 Labelling(명명)
Wafer에 RUN번호를 기록하거나 확산 Tube에 번호를 Diamond pen으로 기록하는 것을 말함.
Laevoratatory(左示性)
빛의 진행방향에 대해 관측자 쪽에서본 경우 매질을 통과하는 빛의 편광면이 시계 회전 반대방향으로
회전하고 있는 것.
Laminar Flow 공기가 유동하면서 서로 충돌하지 않고 일정한 유선을 그리는 층류이동.
Laminar Flow Station
먼지를 제거한 순수한 공기만이 흐르게 되어있는 작업대를 말하며,Filter를 통해 공기가 정화유입됨.
Laminate Vold 정상적으로는 레진이 있어야 할 곳에 레지니 없는 상태.
LAN Local Area Network(Ethernet, Arcnet, Token ring, …)
Laptop
TFT-LCD 기본적으로 전지를 포함,중량 3.5kg 이하의 포터블 PC인 Laptop PC에 장착되는 디스플레이
판넬로 보통 8-14인치의 540x600 또는 640x480의 그래픽 모드를 가지며 pitch 0.24, 0.33㎜정도이다.
LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation).
Laser Diode
반도체 레이저에서 레이저 발진을 일을키는 하나의 방법으로서 PN접합에 큰 전류를 흘려서 소수캐리어를
다량으로 주입하는 방법이 있다.
이것을 반도체 접합형 레이저 또는 주입형 레이저라 하며 이것에 쓰이는 PN접합을 레이저 다이오드라 한다.
Laser Interference Method
Etch 공정시 Wafer 표면에 주사시키는 Laser의 반사파를 추적하여 반사파의 파장이 노출되는 박막의
종류에 따라 변화되는 신호를 기준점으로 활용하는 방법.
Laser Recrystallization
엑시머 레이저를 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 재결정화 시키는 방법을 말한다.
Laser Repair
반도체 제품에서 Data 저장소의 일부(혹은 회로일부)가 제조공정에 의해 그 기능을 제대로 발휘하지
못할 경우 LASER를 사용해서 일정부분의 회로를 끊어 다른 Data 저장장소(혹은 다른회로)로 대체하여
제품기능에 이상부위를 정상으로 동작할 수 있도록 회로를 교체해 주는 것.
Laser Scriber
반도체 Wafer로부터 Die를 잘라 내는데 레이저 광선으로 금을 긋는 장치를 Laser Scriber
또는 Laser Cutter 이라고 한다.
Laser Test Yield 향상을 위해 Fuse를 Laser로 끊어내는 작업.
Lasera 유도 방출에 의한 빛의 증폭.
Latch 신호의 일시 기억용으로 사용되는 회로.
Latch Up
CMOS 구조에서 외부의 전압, 변동이나, 전기적 잡음 또는 ionizing radiation 등으로 Turn on되어
소자의 동작을 방해 또는 파괴시키는 동작을 말한다.
Latin Square
Latin 방격.세 인자중의 한 인자의 수준수와 다른 두인자의 수준수의 조합이 한번에 1회씩 나타나는
(발생하는) 실험법을 말한다.
Lawer Cutter = LASER SCRIBER.
Layer
반도체 IC를 만들기 위해서는 Si-Wafer위에 순차적으로 층(Insulator,Conductor 등)을 쌓아가면서
Photo/Etch 공정을 거치면서 원하는 Pattern을 형성하게 되는데 이러한 층들을 의미한다.
Layout
Simulation을 통하여 축출된 Circuit을 실제의 제품생산을 위해 Design Rule 및 공정 조건에 의하여
그린 설계 도면.
Layout Plot
Layout을 육안 검사하기 위해 전체 혹은 일부를 배율조정해서 Hard Copy로 출력한 도면으로 C-MOS
LSI 등에 있어 어떤 특정한 상태에서 기생하는 THYRISTOR 또는 TRANSISTOR가 도통하고 전원 단자간에
대전류가 흐르며, 회로 동작이 고장상태가 되기도 하여, IC가 전류에 의해 파괴되는 현상을 말한다.
C-MOS에서는 미세화에 따르지 않는 이상동작이 문제가 되고 있다.
L/B(Loadboard) Test System에서 사용되는 일종의 Jig.
LC(Local Controller) 공정간 반송에서 vehicle에 주행지시를 한다.
LC(Liquied Crystal)
물질이 가열되어 고체에서 액체로 변화될 때의 어떤 특정의 유기재료에 나타나는 중간상태를 가리킨다.
이상태에서는 고체처럼 분자가 어떤 특정한 질서를 갖고 배열하며 점성이 낮은 액체와 같은 유동성을
겸비하고 있다. 이것이 액상결정 즉 "액정"이다.
LCD(Liquid Crystal Display)
액정(liquid crystal)을 이용한 문자나 숫자 표시판으로, 두 개의 유리판 사이에 액정을 넣고 전압에
의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치.
LCL(Lower Control Limit) 하한관리 한계선.
LD(Laser Diode)
초소형화시킨 레이저로서 가장 높은 효율을 보이며 P-N 접합을 형성시켜 전류주입으로 레이저에 필요한
이득을 얻는다.
LD로 얻을 수 있는 Power는 1W이하가 대부분이며 10mW급이 통상적으로 사용되고 있다.
LDD(Lightly Doped Drain)
Doping이 낮게되는 영역(N-)을 이용하여 Device의 동작 전압을 향상시킬 목적으로 사용하는 공법.
LDMOS(Lateral Diffused MOS)
고전압 회로에 응용하기 위하여 기존 MOSFET를 변형한 구조로 Source와 Drain 확산 사이가
채널영역과 표동영역(drift region)으로 분리되어 높은 항복전압 특성을 나타낸다.
Lead Finishing
반도체 제품의 Lead 표면을 대기중 산화와 부식으로부터 보호하고 납땜 신뢰도를 높히기 위해
주석도금(Tin), 납땜(Soldering) 혹은 납 도금(Soler Plating)하는 공정.
Lead Frame
TR, diode, I.C 등의 반도체 제품을 조립시 Sawing된 Die를 Attach 시키는 머리빗 모양으로 정형된 얇은
금속판. 재질별로 Alloy 42, Copper, Kovar, Steel등으로 구분되며 형태별로는 IDF와 TTT형이 있음.
Leak
세그먼트와 세그먼트 사이 또는 pin과 pin 사이에 도전성을 지닌 이물질 등에 의해 이상전류가 흘러
불량이 일어나는 상태.
Leak Current 누설전류라고도 하며 원래 전류가 흐르지 않아야 할 곳에 전류가 흐르는 것을 말한다.
Leakage
보통의 input나 tristated output은 open circuit같이 high impedance로서 표현될 수 있다.
leakage는 규정된 voltage가 인가되었을 때 input과 triasted output에 누설되는 current양를 말하며
input leakage와 triasted leakage가 있다.
LED(Light Emission Diode)
반도체 소자로서 전류가 통과할 때만 빛을 발산하는 Diode(PN 접합형 반도체).
Legend(식자)
정상적으로 작동할 수 있도록 기판상에 글자나 숫자나 기호를 표시하여 부품의 위치를 표시하는 것.
LF(Lead Frame) Chip을 접착시킬수 있는 금속.
LG(Leader Girl) 조장.
LG(Letter of Guarantee).
Library
Gate Array와 Standard Cell 방식으로 제품을 설계시 배치 배선의 효율성을 높이기 위해 미리 준비된
각종 논리블록의 집합체.
LIM(Liner Induction Motor)
일반형 유도 전동기를 축에 따라서 분리하여 1차측 고정자, 2차측 회전자 및 공극을 가각 직선으로 펼친
비회전형 motor이다.
Life Time Carrier 주입후의 수명.
Limited Calibration
제한교정.계측기기의 본래의 정밀도 보다 낮거나,기능상의 일부분만 교정 검사하는 것.
Linear IC(L-IC)
계수형 IC(Digital IC)에 반대되는 것으로,입력의 크기에 따라 출력이 선형적으로 변화하는 집적회로로
증폭기 정전압기 등이 있음. Analog형 증폭을 말함.
Linear Circuit
입력에 비례한 출력이 얻어지는 회로이며 Analog 회로라는 용도도 이것과 같은 뜻이다.
Linear regression equation 직선회귀 방정식.두변수들 사이의 직선관계를 나타내는 식.
LIPAS(Line Item Performance Against Schedule) 계획대비 항목별 달성율.
Liquid Crystal(액정)
액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비한 액체나 고체의 중간적 성질을 갖는 물질이다.
Liquid Phase Epitaxy(액상 에피택셜)
주로 화합물 반도체에 사용하는 에피택셜법이다.
고온도속에서 Ga, Sn 등의 용매 금속에 화합물 반도체(이를테면 GaAs 등)를 용해시켜 두고 다음에
이것을 과포화 상태로하여 기판위에 단결정을 성장시키는 방법이다.
Lithography IC, LSI 등의 Micro Fabrication에 쓰이는 기본적인 기술로서 석판인쇄술이라고 한다.
LN2(Liquified N2) 액화된 N2 GAS, 저온을 필요시 사용.
Load
카드 리더나 디스크 장치 등의 주변장치로부터 Program이나 Data를 중앙 처리장치 내의 내부 Memory에
기억시키거나, 내부 Memory에 기억 되어있는 명령 Code나 Data를 중앙처리장치 내의 Resistor에
기억시키는 것.
Loader
Stocker의 공정간(입출공정간) 반송 정지 station 사이에서 cassette를 주고 받는데 사용되는 Unit.
Load Circuit
Test시 Device에 실제 Application과 유사한 환경을 인위적으로 조성하기 위해 출력단에 저항,
Capacitance를 가해 주는 Circuit.
Loading Wafer를 Carrier 혹은 Boat에 Tweezer 또는 기계를 사용하여 담는 것을 말함.
Loading Effect(전계효과)
식각 공정시에 발생되는 문제로 Pattern 밀도의 차이 및 Pattern 크기에 따라 식각 속도가 달라지는 현상.
Loading fixture Lead Frame을 성형할 때 편리 하도록 만들어진 기구.
Local Line에 있는 장비를 operator가 직접 Control하는 상태.
Local Oxidization of Silicon
선택산화. 산소나 수증기의 확산에 대하여 큰 저지효과를 갖는 막 (예를들면 질화 silicon막)을 남긴 영역과
제거한 영역들을 동일 silicon 기판상에 형성하고, 이들 영역에서의 열산화막 성장속도의 차이를 이용하여
선택적으로 특정 영역에만 두꺼운 산화 silicon막을 형성하는 방법으로,일반적으로 질화 silicon막의 아래에는
변형에 의한 결정결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여 산화 silicon막이 설치된다.
LOCOS(Local Oxidation of Silicon)
PHILIPS사에 의해서 개발된 것으로 Si2N4을 산화마스크에 사용하는 것이다.
Cell간의 절연을 목적으로 사용된다.
Log 기록대장.즉 현장에서 전달사항 및 Data를 기록해 높은 Note.
LO2Gas(Liquid Oxygen Gas) 액체 산소 가스.
Logic Analyzer
Hardware의 functionality를 조사하는데 사용하며 Hardware의 logic level을 검색할수 있는 장비.
Logic Circuit(논리회로)
취급신호를 전압이 높은 상태와 낮은 상태만으로하여 이것을 2진수로 대응시켜 논리연산, 기억, 전송,
변환 등의 조작을 하는 것이다.
Logic Unit AND, NAND, OR, NOR회로에 있어서 논리 동작을 하는 회로의 기본단위를 말한다.
Logistics
군사용어로서 병참학이라고 한다.
기업의 생산에서 판매에 이르기까지 원재료 및 완제품을 합리적으로 관리하기 위한 운송, 보관하는
것을 일컫는 용어이다.
Material Tracking(Tracking, Trackout).
Logic Simulation
IC 설계 과정중의 하나로 functionality를 검증하기 위해 logic value 값을 이용하여 수행하는 실험절차.
Logic Synthesis
HDL로 기술된 Netlist를 입력으로하여 Logic level schematic를 합성하는 설계의 한 방법.설계하려는
시스템의 구성을 하드웨어 기술언어의 일종인 VHDL을 이용하여 기술하여 주면 Logic이 생성된다.
Login
사용자가 시스템에 등록하는 절차로서 사용자 확인,등록 관리,사용자와 시스템간의 네트워크 정보의
교환 등의 처리절차.
Loopback Test EQS를 띄우기 전에 HOST와 장비간의 통신을 Simulator하는 방법.
Loss(6大)
① 고정정지로스 : 폭발적,만성적으로 발생되고 있는 고장정지에 수반되는 시간적인 로스
② 작업준비·조정로스 : 준비작업 기종대체에 수반하는 시간적인 로스. 생산을 정지하고 나서 다음
품종으로 대체, 최초의 양품이 되기까지의 정지시간
③ 공전·순간정지 로스 : 일시적인 트러블에 의한 설 비의 정지 또는 공전에 의한 로스
④ 속도 저하로스 : 이론 사이클 타임과 실제 사이클 타임과의 차를 로스로써 포착한다
⑤ 불량로스 : 공정중에 불량이 되는 물량적 로스
⑥ 초기유동관리 수율로스 : 초기생산시에 발생되는 물량적 로스
(태업시나 작업준비 기종대체시에 발생되는 로스)
Lot Sampling 목적으로, 균일한 조건하에서 누적되는 재료나 제품의 정의된 량.
Lot Wafer의 한 묶음.
Lot-by-Lot Inspection 개별검사. 일련의 Lot들로 제공된 제품의 검사를 말한다.
Low Power Part
정상적인 Power 소모량보다 월등히 소모전력을 줄인 Device로서 Portabel형 장비에 많이 사용됨.
Low Tolerance Limit(LTL)
products나 service의 개별단위에 대한 적합기준의 낮은 쪽의 경계를 정의한 허용한계.
LP(Lens Paper) Lens 세척용 종이.
LPCVD(Low Pressure CVD)
상압보다 낮는 압력에서 Wafer 위에 필요 물질을 Deposition하는 공정에서 사용반응 Gas들의 화학적
반응방법을 이용하여 막을 증착시키는 방법으로서 확산공정에서 사용.
LRR(Lot Reject Rate) Gate에서의 lot reject 비율.
LSB(Least Significant Bit) 최소 유효자리 비트(바이트)↔MSB의 반대.
LSI(Large Scale Integration) 논리 회로의 기본 소자인 Transistor 100개 이상으로 형성된 집적 회로.
LSIC(Large Scale Integrated Circuit) 소자 수 1,000개 이상,Gate수 100개 이상의 고집적회로.
LTO (Low Temperature Deposition of Oxide, 저온 산화막 증착)
LPCVD 방식으로 400∼450℃의 비교적 저온에서 산화막을 증착하는 방법.
LTP(Low Temperature Passivation) 일본 HITACHI사에서 발표한 Silicon TR의 제조법.
LTPD(Lot Tolerance Precent Defective)
Lot 허용 불량율.계수 선별형 Sampling 검사로서 Lot 품질 보증이란,개개의 Lot의 품질을 보증하는 것으로
그렇게 하기 위해서는 미리 받아 들이고 싶지 않은 Lot(Sampling 검사에서 불합격으로 하고 싶은 Lot)의
한계 불량율을 정하여 둘 필요 가 있음.
이 한계 불량율을 Lot 허용 불량율이라고 하고,기호로서 Pl 또는 Pt로 쓰기도 함.
LTS(Low Temperature Storage)
"저온 보관시험"으로서 저온(-40℃)의 Oven속에서 Device를 시험하는 환경시험.
Lumieuous Effciency
시스템에 들어간 전력에 대해 빛의 출력으로 사용되는 전력의 단위를 말함. 단위 입력 전력당 출력되는
Lumen(광도의 단위)의 값으로 얼마만한 전력이 빛을 내는데 순순히 사용되었는가 하는 효율을 나타낸다.
Luminescence
고온의 상태에 있는 물질은 그 온도에 특유한 스펙트럼을 가진 파장의 빛을 복사하는데,온도에 의해서
정해지는 스펙트럼과 다른 파장의 빛을 나타내는 현상.
LVS(Layout Versus Schematic)
Layout이 회로 설계도와 동일하게 그려졌는지의 여부를 점검하는 것.
Lyotropic LC
물 또는 유기용매의 혼합에 의해 특정 용액에서 액정상이 출현하는 액정으로 생체 조직에 관계 있음.
Lyotropic Nematic 농도에 의해서 등방상·네마틱상의 상전이를 일으키는 액정을 말한다.
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