄이고 그 사이에는 전자가 취할 수 없는 에너지 폭이 있다.
이 전자가 취할 수 없는 에너지 값의 범위를 금지대라고 한다.
Forming Die Forming I.C.
lead frame의 lead를 요구하는 현상 즉, curl, Z form 등이 있으며, clie Punch를 요구형상으로 제작하여
그 사이에 lead frame을 위치시켜 곡선을 따라 꺽는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 포옴 다이라고 한다.
Forming Gas
1) Die Attach및 Wire Bonding시 재료의 산화를 방지하고 환원을 목적으로 H2와 N2를 일정비율로 혼합한 Gas.
2) FAB 제조공정(확산, 식각)에서 본래의 공정이 정상적으로 잘 진행하기 위하여 사용하는 분위기 Gas.
Forward(순방향) PN접합의 P쪽에 +, N쪽에 -의 전압을 가하는 방향을 순방향이라고 한다.
Forward Current(순방향 전류) PN 접합에 순방향 전압을 가했을 때 흐르는 전류를 말한다.
Forward Voltage(순방향 전압)
PN전합에 순방향으로 전류가 흐르고 있을때 그 PN 접합의 양단에 걸려있는 전압을 말한다.
Four Layer Diode(4층 Diode) PNPN의 4층 구조를 갖는 Diode.
Four-Point Probe 막질의 sheet 저항을 측정하는 장비.
FOX(Fast Oxidation)
고압(0∼25기압)에서 증기 산화방식을 이용하여 산화막 성장속도를 빠르게 하는 장치로서 Hipox라고도 함.
(High Presure oxidation)
FP(Flost Point) 이슬점.
FPGA(Field Programmable Gate Array)
미리 program할 수 있도록 제작된 chip에 사용자가 CAD를 이용하여 로직을 구현할 수 있도록 한 제품.
FPO(Finish Process Order)
동일 품종의 Lot를 동일수준의 품질을 가지고 있다고 판단하여 여러 Lot를 1개의 Lot로 묶어 공정
flow 시키는 경우, 하나로 묶은 Lot를 FPO Lot라 한다.
작업능률 향상을 위해 사용.
FQ(Full Qualification) Customer의 요구조건을 충분히 만족시킨후 양산.
FQA(Final Quality Assurance)
최종 품질 보증, 제품의 제품 창고 입고전이나 출하직적 실시하는 검사공정을 총칭하며, 불량제품의 사전 검출에
그 목적을 둠.
FR(Failure Rate) "제품의 불량율"로서 제품을 계속해서 사용했을 때 불량이 발생할 가능성을 나타냄.
Fractional Factorial Design
일부실시법. 완전 Factorial 실험법에 필요한 조합의 적절히 선택된 분수.
Frame Reticle/mask를 alignment할 수 있게 공정용 pattern 및 process상 필요한 item들을 sawing할수 있는
scribe line에 삽입하여 alignment할 수 있게 만든 형틀이다.
설계된 제품의 노광을 위해 한 번에 노광한 제품을 배열한 형틀로서 제품과 제품사이의 scribe line내에는
노광장비에서 사용할 align key 및 process inspection용 pattern을 포함하고 있다.
Frame Time 화소의 데이터가 들어오는 시간 간격으로 Refreshing time과 같다.
Frame Ring Wafer를 완전 전달하기 위해 Tape에 접착시킬 때 지지하여 주는 틀.
Free Election(자유전자) 전자중에 결합력이 약하여 결정 격자의 구성에 관여하지 않고 결정속에서
전계에끌려 자유로이 움직일 수 있는 전자.
Freon 고열이 발생하는 부분의 열을 냉각시켜 주기 위하여 사용되는 냉각제.
Freedericks (전이)
자화율 이방성이 양인 네마틱상에서 자계를 인가하면, 액정분자를 자계방향으로 배향하려고 한다.
그러나 표면에서의 액정의 배향을 일정하게 규제하는 것 같은 처리를 행한 기판의 평행한
유리기판에액정을 넣고 기판의 배향 속박력에 의해서 액정분자를 일정한 방향에서 배향된 샌드위치
셀을 만들고 수직 자계를 가한 경우 Hc에서 자계 방향으로 배향이 일어나는 것을 말함.
Frequency Distribution
도수분포. 개별 관측치 및 그 값이 시료나 모집단에서 발생한 빈도수를 나타낸 것을 말한다.
Frnak의 탄성정수 배향 벡터의 찌그럼짐에 관한 곡률 탄성의 탄성 정수.
From/To chart
inter-bay 및 intra-bay의 작업 진행을 simulation하기 위하여 공정 진행 예정표를 작성하는 chart.
FSTN(Film Super Twist Nematic)
STN과 유사하게 칼라 보상 액정셀 대신 폴리머된 매우 얇은 막을 사용한다.
FSTN은 DSTN에 비해서 콘트라스트는 떨어지지만 큰 시야각이라든지 저 소비력이라는 큰 장점을 갖고 있다.
FTA.(Fixed To Aattempt Ratio)
한 Wafer의 Repairable 소자들에 대해 Fuse Cutting 한후 양품화되는 소자의 수를 백분율로 환산한
값을 말한다.
FT(Current gain Band with product) 차단 주파수.
Full-Auto 장비가 HOST의 통제를 받으면서 AGV가 CST LOAD/UNLOAD를 수행하는 상태 및 그 표시.
Full Bar GOI Pattern
GOI 측정을 위하여 ISO (Active) MASK와 PAD(Repair) MASK를 사용해서 단순히
Poly/Oxide(or ONO)/P-SUB 조의 Capacitor를 형성시키는 공정 진행 과정.
Full Custom 제품
자동화된 tool을 사용하지 않고 원하는 chip의 특성에 맞게 설계하는 IC 설계방법. 회로설계시
MOS transister level부터 시작해서 회로구성,simulation, optimization을 실시한 후 칩 전체의
area를 최적화하기 위해 수작업으로 layout하여 완성된 반도체 제품.
Full Cutting 완전 절단. 테이프 절단(Tape Cutting) 과 같은 말로 Wafer를 완전 절단(95∼100%)함을 말함.
Fume(증기) 화공약품의 증기를 말함.
Function Test
Device의 동작이 진리표에 명시한 대로 동작하는지를 검사하는 것으로 테스터에서 패턴이나 벡터를
Formater나 Device를 통해 인가한다.
Furnace(확산로=tube)
확산실에서 Deposition, Drive -In, Oxidation 혹은 Alloy를 하는 데 사용되며 긴 원형의 QZ를
이용하여 450℃에서 1250℃까지의 온도공정을 진행할 수 있으며 횡형과 종형이 있음.
Fazzy 이론
Fuzzy라는 의미는 '이해하다', '보호하다'는 의미로서 기존의 컴퓨터가 '0' or '1' 또는 'Yes' or 'No'라고
극단적으로 판별밖에 할 수 없으나 Fuzzy이론을 활용하면 그 중간단계도 판별이 가능하며 인공지능의
역할에 접근하게 될 수 있다.
FW(Filter Water) 일반 정수처리된 물.
F.W.W(Flouric Waste Water) 불산폐수로서 약품중 불산을 사용하는 장비에서 배출되는 폐수를 말함.
|
