| CAD(Computer Aided Design) |
| 컴퓨터에 기억되어 있는 설계 정보를 그래픽 디스플레이장치로 출력하여 화면을 보면서 설계하는것 |
| (컴퓨터을 이용하여 설계를 하고 도면을 그려내는 것). |
| CAD Software 반도체 제품의 설계 및 개발업무에 관련된 CAD Program을 총칭한다. |
| CAE(Computer Aided Engineering) |
| CAD로 만든 모델의 성능을 컴퓨터 내에서 상세하게 검토하여 그 데이터를 토대로 모델을 수정하는 |
| System(컴퓨터를 이용하여 모의 실험(Simulation)을 하는 Tools). |
| CAI(Common Air Interface). |
| CAI(Computer Assisted Instruction) |
| 교재나 학습용 프로그램을 바탕으로 컴퓨터를 통해 대화식으로 학습하는 것을 말함. |
| Calibration |
| 최고 정도의 국가표준원기와의 소급성(Trace ability)유지를 위하여 하위급의 표준기기 또는 정밀 |
| 계측기기를 정밀한 정밀측정 절차에 따라 비교검사하여 하위계측기기의 정밀, 정확도에 대한 편이를 |
| 검출, 조정하고 수정하는 행위를 말함(교정). |
| Calibration Interval |
| 계측기기의 주어진 정밀,정확도를 유지하기 위한 교정 유효 기간으로 교정일로부터 차기 교정일까지의 |
| 기간을 말함(교정 검사 주기). |
| Calibration Master Standard |
| 2차급 이하의 교정검사 기관 및 산업체가 유지 해야 할 표준기로써 공장용 기준기 및 정밀계측 |
| 기기의 교정 및 검증에 사용되는 표준(교정 검사용). |
| CAM(Computer Aided Manufacturing) |
| 컴퓨터 이용에 의한 제조방법으로서,CAD System으로 설계한 설계도의 데이터를 토대로 |
| NC(Numerical Control: 수치제어)공작 |
| 기계 등의 생산 설비를 제어하여 제품을 생산하는 장비. |
| Capacitance전하를 축적할 수 있는 용량. |
| Capatiance Voltage Characteris |
| MOS 구조에 있어, 반도체 기판의 상태,산화막 속의 오염상태, 반도체 기판과 산화막과의 계면상태 등을 |
| 알기 위하여 사용되는 용량과 전압의 특성.MOS 구조에 있어서는,금속전극에 가한 전압에 의해,산화 silicon막 |
| 아래의 반도체 표면상태가 축적상태, 공핍상태, 안정상태로 변화한다. |
| Capacitor 전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서). |
| Capillary Wire Bonding 공정에서 Chip과 Lead Frame의 Load를 Wire로 연결시키는 도구. |
| CAPS(Computer Aided Publishing System) 컴퓨터 출판 시스템. |
| Capture Center캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대 속의 에너지 준위. |
| Carrier 전류를 구성하는 기본적인 주체(전자, 전공). |
| Carrier Wafer를 담는 용기로 25장을 담을 수 있는 홈이 있다. |
| 종류로는 청색 캐리어(Blue Carrier), 흑색 캐리어(Black Carrier), |
| 백색 캐리어(White Carrrier), 금속 캐리어(Metal Carrier)가 있다. |
| 1) Blue Carrier : Poly Propylene 재질로 되어 있으며, 색은 청색임. 공약품에는 강하나 열에 약함. |
| 2) White Carrier : Teflon 재질로 되어 있으며,색은 백색임.화공약품과 열에 모두 강하며 가격이 |
| 비싸고 무거움. |
| Carrier Generation |
| 열평형 상태에서 반도체에 있는 carrier들은 주위 온도에 대응하는 평균 열에너지를 가진다. |
| 이 열에너지는 Valence Electron들 |
| 중 일부를 Conduction Band로의 천이과정 속에서 Electron과 Hole의 쌍을 생산하게 된다. |
| 이 과정을 Carrier Generation이라고 한다. |
| Carrier Handler Wafer를 취급하는 도구. |
| Cart Wafer strage box를 운반하는 도구. |
| Cascade |
| 3단으로 되어 있는 작은 폭포로써 순수한 물(D-I Water)이 흐르면서 바닥으로부터 질소가 분출되도록 |
| 만들어져 있어 Wafer를 헹구는 장치. |
| CASE Computer Aided Software Engineering. |
| Cash Memory Main memory와 CPU 사이에서 마련한 고속의 기억장치. |
| CAT(Category) Bin과 같은 개념임. |
| CATV(유선텔레비젼) (Cable Television) |
| 난시청을 해소하기 위한 대책으로 개발된 것. 동축 케이블 등으로 국과 가정을 연결하여 양질의 채널을 |
| 확보함으로써 방송 및 기타 정보 서비스에도 자주 이용된다. |
| Cavity 금형내에 PKG를 형성하게끔 만드는 PKG 모양의 동공. |
| Cavitation |
| 운전중인 pump에서 물의 온도에 의하여 증기압보다 낮아져 물 속의 공기, 수증기가 분리, 기포가 발생하여 공동을 만드는 현상. |
| CBIC(Cell Based IC) |
| MASK를 제작하여 공정을 거치게 하는 설계방식으로써 CAD software를 이용하여 Library를 배치·배선한다. |
| CBR(CAS Before RAS) RAS가 Low 되기전에 CAS가 Low되어 Refresh가 일어난다. |
| CC(LIM Central Controller) STC로부터 공정간 반송 지령을 받아서 stocker간의 cassette 반송을 제어한다. |
| C&C(Computers and Communications) 컴퓨터 기술과 통신기술의 완벽한 조합. |
| CCD(Charge Coupled Device) 전하결합소자(電荷結合素子). |
| 미국 벨연구소가 개발한 새로운 반도체 소자이다. 종래의 트랜지스터 소자와 달리 신호를 축적(기억)하고 전송하는 2가지 |
| 기능을 동시 갖추고 있다. 사람의 눈(目) 역할을 하는 전자 눈으로도 각광을 받고 있다. |
| CCM(Cell Control Manager) |
| Factory Automation System에서 Host Level의 program군(群)으로서 일련의 공정들을 제어한다. |
| CCST(Constant Current Stress Time) |
| Dielectric Film의 Life time을 측정하는 방법을 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)라 하는 데 이는 일정한 |
| 시간을 측정하는 방법이다. 그 중 CCST는 보통 단위 면적당 100mmA/㎠ 의 일정한 전류를 Plate Poly에 가해 Dielectric |
| Film의 Breakdown이 일어나는 시간을 측정하는 방법. |
| CCTV(페쇄회로 텔레비젼 Closed Circuit Television) 동축 케이블이나 마이크로 웨이브 링크(Micro Wave Link)등 |
| 제어접근이 가능한 다른 전송매체만을 방송신호로 사용하는 텔레비젼. |
| CD(Critical Dimension) 사진공정과 식각공정을 진행한 후 규정된 규격에 의해 공정이 진행되었는지 점검할 때 사용. |
| 1) ADI(After Develop Inspection) : Wafer 현상후 현상부위의 폭이나 가격을 잰값. |
| 2) ACI(After Clean Inspection) : Wafer 식각 및 Strip 후 식각부위의 폭이나 가격을 잰값. |
| CD-ROM(재생전용 Disk : Compact Disk Read Only Memory) |
| CD(광디스크)처럼 공장에서 제조시 기록한 정보만을 읽을 수 있는 Disk. |
| CDI(Collector Diffusion Isolation) 바이폴라 IC에 필요한 분리법으로 IC의 집적도를 높이기위해 분리에 필요로 하는 |
| 면적을 되도록 작게 하는 방법이다. |
| CDP(Career Development Plan) 파벌이나 인간관계에 기초한 인사이동이 아니라 사원의 자기실현에 대한 희망, 장래의 |
| 목표 등을 듣고 능력이나 경험을 정확히 파악한 다음 계획적으로 직장의 훈련이나 연수를 진행시켜 가는 제도. |
| CDP Compact Disk Player. |
| Cell RAM이나 ROM 등 IC의 가장 작은 기억소자를 말하며 보통 Transistor, Capacitor, Resistor 등으로 구성되어 있고 1Bit의 |
| 정보를 저장할 수 있다. |
| Cell 급. 히스토그램의 축을 따라서 관측된 개별 값들을 정해진 경계치내로 집단화한 것을 말한다. |
| Cell Boundaries 급경계. 급 내에 포함될 모든 값들을 포함하는 급의 양단 값을 말한다. 일반적으로 급경계치는 그려질 data |
| 보다 더 중요한 의미를 갖는다. |
| Cell Deviations(d) 급간 편차. 계산을 쉽게하기 위해, 보통 모든 급의 중심치로부터 상수 A를 빼는 방법에의해 data를 |
| 부호화하는 것이 바람직하다. A와 같도록 선택된 급의 중심치 Xm은 급의 중앙을 나타낸다. 모든 다른 급들은 그들이 중앙 |
| 급으로부터 떨어져 있는 급의 수로 나타낸다. 중앙 급은 Xm=A이기 때문에 그 거리 d=o이다. A보다 큰 값을 갖는 |
| 급은 '+', A보다 작은 값을 갖는 급은 '-' 값을 갖는다. |
| Cell GAP LCD의 액정이 주입되는 앞 유리기판과 뒷 유리기판 사이의 폭, 즉 액정층의 두께를 의미한다. |
| Cell IMP Mask ROM에 있어서 한 Bit의 저장정보 상태를 결정하여 주는 Implant 공정을 말하며, P-Well의 경우 Boron을 |
| 주입하여 TR을 compensate시켜 문턱전압을 상승시킴 |
| Cell Interval(i) 급 구간(간격). 급경계 사이의 거리를 말한다. |
| Cell Library 고유의 function을 갖는 primitive cell인 NAND, NOR, XOR 등을 지칭하는 것으로서 각각의 Cell에는 |
| Logic Symbol, Electrical data와 Layout이 한 조로 구성되어 있다. |
| Cell Midpoint(Xm) 급 중심치. |
| 두 급 경계치 사이의 평균값을 말한다. 일반적으로 급에서 관측된 모든 값들의 중심값을 말한다. |
| Ceramic 비금속의 비정질 재료를 칭하는 것이나 일반적으로 유리를 포함하지 않는 것이 보통이다. |
| Cer-DIP(Ceramic Dual In-Line Package) 재질이 Ceramic이며 Lead 배열이 양쪽인 PKG. |
| Certification 교정된 계측기기가 주어진 기준치와 일치됨을 인정하거나 측정값을 보증하는 행위를 말함(검증). |
| Centeral Line 중심선. |
| 관리도상에서 오랜기간 동안의 평균을 표시하거나 관리도 위에 찍히는 통계적 측정치들의 기준이 되는 값. |
| Central Processing Unit(CPU) 중앙처리장치. |
| CG(Computer Graphics) 컴퓨터 그래픽스. 컴퓨터에 의한 화상처리. |
| CGA(Color Graphics Adapter) IBM PC용으로 제공된 최초의 2개의 디스플레이 보드들 중의 하나이다. |
| (나머지 하나는 흑백 디스플레이/프린터 어댑터(MDA)) 최고 640*200그래픽스(흑백)를 가지고 있어 기껏 |
| 해야 80행*25열의 텍스트만을 표현할 수 있다. |
| Chance Cause(Random Causes) 우연원인. 일반적으로 다수이며, 개별적이고, 상대적으로 덜 중요한 |
| 요소이지만 산포에 영향을 끼치는 원인을 규명할 수 없는 요소들. |
| Chance Variation(Random Variation) 우연원인에 기인한 변동. |
| Channel MOS Transistor의 Gate아래 부분으로 다수 반송자를 형성하여 전류가 흐른 길. P-Channel, |
| N-channel 두가지가 있다. |
| Characterization Testing 특성 분석을 의미하며, 제품이 전기적 규격을 만족하는지 여부보다 실제 측정치가 전압, |
| 온도 등에 따라 어떠한 특성이 있는지 분석 시험하는 것을 말한다. 따라서 test time은 크게 부각되지 않으며, 가장 |
| 정확한 data를 얻는 것에 주안점이 있다. |
| Charge 전하. |
| Charge Coupled Device(CCD) 전하 결합소자. |
| Chip |
| 전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 작은(한변길이 0.5-10㎜정도) 포장되기 직전의 얇고 네모난 반도체 조각(Die와 같다). |
| 수동소자, 능동소자, 또는 집적회로가 만들어진 반도체. |
| Chip Select 많은 LSI 칩중에서 특정의 칩하나를 선택하는데 사용되는 LSI의 입력단자나 신호. |
| Chip-Set System을 구성하는 다수의 component(TTL, Controller, PLL 등)를 여러개 혹은 하나의 chip으로 구현한 것. 따라서 |
| chipset은 그에 맞는 다수의 system solution 및 software와 함께 제공되어진다. |
| Chiral 거울에 비친 분자의 상이 원래의 상과 다른 것을 의미한다. |
| Chiral Nematic Phase 액정상으로는 콜레스테릭 액정과 같은 것의 별칭이다. 당초 이 종의 액정상에는 cholestric 유도체 |
| 특징이 보임에 따라 콜레스테릭상이라는 명칭이 이용되었지만 그 후 네마틱상을 주는 화합물과 유사구조의 카이랄 화합물이 |
| 같은 콜레스테릭상을 주는 데서 명칭이 붙었다. |
| Chiral Pitch 네마틱 액정에 카이랄제를 첨가하면 분자 배열 나선 구조를 갖는다. 이 나선의 주기를 말한다. |
| Chokralsky Method Chokralsky가 고안한 단결정 반도체 제조방법. |
| Chromaticity(色度) |
| 색 평가는 일반적으로 색상, 명도, 채도의 3요소로서 행해지지만, 이것들을 총칭해서 색도라고 부르고 있다. |
| Chrome Mask Mask의 한 종류로 유리 원판위에 chrome(금속) 박막으로 회로가 인쇄된 Mask. |
| Chuck 공작 기기에서 작업물 또는 공구를 고정하기 위한 장치를 말하며, 반도체 공정에서는 Wafer Test시 Wafer를 고정시키고 |
| 적절한 온도를 가해주는 원형으로된 Prober의 특정부분을 의미한다. |
| Chuck Table 절단작업을 하기 위하여 Wafer를 올려놓는 치구를 말함(진공으로 고정시킬 수 있게 되어 있음) |
| CHW(Chilled Water) 냉동기에서 열을 빼앗겨 차거워지는 냉수로서 공기조화에 사용됨. |
| CIM(Computer Integrated Manufacturing) |
| 제조업체 있어서 기술, 생산, 판매의 제기능을 경영전략하에서 통합하는 정보시스템이다. |
| CIQ Customs Immigration Quar의 약칭, 출입국 때 반드시 쳐야 하는 3대 수속. |
| CISC(Complex Instruction Set Computer) |
| 여러 명령어가 복합적으로 존재하는 상태에서 동작이 전개되는 컴퓨터로서 종래부터 전통적으로 쓰여오고 있는 컴퓨터. |
| Clad 비교적 얇은 금속층이 양쪽면에 결합이 된 기본재(Base Material)의 상태. |
| Claim 수입업자가 상대방인 수출업자에 대해 계약을 완전하게 이행하지 않았다는 이유로 지불거절, 지불연기 또는 손해배상 |
| 등을 요구하는 것을 말한다. |
| Clamp Pressure 조임쇠 압력, 상하 금형을 맞 물리는데 필요한 압력. |
| Clean Class(청정도) 청정실내에 공급되는 공기중의 Particle 관리정도에 따라 등급을 정한것. 1M DRAM의 청정실은 0.1㎛의 |
| Particle를 기준으로 결정. 통상 0.5㎛이상의 공중입자가 1ft3 체적내에 있는 Particle의 수를 말함. |
| Cleaness 청정도. 먼지나 오염물질의 오염정도를 표시하는 기준. |
| Cleaning Wafer나 Carrier 등을 화공약품 및 순수한 물(D.I Water)을 이용하여 깨끗하게 하는 것을 말함. |
| Clean Paper 먼지가 발생하지 않는 종이. |
| Clean Room(청정실) 공기의 온도, 습도 및 Particle이 작업공정에 적합하게 인위적으로 조절 관리되는 실내공간. |
| Clearance Hole |
| 기판기본재에 형성이 되어 있는 홀과 동일한 축을 형성하고 있으나 크기는 더 큰 전도성회로층에 형성되어 있는 Hole. |
| Clinched Lead 기관의 홀속에 삽입되어 솔더링이전에 부품이 떨어져 나가는 것을 방지하는 역할을 하는 리드. |
| Clock Pulse 논리회로에서 일정한 주기의 펄스를 게이트의 1개 입력단자에 가해두고 이 펄스와 AND를 잡음으로써 |
| 시간의 규제와 파형의 정형을 하는 경우가 많은 데 이와 같은 펄스를 Clock Pulse라고 한다. |
| Cluster 터미날 또는 컴퓨터화된 시스템으로부터 일반적인 통신통로를 분배하는 입출력 장치들의 집단. 이것은 컴퓨터와 |
| 클러스터간의 설비사이에 정보의 흐름을 관리하는 로칼 클러스터 콘트롤러에 의해 운영된다. |
| C-MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) N Channel, P Channel의 두 MOS Transistor가 합해서 |
| 기능을 발하는 복합체로써 낮은 전력소모와 높은 Noise Margin 기타 신뢰성에 잇점이 있다. |
| C2MOS Clocked CMOS. 시계용 CMOS. |
| C-Mos 외검 검사표 Lot 크기의 단위 및 불량 항목을 나타내는 표. |
| CMS(Central Monitoring System) 중앙 감시장치. |
| Coating 감광막, 절연막 또는 금속막을 Wafer 표면에 균일하게 증착하는 (바르는)과정. |
| COB(Chip on Board) PCB Board에 Die를 붙인 것. |
| Cob(Collector Capacitance) 콜렉터 용량 Collector- Base 간의 PN접합 용량. |
| CO2 Bubbler Wafer 고압 세정시 정전기 발생을 억제하기 위하여 CO2를 공급하는 장치. |
| CO-Processor Main processor에서 제공하지 못하는 특정용도의 instruction을 가진 processor. Main processor와 함께 |
| 사용되어, floating-point 연산을 하는 match-coprocessor, graphic 기능을 하는 graphic coprocessor 등이 있다. |
| CODEC(Coder and Decodr) ADC와 DAC를 one chip화한 IC. |
| COG(Chip On Glass) 액정 패널의 유리기판위에 드라이버 대규모 집적 회로를 직접 내장하는 방식으로, 초박형, 경량화로 |
| 인해 접속피치의 미세화에 대응하는 새로운 실장방식이다. |
| Cold Solder Joint(콜드솔더결합) 불충분한 가열 및 솔더링의 불충분한 세척이나 솔더의 오염으로 인하여 솔더표면이 젖고 |
| 균일하지 못하며 구멍이 많은 상태의 솔더 결합. |
| Cold Test 제품을 강제로 저온상태에서 검사하는 것 (-18℃ 이하). |
| Collector 접합 Transistor에서 출력이 나오는 부분. |
| Collet Chip을 Lead Fram에 접착시키는데 Expanding Tape에 접착된 Chip을 Lead Frame에 붙이는 도구. |
| Color 적(R) 녹(G) 청(B)의 색소를 가지는 표시체를 가리킨다. 각 화소가 0 또는 1의 무계조 혹은 저계조이면 multi 칼라라고 |
| 부르고, 계조수가 영상을 표현할 정도로 많으면(64 level이상) full 칼라라고 한다. |
| Column 액화된 공기를 비점차에 의해 질소와 산소, 아르곤 등으로 분류시키는 정류탑. |
| Column성 Fail Device Test결과 일정한 Y Address, 변화하는 X Address를 갖는 Cell들이 연속적으로 Fail된 경우. |
| Combinational Circuit(조합회로) 기본 게이트인 NAND, NOR 등을 조합한 비교적 기본적인 Digital 회로. |
| Common 전기를 공급시키는 단자중 접지되는 공통단자를 의미함(Ground). |
| Comparator 두 개의 입력을 받아서 그 진폭의 크기를 비교하여 요구되는 신호를 선정하는 비교증폭기. |
| Complementary Circuit(상보형 회로) |
| 바이폴라 또는 유니폴라로서 극성이 반대인 TR을 접속하여 하나의 기능을 갖게하는 회로를 말한다. |
| Compound 선 연결된 반제품을 포장하고 성형 재료로서 화합물인 수지에 각종 배합제를 가하여 성형가공하기 쉽게 만든 |
| 열경화성 수지. |
| Compound Semiconductor 화합물 반도체. |
| Component(컴포넌트) |
| 개개의 부품을 뜻함. 혹은 함계 결합되어지면 일정한 기능을 수행할 수 있는 부품들의 조화된 상태를 말함. |
| Component Density(컴포넌트 밀도) 기관의 단위면적당 부품의 양. |
| Component Lead Hole(컴포넌트 리드 홀) 부품단자를 전기적으로 연결시키거나 부착시키는 역할을 하는 홀. |
| Component Pin(부품핀) 부품으로부터 연결이 되어 기계적이나 전기적인 연결을 한다. |
| Component Side(부품면) 인쇄회로기판 중 대부분의 부품들이 실장되는 면. |
| Compound Device 하나의 케이스속에 2개 이상의 회로소자를 포함하는 것을 복합부품이라고 한다. |
| Compressor 공기압축기. |
| Computer Network 컴퓨터 네트워크. |
| 복수의 컴퓨터 혹은 1대의 초대형기와 다수의 단말기를 통신회선으로 연결하여 효율적인 데이터 전송을 하기 위한 통신망. |
| Computer Virus 컴퓨터 바이러스. |
| 정상적인 컴퓨터 내에 침입해 데이터나 파일을 파괴하거나 다른 프로그램을 못쓰게 만들어 버리는 악성 프로그램. |
| Condenser(콘덴서) 기본적으로 2장의 전극사이에 유전체를 둔 구조. |
| Conductance 저항의 역수로서 도전도라고 하며 전류가 흐르기 쉬운 정도를 말한다. 교류회로에서는 어드미텐스 |
| Y가 Y-G-jB로 표시되는데 이식의 G가 컨덕텐스이다. 병력 컨덕텐스위 합성치는 각 컨덕텐스의 합이 되므로 |
| 병렬회로의 계산에 이용하면 편리하다. |
| Conduction Band(전도대) 결정이 갖는 전자의 에너지 상태를 에너지대로 표현했을 때 가장 에너지 값이 작은, 즉 맨위에 |
| 있는 에너지대로서 수용 가능한 수의 전자로 충만되어 있지 않은 상태에 있는 에너지대. |
| Conductivity(전기 전도도) 전기가 통하기 쉬운 정도를 나타내는 양으로 전기 저항의 역수이다. |
| Conductor(도체) 전기가 통하는 것(비저항이 10E -6 ∼ -4㎝ 정도의 범위). |
| Conductor Side(회로면) 단면 인쇄기판 중 회로를 포함하는 면. |
| Conductor Spacing(회로간격) 회로면에 있어서의 회로와 회로의 간격. |
| Contact(TEST) |
| 통상 Continuity Test라고 칭하며, tester interface와 device 사이의 접촉 혹은 연결이 정확히 되었는가를 확인하는 것이다. |
| 이 Test는 보통 각 IC pin의 protection diode에 순방향으로 전류를 인가하고 전압을 측정함으로써 가능하다. |
| Contact Potential(접촉전위) |
| 일반적으로 두 종류의 금속을 접촉시키면 한쪽에서 다른쪽으로 전자가 이동하여 두 금속간에 전위차가 생기는데 이 접촉 |
| 자체로부터 유기되는 두 물질간의 전위차를 접촉전위라고 한다. |
| Contrast Ratio |
| 디스플레이상에서 일정 조건의 빛을 조사할 때 액정 표시기의 밝은 부분과 어두운 부분의 정도의 명암의 대조를 의미한다. |
| 즉 화면의 백과 흑 각각의 경우의 광의 투과량의 비에 의해 정의된다. |
| Concuctor Width(회로폭) 기판의 위에서 회로를 내려다 보았을 때의 가장 넓은 부분. |
| Conformal Coating 기판의 부품결합이 완전히 끝난상태에서 표면을 절연체로 실시하는 코팅. |
| Confounding 교략. 타인자나 Block 인자 또는 교호작용에 의한 효과와 인자간의 미소한 효과나 인자의 주효과가 구분되지 |
| 않고 결합(혼합)되는 것을 말한다. |
| Connector Area(단자부) 외부와 전기적으로 연결될 수 있도록 사용되는 부분. |
| Console 컴퓨터 시스템의 일부분으로서 관리자 또는 조작원과 컴퓨터 사이에 대화(연락)을 할 수 있는 장치. |
| Contact Resistence Metal과 Wafer표면 접합부의 전기적 저항 크기. |
| Contact Spacing(접촉간격) 인접단자 각각의 중간선 간의 거리. |
| Contact Spiking |
| Al이 P/N 접합면과 Alloy 되었을 때 Junction이 매우 얇은 Junction을 침범하여 Spike 모양으로 Alloy된 현상을 말한다. |
| Contamination 오염. |
| Control Chart 공정이 통계적 관리상태 인지 아닌지를 평가하기 위한 도식적인 방법으로 관리한계와 통계적 측정치를 |
| 비교하여 관리상태를 판단한다. |
| Control Chart-Standard given 해석용 관리도. |
| 관리도상의 점들에 대해 적용 할 수 있도록 채택된 기준값을 근거로 한 관리한계선을 가지고 있는 관리도. |
| Control Gate 2 Polysilicon Stacked Structure를 가지는 Non-Valatile Memory중 실제적 Gate 역할을 하는 전극으로서, |
| 이 Electrode의 Bias 상태에 의하여 소자의 Program과 Erase가 수행되어 진다. |
| Control Limit |
| 관리한계. data가 안정상태인가 아닌가를 판단하는 기준으로 또는 어떤 조치가 필요한지의 기준으로 사용되는 관리도상의 한계. |
| Continuous Sampling Plan 연속 Sampling법. 개별단위체의 합·부판정을 포함하고 전수검사의 선택적 주기와 검사제품의 |
| 품질에 따라 sampling을 적용하는 개별 제품단위의 연속체에 적용하기 위한 sampling 계획을 말한다. |
| Conventional Memory DOS에 의해 인식되고 관리될 수 있는 Memory 영역을 말하며 640KB로 제한되며 Base Memory |
| 라고도 한다. 그 이상의 영역은 Expanded Memory와 Extended Memory를 동시에 사용할 수 있다. |
| Converter |
| 1) 주파수 변환의 동작을 하는 회로. |
| 2) 직류의 전압을 바꾸는 장치. |
| Cooker Test 용기속에 물을 넣고 거기에 TR, Diode, IC 등을 함께 넣어서 뚜껑을 밀폐하여 가열하는 시험. |
| Coplanar Structure 트랜지스터 공정에서 게이트와 소오스드레인 전극이 활성층의 위에 있는 구조. |
| Core Embedded IC에서 Micro-operation과 ALU 등의 CPU기능을 하는 핵심 Block을 주변회로(Peripherals)에 대응하여 |
| Core라 한다. |
| Correlation 검사장비의 상태를 점검하고 검사되는 제품이 정확히 검사되는지를 확인하기 위하여 점검하는 시점을 기준으로 |
| 그 이전의 장비상태를 비교하는 방법. |
| Correlation Coefficient 상관계수. |
| 두 변수들 간의 직선관계의 정도로 -1에서 1사이의 숫자로 나타난다. +1이나 -1의 상관계수는 두 변수가 완전히 직선관계임을 |
| 나타내고 r=0이면 상관 관계가 전혀 없음을 나타낸다. |
| Corrosion(부식현상) Al식각 후 Etchant Gas에 의해 Al2O2가 되어 Metal이 부식되는 현상. |
| Cosmetic Appearance(외관 규격) 액정 패널의 외관성의 규격을 결정하기 위한 것으로 액정 표시소자의 응용분야 및 |
| 고객의 요구 정도에 따라 A급, E급, B급 으로 나누어진다. A급은 자동차용 Instrument panel 등 주요고객, E급은 산업용 |
| (Car-audio), B급은 Game기용 등이다 |
| Covalent Bond(공유결합) |
| 몇 개의 원자가 모여서 분자를 이룰 때 양쪽 원자에서 전자가 하나씩 쌍을 이루어 결합하게 되면 매우 안정하고 강한 결합력을 |
| 가지게 된다. 이것은 서로 상대방의 원자가 갖는 전자를 공유하는 결합상태이므로 공유결합이라 한다. |
| Covariance 공분산. (σxy는 모집단들, sxy는 시료들 사이의 공분산) 두변수들 사이의 상관관계 정도. |
| Cooling Water 냉동기에서 냉매의 압축열을 흡수하는 냉각수(CW). |
| CP/M(Control Program For Micro-Computer) 8비트 및 16비트 개인용 컴퓨터의 표준운영체제. |
| CPM(Central Particle Monitoring System) 중앙집중식 먼지관리 System. |
| CPO(Customer Product Operation) |
| 소비자 요구 수준 만족을 위한 Device의 특수 Test를 말하며 이는 Customer의 Special Spec을 적용함. |
| CPS(Characters Per Second) |
| 1초간에 전송할 수 있는 숫자수, 주로 프린터가 1분간 프린트할 수 있는 능력(속도) 나타낸다. |
| CPU(Central Processing Unit) |
| Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을 갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분. |
| Crack 금감. 즉, 절단시 충격, 또는 Stress차에 의한 Chip, 막질 혹은 PKG 몸체에 금이 가는 현상. |
| Cradle Chip Mount를 연속적으로 하기위해 사용하는 금속 리본을 말하며 베이스 리본, 콘 따위와 같은 것이다. |
| Crazing 밀착된 기초재의 내부에서 화이버교차시 교차부분에서 화이버가 분리되는 상태. |
| Critical Energy |
| Ion 주입시 Beam Energy의 크기가 높아 불순물이 Mask막질을 투과하여 Implant되는 위험 Energy를 말함. |
| Cross Section(절단면) |
| 절단면을 말하며, 여러 가지 Layer로 형성된 Pattern의 모양을 관찰하기 위해 Layer의 수직방향으로 잘라놓은 단면모양. |
| Cross Talk 시그날회로 사이에서의 에너지로 서로 영향을 미쳐 방해를 일으키는 상태. |
| Cross-over IC가 복잡해지면 배선을 입체적으로 교차시키는 것을 말한다. |
| Crow Feet WF 표면의 새 발자국 형태의 결함. |
| Crystal Osillator 수정 진동자의 안정성과 압전현상을 이용하여 전자회로의 발진기를 형성시키는 것. |
| CTN(Complementary TN) |
| 각 화소의 액정분자에 두 가지 상반된 방향을 주어 보다 넓은 시야각을 가능케한 특수 유형의 LCD 결정. |
| CUM GRAPH(Cumulative Grapth) |
| 임의의 data를 통계적으로 관찰하기 위해 전체 data의 수를 정규화하고 data의 값에 따라 누적하면서 도식화한 그림. |
| Wafer내의 각 die에 관한 정보와 같은 행열 구조의 data를 통계적으로 관찰하기 위해 동일 위치의 die(element)의 |
| data를 누적하여 전체 행열(wafer)의 분포를 볼 수 있게 한 그림. |
| Cumulative Frequency Distribution |
| 누적 도수분포. 특별한 급경계치보다 크거나 작은 발생 빈도를 갖는 개별 관측치들의 조합을 말한다. |
| Cure 경화, 즉 PKG를 인쇄후나 성형후에 단단하게 굳히는 작업. |
| Custom IC 고객(Custom IC)의 주문에 의한 사양으로 작성되는 IC. |
| Customer Layer ASIC process의 일부로서 수많은 gate를 array상에 배열하는 base array process가 완료된 후 |
| 이를 user가 요구하는 기능에 맞추어 각 gate를 연결하는 배선 process라 할 수 있다. |
| CUT-OFF Frequency |
| 액정 소자가 어느 이상의 주파수로 인해 교류 구동으로 추종할 수 없게 되는 한계 주파수를 의미함. |
| Cut Stroke 절단범위. |
| CV(Cleaning Vacuum) 청소용 진공으로서 라인내 청소시 사용된다. |
| CV(Count Variance) 수량차이. |
| CVD(Chemical Vapor Deposition) APCVD 상압증착, LPCVD 저압증착방식 등으로 분자기체를 반응시켜 Wafer |
| 표면위에 Poly나 Nitride, PSG, BPSG, LTO 등의 막질을 형성시키는 공정. |
| C-V Plot(Capacitance Versus Voltage Plot) |
| Wafer의 정전용량 특성을 도면화하여 산화막의 막질평가, 오염도(정전용량, 두께, 문턱전압, 농도)를 파악하는 기법. |
| CVST(Constant Voltage Stress Time) |
| 절연막의 신뢰성을 측정하는 한 방법으로 일정한 전압을 인가하여 절연막이 깨질때까지의 시간을 말함. |
| Cycle Function Test에서 패턴이나 벡터를 Device에 인가하고 다음번 패턴이나 벡터를 인가하기까지의 시간. |
| Cycle Time 주기적으로 일어나는 연속동작의 최소시간 간격을 말한다. |
| CRT(Cdthode-Ray Tube) 가장 고전적인 화상 전달방법으로 브라운관으로 알려져 있다. |
| Cryo-Pump 고진공 펌프로써 극 저온에 의한 Gas 흡수 및 흡착식 펌프. |
| CQ(Conditional Qualification) 조건부 양산 승인. |
| CT(Cardless Telephone) |
| CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 열팽창 계수. |
| CTM(Clean Tunnel Module) 천정 전체를 Hepa Filter를 사용하여 최적의 Clean Room을 유지시킬 수 있는 공조방식으로 |
| A Class까지 유지할 수 있다. 풍속은 약 0.3m/s 정도이며 환기 회수는 약 700회/h정도이다. 바닥 Grating사용으로 |
| Down Flow로 하는 것이 가장 좋은 Clean 유지를 할 수 있고, 그 외 수평형이나 Hepa Box를 사용한 난류형으로도 사용된다. |
| CTS(Computerized Typesetting System) 전자식자 조판 시스템으로 설명되며 출판물의 제작에 있어 편집과 조판과정을 |
| 표준화하고 전산화하여 편집부와 조판부, 인쇄부를 컴퓨터로 연결하는 것이다. |
| CU(Control Unit) Timing, 제어신호를 생성. |
| Culvert 용역동과 각 라인 및 기타동에 유틸리티를 공급. |